一些硬件知识（二十二）

二极管（Diode）伏安特性、技术参数和项目中的应用

在正向偏置下，二极管呈现出良好的导电性能，可以允许电流通过；而在反向偏置下，二极管具有很高的阻断能力，几乎不允许电流通过。这是由构成二极管的PN结的单向导。

1.IF：正向电流

正向电流（Forward Current）是二极管长期正向导通且不会损坏的最大电流，类似于功率器件的最大额定功率，在选用二极管时，流过二极管的电流不要超过该值，否则可能因为结温过高而烧坏二极管。

2.IR:反向漏电流

反向电流（Reverse Current）是二极管没有反向击穿情况下的反向电流，反向电流越小，二极管的单向导电性能越好。

3.UR：最大反向工作电压

最大反向电压（Maximum Reverse Voltage)是二极管正常工作时允许外加的最大反向电压值，超过该值，二极管可能反向击穿损坏。注意区别于反向击穿电压UBR，UR一般为反向击穿电压的一半左右。

4.响应时间：

响应时间包括了二极管从未导通到导通的时间和从导通到关断的时间。TVS二极管（瞬态电压抑制二极管）的响应时间就应该足够快，以便于在瞬态电压出现时能够迅速响应，来保护被保护电路不被损坏。

5.fM:最大工作频率

无论是二极管还是三极管，在PN结处都存在结电容，当工作频率很高时，结电容容抗Xc=1/2πfC就会很小，近似于将二极管短路，二极管的单向导电性将变差，不能很好的工作。对于高频电路，在选择二极管时要注意考虑fM的影响。

二极管除了具有整流、电平匹配、稳压的作用外，还具有钳位保护等作用。

如何降低电源设计的辐射 EMI 呢？一种方法是用金属完全屏蔽开关电源。但在大多数应用中，由于成本和空间的原因，这种方法无法作为一种选项。

减小布局中的电流环路

顾名思义，开关电源正在进行转换。它们的作用是以几百千赫到几兆赫的频率打开和关闭输入电压。这就导致发生了快速电流转换（dI/dt）和快速电压转换（dV/dt）。交流电流和电压根据麦克斯韦方程组产生交变电磁场。这些磁场从其原点径向扩散，它们的幅度随距离而降低。

磁场和电场会干扰应用的导电部件（例如，印刷电路板[PCB]上的铜迹线，就像天线一样）并在线路上产生额外的噪声，这样又会导致发生 EMI（见图 1）。几瓦功率的转换会增大辐射 EMI 的范围。

开关电源的EMI来源和EMI降低方法 (qq.com)

MOSFET分为增强型和耗尽型：

耗尽型MOS好贵，都是一颗10块左右的：      （平常常开，施加电平关断）

NMOS:

PMOS:

MOSFET最大额定参数:

看到这里请看原文，原文更加详细：

一文读懂MOSFET英文手册【干货】 (qq.com)