LT1910高端MOS管驱动IC

本文深入探讨了LT1910 MOS驱动芯片的实际应用与测试,包括其在不同工作电压下的表现,栅极电压特性,以及与CSD19535 MOS管的配合使用。实验结果显示,LT1910在工作电压超过5.4V时性能更佳,且在高电压下能稳定驱动MOS管。

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01实验背景


STC单片机功率控制下载板 中提到使用LT1910驱动功率MOS作为STC WiFi功率下载转接板控制电源器。替代原来设计的MAX202(MAX3232)的方案。

LT1910 是由LINEAR TECHNOLOGY出品的用于驱动高端(电源端)N-MOS功率管芯片。内部集成有电荷泵,无需外部器件便可以驱动N-MOS管的导通。

LT1910还可以对MOS漏极上串联的电流采样电阻进行检测。如果MOS漏极电流过流,则自动关闭MOS驱动,关闭的时间由外部电容设定。

LT1910可以被用于汽车、航空、工业等各种恶劣环境场合,在供电电压从-15V ~ +60V 都不会损毁LT1910。

 

02 LT1910基本应用


1.外部引脚和内部功能框图

2.基本应用电路

▲ 低端MOS管控制模式

▲ 低端MOS管控制模式

 

03实验电路


1.建立AD元器件

在SCH.LIB中的器件:LT1910,封装SOP-8。

▲ 基本工作电路以及封装管脚定义

▲ 基本工作电路以及封装管脚定义

2.实验电路模块

(1) 原理图设计

(2) 快速实验电路板制作

表格3.1 端口功能定义
PIN1PIN2PIN3PIN4PIN5PIN6
+5VGNDIOFAULTGATESENSE

 

04测试MOS管


1.实验电路

测试MOS管 型号: CSD19535 :超低Qg,Qgd。


2.面包板上的电路

▲ 设置在电路板上的实验电路

▲ 设置在电路板上的实验电路

3.工作静态电压

(1) 工作电压5V
VCCGNDIOFAULTGATESENSE
4.9907000.0003150.0002890.0079260.0457684.990900
VCCGNDIOFAULTGATESENSE
4.9878000.0004544.9881001.2180003.9171004.985400
(2) 工作电压12V
VCCGNDIOFAULTGATESENSE
11.9890000.0004400.0003650.0060630.03794211.991000
VCCGNDIOFAULTGATESENSE
11.9160000.07765111.9130001.40090019.73800111.916000
(3) 工作电压与栅极电压

设置LT1910不同的工作电压,将IO设置与VCC一样。GATE输出电压与工作电压之间的关系如下图所示。

▲ 工作电压与栅极电压

▲ 工作电压与栅极电压

从中可以看到:

  • LT1910只有在工作电压大于5.4V 之后,内后的栅极升压电路才开始工作。
  • 在3V ~ 5.4V之间输出的电压与工作电压同步增加。

下面是工作电压从0 ~ 24V。输出的Vgate的电压。对比于数据手册给出的特性表格,之间是相互符合的。

▲ 工作电压与Vgate

▲ 工作电压与Vgate

▲ 工作电压与输出Vgate

▲ 工作电压与输出Vgate

#!/usr/local/bin/python
# -*- coding: gbk -*-
#============================================================
# TEST1.PY                     -- by Dr. ZhuoQing 2020-09-09
#
# Note:
#============================================================

from headm import *
from tsmodule.tsstm32       import *
from tsmodule.tsvisa        import *

dp1308open()
dp1308p25v(0)

time.sleep(1)
printf('\a')

setv = linspace(0, 24, 50)

udim = []
idim = []

for v in setv:
    dp1308p25v(v)
    time.sleep(1)
    meter = meterval()

    udim.append(meter[0])
    idim.append(meter[2])

    printff(v, meter)

dp1308p25v(0)
tspsavenew('data', u=udim, i=idim)
plt.plot(idim, udim)
plt.xlabel("工作电压(V)")
plt.ylabel("栅极电压(V)")
plt.grid(True)
plt.tight_layout()
plt.show()

#------------------------------------------------------------
#        END OF FILE : TEST1.PY
#============================================================

4.测试LT1910动态特性

  • LT1910工作电压:12V

▲ 测试LT1910的输入和输出波形

▲ 测试LT1910的输入和输出波形

输入信号与输出之间大约有400us的延迟。
▲ 输入与输出之间的延迟

▲ 输入与输出之间的延迟

 

※ 结论


通过实验数据,可以得到:

  • LT1910工作电压需要大于5.4V,尽量大于6V;
  • 对于LT1910工作电压大于16.1V之后,驱动MOS的栅极电压饱和在12V左右。

▲ 放置在MOS驱动芯片盒内

▲ 放置在MOS驱动芯片盒内

 
■ 相关文献链接:

 

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