➤ ■ 背景
今天,在TEEPTECH(深科技)发布的博文 创造两项发光效率纪录,浙大科学家有望改变OLED技术格局|专访 提到浙江大学光电科学与工程学院研究员狄大卫所在实验中偶然发现的对于量子点硅光电池通过反向加电,在暗室里硅光电池发出暗红色的亮光。因此这就提出一个问题:
- 什么事量子点硅光电池?
- 是否所有的硅光电池都可以逆向发光?
- 同样,对于LED(不同颜色)将光能转换成电能效率是什么呢?
在原博文中给出了如下的叙述:
按理说,硅是发光禁阻的间接带隙半导体材料,通常不会发光。因为这个实验,他发表了一篇 LED 领域的论文《硅纳米晶 / 单晶硅异质结 LED 的电致发光》,报道了基于纳米硅 / 晶体硅的发光二极管。硅这种材料本身不发光,但做成纳米硅或者量子点以后,就可以突破限制发光。
▲ 狄大卫在剑桥卡文迪许实验室
此对应的,在 三极管的发射极与集电极之间的关系 博文中,发现当三级的(2N3904)的发射极(e)与基极(b)短路是,在集电极(c)测量出大约0.8V左右的电压,那么这个电压是否可以输出功率呢?对于这个问题也可以通过实验来验证一下。
01实验方案
1.测量发光通量
定量测量LED、硅光电池的发光功率,可以使用在: SP-45ML光电二极管放大电路设计 中给SP-45ML器件来进行测量。
▲ 测量光通量模块以及安装后的盒子
▲ 实验中的硅光电池
2.测量LED转换电能
使用普通的万用表和标准电阻即可测量。
3.测量NPN(2N3904)集电极输出功率
对三极管的发射极与集电极之间的关系博文中的NPN三极管集电极电压输出功率进行测量。
02实验结果
1. 测试硅光电池的V-A特性
测量光电池的正向和反向的V-A特性可以验证硅光电池二极管特性。
(1) 测量方式
测量方式是将硅光电池与一个标准的100欧姆的电阻串联之后连接在输出电压数控直流电源(DP1308),使用数字万用表DM3068测量测量电阻上的电压,使用数字万用表FLUKE45测量硅光电池两端电压。
将硅光电池放置在前面黑色盒子,隔离外部的光源,避免外部的光源对硅光电池伏安特性的测量。
▲ 测试硅光电池电路
(2) 测量结果分析
下图是正向硅光电池的V-A特性:
▲ 正向施加电压时硅光电池伏安特性
下图是该硅光电池反向的伏安特性:
▲ 反向施加电压时硅光电池伏安特性
将两款硅光电池(Opt-Cell1, Opt-Cell2)正向(xxx-F)和反向(xxx-B)的伏安特性绘制在一起,如下图所示:
▲ 两款硅光电池正向和反向V-A特性
上述测量数据可以显示:
- 硅光电池的正向具有导通特性,反向截止特性;
- 硅光电池正向和反向的导通特性相互之间具有差异性。
因此,如果想硅光电池输入电功率,需要在正向施加电压。
2.硅光电池对光强检测影响
(1) 施加电压0-5V
施加
▲ 硅光电池电流对于光强测量结果影响
▲ 硅光电池电流对于光强测量结果影响
▲ 硅光电池电流与光强检测输出电压之间的关系
※ 结论
这个实验还是在半半拉拉状态。相关的结论尚无进一步的确定。
对于内部的机理还需要继续探讨和学习。