击穿win10遇到问题

最新推荐文章于 2023-11-29 17:19:52 发布
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分类专栏： 随手笔记
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1.5110驱动叹号，首先关闭security boot 然后禁止驱动程序强制签名。

   1.1） 开始-》设置-》更新与安全-》恢复-》重新启动-》EFUI固件设置-》security-》securityboot-》disable-》F10保存。

   1.2）开始-》设置-》更新与安全-》恢复-》重新启动-》启动设置-》重启-》7禁止强制标签。或者命令提示符bcdedit.exe/set noinrity..  on

 

2.先关闭杀毒软件 -》把程序考到某盘-》  杀毒软件打开设置将该文件夹加入到排除项

蚂蚁取经
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Spring Boot入门(30)：如何在Windows上安装、启动和使用Redis客户端？快速学习Redis技能！
**My Coding Family**
08-29 1834
Windows安装Redis客户端及启动服务使用？你玩过么，不会我教你啊。
Windows Redis 整理
布偶铲屎官的博客
08-06 3万+
Windows Redis 安装 链接: https://pan.baidu.com/s/1MJnzX_qRuNXJI09euzkPGA 提取码: 2c6w 复制这段内容后打开百度网盘手机App，操作更方便哦 无脑下一步即可 使用 出现错误： creating server tcp listening socket 127.0.0.1:6379: bind No error 解决方案： redis-cli.exe shutdown exit redis-server.exe redis.win...
NMOS和PMOS电流流向以及导通条件
perseverance51博客
11-12 6万+
NMOS和PMOS电流流向以及导通条件 PMOS，SOT-23-3封装引脚 导通条件 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。 NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~1
MOS管基础
123
12-29 3万+
  MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）   场效应管分为结型（JFET）和金属-氧化物-半导体型（MOSFET）两种类型。   JFET的英文全称是Junction Field-Effect Transistor，也分为N沟道和P沟道两种，在实际中几乎不用。   MOSFET英文全称是Metal-Oxide-Semiconduct
NMOS与PMOS的导通条件与使用方法
qq_62361151的博客
04-15 2万+
如果MOS管用作开关时，（不论N沟道还是P沟道），一定是寄生二极管的负极接输入边，正极接输出端或接地。否则就无法实现开关功能了。所以，N沟道一定是D极接输入，S极接输出或地。P沟道则相反，一定是S极接输入，D极接输出
48V-110V转5V12VDC降压芯片
weixin_48665390的博客
09-23 3623
48V-110V转5V12VDC降压芯片 关于开关电源芯片，要设计一个输入电压直流Dc48V到110V。 输出 ：电压直流dc 5V、12V、15V、24V的开关电源，只要用一个我们公司的AH862的开关电源就可以做到，芯片输入电压范围48V/60V/72V/80V/90V/110V/120V，是种成本最低的电源电路，输出功率为15W，可以输出不同的电压3V-36V，且有较好的电压调整率，较大的宽电压输入范围15V-200V,工作电流1A-3A,因此可大大提高电源的转换效率应用较为广泛如电动自行车控制器 ◆
P沟道mos管作为开关的条件（GS >GS（TH））
小白编程
12-23 3010
P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为2.8V 如果S为2.8V，G为2.8V，VGSw 那么mos管不导通，D为0V， 所以，如果2.8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。 那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使m...
【Redis项目实战 一】缓存穿透，缓存击穿分析以及实际代码解决方案
wtr的博客
09-12 515
缓存穿透、热点缓存失效、以及缓存更新时一致性问题分析以及解决方案
window手动操作清理redis缓存的技巧总结
09-09
接下来，我们来探讨Redis缓存可能遇到的三种问题： 1. 缓存穿透： 当用户查询的数据既不在缓存中也不在数据库中时，就可能发生缓存穿透。这种情况下，每次请求都需要查询数据库，对数据库造成持续压力。为避免这个...
redis详解(持续更新)
Ferao的博客
11-19 3万+
redis
了解MOS管的开通/关断原理
07-12
了解MOS管的开通/关断原理你就会发现，使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂，一般情况下意义不大，所以很少采用。 下面先了解MOS管的开通/关断原理，请看下图： NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~10V（G电位比S电位高）；而PMOS管的主回路电流方向为S→D，导通条件为VGS有一定的压差，一般为-5~-10V（S电位比G电位高），下面以导通压差6V为例。 NMOS管 使用NMOS当下管，S极直接接地（为固定值），只需将G极电压固定值6V即可导通；若使用NMOS当上管，D极接正电源，而S极的电压不固定，无法确定控制NMOS导通的G极电压，因为S极对地的电压有两种状态，MOS管截止时为低电平，导通时接近高电平VCC。当然NMOS也是可以当上管的，只是控制电路复杂，这种情况必须使用隔离电源控制，使用一个PMOS管就能解决的事情一般不会这么干，明显增加电路难度。
n沟mos管导通条件
07-13
n沟mos管导通条件 场效应管导通与截止由栅源电压来操控，关于增强场效应管方面来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就OK了。 可是，场效应管分为增强型和耗尽型，增强型的管子是必须需求加电压才干导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状况，加栅源电压是为了使其截止。 开关只有两种状况通和断，三极管和场效应管作业有三种状况，1.截止，2.线性扩大，3.饱满（基极电流持续添加而集电极电流不再添加）。使晶体管只作业在1和3状况的电路称之为开关电路，一般以晶体管截止，集电极不吸收电流表明开关；以晶体管饱满，发射极和集电极之间的电压差挨近于0V时表明开。开关电路用于数字电路时，输出电位挨近0V时表明0，输出电位挨近电源电压时表明1。所以数字集成电路内部的晶体管都工作在开关状况。 n沟道mos管导通过程 导通时序可分为to~t1、t1~t2、t2~t3、t3~t4四个时间段，这四个时间段有不同的等效电路。 1）t0-t1：CGS1开始充电，栅极电压还没有到达VGS（th），导电沟道没有形成，MOSFET仍处于关闭状态。 2）［t1-t2］区间，GS
NMOS和PMOS
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m0_61973119的博客
11-29 4228
1） mos管的三个极分别是：G（栅极），D（漏极），S（源极），要求栅极和源极之间电压大于某一特定值，漏极和原籍才能导通。2）如何判断是nmos管还是pmos管？N沟道箭头向里，P沟道箭头向外3）如何判断哪一端是S极和D极？两根线连接在一起的一端是S端4）寄生二极管方向画法？中间衬底箭头方向和寄生二级管的箭头方向总是一致的。
MOSFET 导通条件
9527的博客
04-13 3万+
MOSFET管是FET的一种，可以被制造为增强型或者耗尽型，P沟道或N沟道共四种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管。实际应用中，NMOS居多。 如何分辨三个极？D极单独位于一边，而G极是第4PIN。剩下的3个脚则是S极。它们的位置是相对固定的，记住这一点很有用。请注意：不论NMOS管还是PMOS管，上述...
详解，N沟道MOS管和P沟道MOS管
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自由的天空
10-31 16万+
出处：P沟道mos管作为开关的条件（GS >GS（TH）） 1、P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为2.8V 如果S为2.8V，G为2.8V，VGSw 那么mos管不导通，D为0V， 所以，如果2.8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。...
NMOS管导通原理
欢迎光临
10-01 9754
这个其实是NPN三极管的原理图，但是将电流改成电压之后也能通俗地解释NMOS的工作原理：B级和E级之间的电压超过导通电压之后C级和E级导通，导通电阻根据不同的NMOS管型号而变。导通之后C级和E级之间会有电流，如果负载放在E级下面会导致E级的电压升高可能会导致B级和E级的压差降低到导通电压一下，所以负载最好放在C级上面。（注意B、C、E都是三极管上的，MOS管上分别是G、D、S）
STM32的常规芯片容量大小以及 大、小容量STM32芯片之间的差别？
蚂蚁取经
01-18 5万+
本文主要讨论STM32的常规芯片容量大小以及STM32芯片大、小容量之间的差别。STM32大容量芯片是包括高达512K字节的闪存和64K字节的SRAM的芯片为大容量。STM32小容量芯片具体容量见下表。 STM32F103xC，STM32F103xD和STM32F103xE大容量增强型芯片的特性： 大容量芯片 答：高达512K字节的闪存和64K字节的SRAM的芯片为大容量。 ...
NMOS管和PMOS管开关控制电路原理及应用
心源意码的老农的博客
10-25 4万+
了解MOS管的开通/关断原理你就会发现，使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂，一般情况下意义不大，所以很少采用。 下面先了解MOS管的开通/关断原理，请看下图： NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为510V（G电位比S电位高）；而PMOS管的主回路电流方向为S→D，导通条件为VGS有一定的压差，一般为-5...
Redis如何解决击穿问题
04-30
Redis可以通过使用“缓存穿透”的技术来解决缓存击穿的问题。具体来说，缓存穿透是指当一个不存在于缓存中的请求被频繁请求时，会导致大量请求直接穿过缓存层，直接请求后端数据库，造成数据库压力过大，甚至宕机的情况。 为了避免这种情况，可以将缓存中不存在的请求标记为“null”或“空值”，这样当下一次请求到达时，可以直接从缓存中返回空值，而不必直接访问数据库。另外，可以设置缓存的过期时间，以确保缓存中的数据不会过期太久，从而避免缓存击穿的情况。 另外，还可以使用布隆过滤器技术，将可能存在的key存储在布隆过滤器中，如果key不存在于布隆过滤器中，直接返回空值，不会继续访问后端数据库。这种方法可以有效地减轻数据库的负担，提高系统的性能。
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