一些硬件知识（二十）

单端差动放大器并不是指“单输入单输出”。它的意思是：输入端为差分输入，而输出为单端输出。

低压差线性稳压器（LDO，Low Dropout Regulator）是一种常见的线性稳压器，具有低输入输出电压差的特点，适用于电源管理和稳压电路。LDO可以将输入电压调节为稳定的输出电压，且其输入电压与输出电压之间的压差较小，因此特别适合电池供电等场景。

LDO的基本工作原理

LDO的核心结构包括以下部分：

1. 误差放大器：比较输出电压和参考电压，将误差信号放大，用来控制调整管（通常是MOSFET或BJT）的导通程度，以维持稳定的输出电压。
2. 参考电压源：提供一个稳定的低压基准电压（如1.2V），作为LDO稳压的参考。
3. 调整管：通常是一个P沟道MOSFET或PNP型BJT，其作用是根据误差放大器的输出调节输入电流，使输出电压稳定在目标值。
4. 反馈网络：通过电阻分压采样输出电压，并将分压信号反馈到误差放大器，以调节输出电压。

LDO电路结构

典型的LDO电路结构如下：

1. 输入滤波电容：放在输入电压端，用于滤除输入电压中的噪声或高频干扰。
2. 调整管（MOSFET或BJT）：作为LDO的控制元件，调节通过它的电流以保持输出电压稳定。
3. 误差放大器：检测输出电压与基准电压的差值，放大误差并控制调整管的导通。
4. 参考电压源：为误差放大器提供稳定的基准电压。
5. 反馈网络：通常由两个电阻组成的分压网络，用于调节LDO的输出电压。
6. 输出滤波电容：用来稳定输出电压，防止震荡并减少高频噪声。

LDO的主要性能指标

1. 压差（Dropout Voltage）：输入电压与输出电压之间的最小压差。在LDO中，调整管的导通电阻决定了这个压差，MOSFET作为调整管时压差较低，PNP BJT作为调整管时压差较高。
2. 负载调整率：当负载电流变化时，LDO保持输出电压稳定的能力。
3. 线路调整率：当输入电压变化时，LDO保持输出电压稳定的能力。
4. 静态电流（Iq）：LDO自身消耗的电流，通常越低越好，尤其是对电池供电的应用。
5. 电源抑制比（PSRR）：LDO对输入电压纹波的抑制能力，较高的PSRR意味着LDO能够更好地抑制输入电压中的噪声。
    

无源晶振与有源晶振的区别：

无源晶振的频率受外接负载电容，杂散电容的影响；而有源晶振比较稳定，受外界参数的影响较小。当然，价格肯定是无源晶振更便宜。

有源晶振的连接电路图如下图所示：

这是一个20MHz的晶振，1脚悬空时，有时钟输出，1脚接高电平时也有时钟输出；如果1脚是低电平，则没有时钟输出。4脚为电源引脚，串联电感L1的目的是为了防止晶振的高频噪声串入电源。

MOSFET有三个寄生电容，分别是Cgs、Cgd、Cds。其中Cgs+Cgd称为MOSFET的输入电容Ciss。其中Cgd被称为米勒电容（即下图中的C1），它是导致米勒平台的原因。

当上图中MOSFET的栅极G电压突然从0V上升到5V时，由于寄生电容C1、C2的存在，栅极的电压不能立刻上升到5V，而是在上升的过程中会有一个小的平台，这个平台就叫做米勒平台。在开关电路中，米勒平台的存在会增大MOS管的开关损耗，严重时更会导致开关的误导通。

MOS管的功率损耗主要是由两部分组成的，前面已经介绍了开关损耗，还有一部分损耗是在导通电阻上产生的损耗。因此，提高开关速度和选用导通电阻小的MOS管可以降低MOS管功率损耗，减小发热。但过快的开关速度，会使得dv/dt很大，开关瞬间会产生很大的冲击电流，对驱动芯片的输出能力和MOS管抗脉冲电流能力是一种考验，因此实际应用中要综合考量各种影响因素，选择合适的开关速度。

参考自：公众号硬件精选笔记，仅作为笔记使用