西部数据(Western Digital)在其投资者会议上出人意料地预览了全球首个2Tb(256GB)3D QLC NAND闪存芯片,该芯片基于成熟的218层BiCS8制造工艺。这一创新不仅标志着闪存容量的新里程碑,还预示着更大容量、更快速且能效更高的固态硬盘(SSD)时代的到来,有望重塑高容量SSD市场。
执行副总裁兼Flash业务总经理Robert Soderbery兴奋地表示:“我非常激动地向大家预览BiCS8 2Tb 3D QLC芯片。这款芯片旨在满足数据中心和AI存储需求,我们即将正式宣布此产品,但今天想先与大家分享。这正是全球容量最大的存储芯片。”
相较于基于同样218层BiCS8技术的基准产品1Tb 3D TLC芯片,2Tb 3D QLC芯片的问世是一大飞跃。虽然具体架构细节尚未披露,比如接口速度、平面数或延迟等,但公司分享了详尽的性能与功耗对比数据。鉴于该芯片针对数据中心及AI存储应用,可以推测其性能目标相当高。
采用256GB的3D QLC NAND芯片,制造商仅需四颗这样的内存芯片即可组装成1TB的SSD,而8颗则可制成2TB的驱动器,大幅降低了生产成本。进一步制作16颗芯片的封装,甚至能在单一封装中实现惊人的4TB容量。
假设西部数据及其制造伙伴铠侠(Kioxia)能以高产量和良好良率生产这些2Tb 3D QLC NAND芯片,新产品的推出将重新定义高容量SSD的成本。
西部数据还指出,其QLC芯片的密度比竞争对手高出15%至19%,I/O速度比竞品快50%,并且每编程1GB数据所需功率少13%。公司采用了独特的制造方法,即先分别制造包含CMOS控制电路的芯片和堆叠存储单元的芯片,然后使用类似中国YMTC的Xtacking技术的混合键合技术将两者面对面粘合在一起。
Soderbery强调,传统上展示晶圆片无法完全展现此次成就的意义,因此他展示了实物芯片:“我手上的这个芯片,比我的指尖还要小。请放大看看我手指上的这个芯片,这就是它的尺寸。”这一展示生动体现了技术进步带来的体积缩小与性能提升,预示着未来存储解决方案的广阔前景。