使用ZVS驱动无线充电线圈

本文详细介绍了ZVS无线充电电路的制作和测试过程。通过使用两个串联线圈形成带有中间抽头的电感,实现了32kHz的振荡频率。电路在12V电压下静态电流为143mA,能为10欧姆负载提供约6W功率。测试验证了电路的可行性,为未来优化提供了基础。

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ZVS无线充电电路

简 介: 这里测试了ZVS电路驱动充电线圈的过程, 验证了电路工作以及功率输出。 这也为今后电路改进打下了基础。

关键词 ZVS无线充电

无线充电
目 录
Contents
背景介绍
线圈制作
测量结果
总 结
图片DOP

 

§01 线充电


一、背景介绍

  全国大学生智能车竞赛竞赛中, 有无线充电组。 功率电路大都采用单管,或者半桥输出。 根据前几天测试的ZVS电路的基本功能, 下面测试一个使用ZVS电路组成无线充电电路的功能。

  GM1658068633_924_577.MPG| GM1658068674_924_577.MPG| GM1658068738_924_577.MPG| GM1658068786_1280_800.MPG|   

二、线圈制作

  使用两个无线发射线圈串联形成带有中间抽头的电感, 两个线圈之间具有互感。 下面测量三个引线之间的电感。 中间抽头与两个端口之间的电感, 都在31uH左右。 两个串联线圈的电感为114uH,这也显示了两者之间具有很强的互感。
  # # -4-

三、测量结果

  将上述线圈接入ZVS振荡器, 初步测试它是否能够产生振荡。 这是电路MOS管漏极电压, 可以看到电路是产生了振荡。 空载情况下,电路工作电流在55mA左右。

   # # # # #
  将谐振电容修改为0.22uF, 此时ZVS振荡频率为32kHz。  电路在12V工作电压下,静态电流为143mA。 将一个带有10欧姆负载线圈放置在线圈上,可以看到工作电流增加0.5A。也就是输出了大约6W的功率。 这是负载电阻被烧坏的过程。 下面再看一遍。

  # # # GM1658062944_1128_706.MPG| GM1658063154_1128_706.MPG| GM1658063219_1128_706.MPG|
 

  结 ※


  里测试了ZVS电路驱动充电线圈的过程, 验证了电路工作以及功率输出。 这也为今后电路改进打下了基础。

  # # #

一、图片DOP

线圈振荡频率

根据电路中 B 1 B_1 B1 C 1 C_1 C1 的参数,可以计算出电路振荡频率。 f 0 = 1 2 π B 1 C 1 = 1 2 π 114 × 1 0 − 6 ⋅ 0.22 × 1 0 − 6 = 31.780 H z f_0 = {1 \over {2\pi \sqrt {B_1 C_1 } }} = {1 \over {2\pi \sqrt {114 \times 10^{ - 6} \cdot 0.22 \times 10^{ - 6} } }} = 31.780Hz f0=2πB1C1 1=2π114×1060.22×106 1=31.780Hz


ZVS即所谓零电压开关(ZVS)/零电流开关(ZCS)技术,或称软开关技术,小功率软开关电源效率可提高到80%~85%。接下来将详解介绍zvs原理及如何自制zvs的升压电路图以及它的操作步骤。 ZVS经典原理: 1. 上电瞬间,电源电压流经R1,R2,经过ZD1,ZD2稳压二极管钳位在12V后分别送入MOS1,MOS2的GS极,因此两个MOS管同时开通。 2. 因为元件参数的离散性(例如:MOS管GS钳位电压的离散性、MOS管本身跨导参数的离散性、变压器初级绕组不严格对称、走线长度差异等),导致两管DS电流在上电瞬间就不相同。假设下方的MOS管MOS2流过的电流稍大。即IL3》IL2。因为L2,L3是在同一磁芯上绕制,本身存在磁耦合,所以,对磁芯的励磁电流为IL2,IL3之和。之前提到IL3》IL2,而且从抽头看去,IL2,IL3的电流方向相反,所以对磁芯的励磁电流为Ip1=IL3-IL2。这样就可以等效为仅有L3线圈产生励磁作用(有一部分抵消掉L2的励磁)。明白这点以后,继续往下分析。 3. 见图1,在上电瞬间,L2,L3中的等效励磁电流Ip1用红色线条表示,因为具有相同的磁路,Ip1将在L2上产生一个互感电流,图中用蓝色线条表示,L2 L3与C1构成并联谐振,这个互感电流的方向同IL2相反,如此正反馈造成的结果是IL2越来越小,最终可单纯看做只有L3参与励磁。 4. 与此同时,B点电压升高,D1截止,C点电压保持12V,MOS2继续保持开通。因为MOS2开通时VDS很小,A点近似接地,D2导通,将D点电位强行拉低至0.7V左右,MOS1失去VGS而截止。 5. 随着时间推移,L3对磁芯的励磁最终达到磁饱和,大家注意,此时蓝色线条的电流因磁芯饱和失去互感刚好减到0,MOS1的DS上电压为零。而L3失去电感量而近似于一个仅几mΩ的纯电阻,瞬间大电流全部叠加在MOS2的导通电阻Ron上,使A点电位瞬间升高,D2截止,D点电位恢复至12V,MOS1获得VGS而导通(在VDS=0的情况下导通,故称ZVS)。继而B点近似接地,C点电压降到0.7V,MOS2截止,MOS1保持导通。当L2励磁达到饱和时电路状态再次发生翻转,重复第4过程。 6. 整个过程中,翻转的时间由谐振电容C1的容量和L2 L3共同决定,因为有C1构成谐振,初级电压波形呈完美正弦波,谐波分量大大减小,漏感的影响不复存在,因此变比等于匝比。L1为扼流电感,利用电感电流的不可突变特性,保证磁饱和瞬间MOS管的DS极不会流过巨大浪涌而损坏。这也是为什么不接此电感或者感量太小时,电路空载电流会增大,而且MOS管发热严重的原因。 因为利用了磁饱和原理,所以在磁芯工作在滞回线1,3象限的饱和临界点之间,磁芯的储能作用得以最大发挥,传递功率相当大。
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