击穿win10遇到问题

最新推荐文章于 2023-11-29 17:19:52 发布
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分类专栏： 随手笔记
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1.5110驱动叹号，首先关闭security boot 然后禁止驱动程序强制签名。

   1.1） 开始-》设置-》更新与安全-》恢复-》重新启动-》EFUI固件设置-》security-》securityboot-》disable-》F10保存。

   1.2）开始-》设置-》更新与安全-》恢复-》重新启动-》启动设置-》重启-》7禁止强制标签。或者命令提示符bcdedit.exe/set noinrity..  on

 

2.先关闭杀毒软件 -》把程序考到某盘-》  杀毒软件打开设置将该文件夹加入到排除项

蚂蚁取经
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Spring Boot入门(30)：如何在Windows上安装、启动和使用Redis客户端？快速学习Redis技能！
**My Coding Family**
08-29 1828
Windows安装Redis客户端及启动服务使用？你玩过么，不会我教你啊。
Windows Redis 整理
布偶铲屎官的博客
08-06 3万+
Windows Redis 安装 链接: https://pan.baidu.com/s/1MJnzX_qRuNXJI09euzkPGA 提取码: 2c6w 复制这段内容后打开百度网盘手机App，操作更方便哦 无脑下一步即可 使用 出现错误： creating server tcp listening socket 127.0.0.1:6379: bind No error 解决方案： redis-cli.exe shutdown exit redis-server.exe redis.win...
NMOS和PMOS电流流向以及导通条件
perseverance51博客
11-12 6万+
NMOS和PMOS电流流向以及导通条件 PMOS，SOT-23-3封装引脚 导通条件 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。 NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~1
MOS管基础
123
12-29 3万+
  MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）   场效应管分为结型（JFET）和金属-氧化物-半导体型（MOSFET）两种类型。   JFET的英文全称是Junction Field-Effect Transistor，也分为N沟道和P沟道两种，在实际中几乎不用。   MOSFET英文全称是Metal-Oxide-Semiconduct
NMOS与PMOS的导通条件与使用方法
qq_62361151的博客
04-15 2万+
如果MOS管用作开关时，（不论N沟道还是P沟道），一定是寄生二极管的负极接输入边，正极接输出端或接地。否则就无法实现开关功能了。所以，N沟道一定是D极接输入，S极接输出或地。P沟道则相反，一定是S极接输入，D极接输出
48V-110V转5V12VDC降压芯片
weixin_48665390的博客
09-23 3620
48V-110V转5V12VDC降压芯片 关于开关电源芯片，要设计一个输入电压直流Dc48V到110V。 输出 ：电压直流dc 5V、12V、15V、24V的开关电源，只要用一个我们公司的AH862的开关电源就可以做到，芯片输入电压范围48V/60V/72V/80V/90V/110V/120V，是种成本最低的电源电路，输出功率为15W，可以输出不同的电压3V-36V，且有较好的电压调整率，较大的宽电压输入范围15V-200V,工作电流1A-3A,因此可大大提高电源的转换效率应用较为广泛如电动自行车控制器 ◆
P沟道mos管作为开关的条件（GS >GS（TH））
小白编程
12-23 3009
P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为2.8V 如果S为2.8V，G为2.8V，VGSw 那么mos管不导通，D为0V， 所以，如果2.8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。 那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使m...
【Redis项目实战 一】缓存穿透，缓存击穿分析以及实际代码解决方案
wtr的博客
09-12 514
缓存穿透、热点缓存失效、以及缓存更新时一致性问题分析以及解决方案
window手动操作清理redis缓存的技巧总结
09-09
接下来，我们来探讨Redis缓存可能遇到的三种问题： 1. 缓存穿透： 当用户查询的数据既不在缓存中也不在数据库中时，就可能发生缓存穿透。这种情况下，每次请求都需要查询数据库，对数据库造成持续压力。为避免这个...
redis详解(持续更新)
Ferao的博客
11-19 3万+
redis
了解MOS管的开通/关断原理
07-12
了解MOS管的开通/关断原理你就会发现，使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂，一般情况下意义不大，所以很少采用。 下面先了解MOS管的开通/关断原理，请看下图： NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~10V（G电位比S电位高）；而PMOS管的主回路电流方向为S→D，导通条件为VGS有一定的压差，一般为-5~-10V（S电位比G电位高），下面以导通压差6V为例。 NMOS管 使用NMOS当下管，S极直接接地（为固定值），只需将G极电压固定值6V即可导通；若使用NMOS当上管，D极接正电源，而S极的电压不固定，无法确定控制NMOS导通的G极电压，因为S极对地的电压有两种状态，MOS管截止时为低电平，导通时接近高电平VCC。当然NMOS也是可以当上管的，只是控制电路复杂，这种情况必须使用隔离电源控制，使用一个PMOS管就能解决的事情一般不会这么干，明显增加电路难度。
n沟mos管导通条件
07-13
n沟mos管导通条件 场效应管导通与截止由栅源电压来操控，关于增强场效应管方面来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就OK了。 可是，场效应管分为增强型和耗尽型，增强型的管子是必须需求加电压才干导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状况，加栅源电压是为了使其截止。 开关只有两种状况通和断，三极管和场效应管作业有三种状况，1.截止，2.线性扩大，3.饱满（基极电流持续添加而集电极电流不再添加）。使晶体管只作业在1和3状况的电路称之为开关电路，一般以晶体管截止，集电极不吸收电流表明开关；以晶体管饱满，发射极和集电极之间的电压差挨近于0V时表明开。开关电路用于数字电路时，输出电位挨近0V时表明0，输出电位挨近电源电压时表明1。所以数字集成电路内部的晶体管都工作在开关状况。 n沟道mos管导通过程 导通时序可分为to~t1、t1~t2、t2~t3、t3~t4四个时间段，这四个时间段有不同的等效电路。 1）t0-t1：CGS1开始充电，栅极电压还没有到达VGS（th），导电沟道没有形成，MOSFET仍处于关闭状态。 2）［t1-t2］区间，GS
NMOS和PMOS
最新发布
m0_61973119的博客
11-29 4148
1） mos管的三个极分别是：G（栅极），D（漏极），S（源极），要求栅极和源极之间电压大于某一特定值，漏极和原籍才能导通。2）如何判断是nmos管还是pmos管？N沟道箭头向里，P沟道箭头向外3）如何判断哪一端是S极和D极？两根线连接在一起的一端是S端4）寄生二极管方向画法？中间衬底箭头方向和寄生二级管的箭头方向总是一致的。
MOSFET 导通条件
9527的博客
04-13 3万+
MOSFET管是FET的一种，可以被制造为增强型或者耗尽型，P沟道或N沟道共四种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管。实际应用中，NMOS居多。 如何分辨三个极？D极单独位于一边，而G极是第4PIN。剩下的3个脚则是S极。它们的位置是相对固定的，记住这一点很有用。请注意：不论NMOS管还是PMOS管，上述...
十进制浮点型数据转换成二进制，并在内存中的存储方式
nesll的专栏
02-22 1万+
文章源地址：http://blog.csdn.net/wzy198852/article/details/9617239 原文章有些地方有误，已更正 C语言和C#语言中，对于浮点类型的数据采用单精度类型（float）和双精度类型(double)来存储，float数据占用32bit,double数据占用64bit,我们在声明一个变量float f= 2.25f的时候，是如何分配内存的呢？如
PMOS和NMOS的区分及导通方式
heda3的博客
06-08 6万+
NMOS：是栅极高电平（VGS > Vt）导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。PMOS：是栅极低电平（VGS < Vt）导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通。...
MOS管基本认识（快速入门）
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JiYuee Note
07-05 21万+
1. 三个极的判定G极(gate)—栅极，不用说比较好认 S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是 D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边2. N沟道与P沟道判别箭头指向G极的是N沟道 箭头背向G极的是P沟道3. 寄生二极管方向判定不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：...
MOS管导通条件概述-过程-压降-提高效率等详解
树卡花
12-03 1万+
MOS管导通特性概述 金属-氧化层半导体场效晶体管，简称金氧半场效晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为“N型”与“P型”的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOSFET、PMOSFET、等。 MOS管导通过程 导通时序可分为tot1、t1t2、 t2~t3 、t3~t4四个时间段，这四个时间段有...
Redis如何解决击穿问题
04-30
Redis可以通过使用“缓存穿透”的技术来解决缓存击穿的问题。具体来说，缓存穿透是指当一个不存在于缓存中的请求被频繁请求时，会导致大量请求直接穿过缓存层，直接请求后端数据库，造成数据库压力过大，甚至宕机的...
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