十四、 MOS晶体管的结构

已于 2023-03-04 14:28:14 修改
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分类专栏： 零基础速学Cadence版图设计-软件安装到触发器设计 文章标签： 集成电路开发及应用 MOS管版图设计 版图设计 MOS管结构 N阱
于 2023-02-09 13:31:49 首次发布
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本文链接：https://blog.csdn.net/zhjysx/article/details/128951336
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本文介绍了集成电路版图设计中的MOS管结构，MOS管作为电压控制电流的器件，其主要由栅极、源极、漏极和衬底构成。分别阐述了NMOS和PMOS的构造，NMOS在P型衬底上形成N沟道，而PMOS则在N阱内形成P沟道，以防止短路。
摘要由CSDN通过智能技术生成

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        版图设计即集成电路版图设计，是在版图设计软件内，对芯片内部电路的设计。这个设计在实际生产中，也就是光刻时的掩模版。

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MOS晶体管基础知识（1）mos管结构
weixin_44268068的博客
05-18 1389
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什么是MOS管?MOS管结构原理图解
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什么是mos管 mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压mos管。 场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体（MOS）晶
MOS管原理-非常详细
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最详细的MOS管讲解
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电路基础——NMOS物理结构
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