12. 晶体管H参数交流小信号模型

最新推荐文章于 2024-08-11 23:46:27 发布

西门大大官人

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分类专栏：模拟电路文章标签：硬件工程

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1. 定义

在共射接法的放大电路中，在低频小信号作用下，将晶体管看成一个线性双口网络，利用网络中的h参数来表示输入端口，输出端口的电压与电流的相互关系，便可得出等效电路，称为共射h参数等效模型。该模型只能用于放大电路低频小信号（6mV左右）参数分析。

2. h参数等效模型的推导

输入输出特性曲线

因为从特性曲线得知， $u_{BE}$ 和 $i_{C}$ 都同时跟 $i_{B}$ 和 $u_{CE}$ 有关，于是

将晶体管看成一个双口网络，并以b-e作为输入端口，以c-e作为输出端口，得到关系式

h参数方程

为了研究低频小信号作用下各变化量之间的关系，

$\dot{U_{be}}$ 代替 $du_{BE}$ ， $\dot{I_{b}}$ 代替 $di_{B}$ ， $\dot{I_{c}}$ 代替 $di_{C}$ ， $\dot{U_{ce}}$ 代替 $du_{CE}$ ，于是得出h参数方程

下标e表示共射接法，

电压 $\dot{U_{be}}$ 由两部分组成，第一项表示 $\dot{I_{b}}$ 产生的一个电压，因而 $h_{11e}$ 为电阻；第二项表示 $\dot{U_{ce}}$ 产生一个电压，因而 $h_{12e}$ 量纲为一；所以b - e间等效成一个电阻与一个电压控制的电压源串联。

电流 $\dot{I_{c}}$ 也由两部分组成，第一项表示由 $\dot{I_{b}}$ 控制产生一个电流，因而 $h_{21e}$ 量纲为一；第二项表示由 $\dot{U_{ce}}$ 产生一个电流，因而 $h_{22e}$ 为电导；所以c - e间等效成一个电流控制的电流源与一个电阻并联。这样得到晶体管的等效模型如下：

这四个参数也称为h参数。

3. h参数的物理意义

$h_{11e}$ 是当 $u_{CE}$ = $U_{CEQ}$ 时， $u_{BE}$ 对 $i_{B}$ 的偏导数。从输入特性上看，就是 $u_{CE}$ = $U_{CEQ}$ 那条输入特性曲线在Q点处切线斜率的倒数。因此 $h_{11e}$ 表示小信号作用下b - e间的动态电阻，常记作 $r_{be}$ 。Q点越高，输入特性曲线越陡， $h_{11e}$ 值越小。

$h_{12e}$ 是当 $i_{B}$ = $I_{BQ}$ 时， $u_{BE}$ 对 $u_{CE}$ 的偏导数， $h_{12e}$ 描述了晶体管输出回路电压 $u_{CE}$ 对输入回路电压 $u_{BE}$ 的影响，故称之为内反馈系数。

$h_{21e}$ 是当 $u_{CE}$ = $U_{CEQ}$ 时， $i_{C}$ 对 $i_{B}$ 的偏导数， $h_{21e}$ 表示晶体管在Q点附近的电流放大系数 $\beta$ 。

$h_{22e}$ 是当 $i_{B}$ = $I_{BQ}$ 时， $i_{C}$ 对 $u_{CE}$ 的偏导数， $h_{22e}$ 表示输出特性曲线上翘的程度。1/ $h_{22e}$ 为c-e间动态电阻 $r_{ce}$ ，其值在几百千欧以上。

4. 简化的h参数等效模型

输入回路中，内反馈系数 $h_{12e}$ 很小，即内反馈很弱，近似分析中可忽略不计，故晶体管的输入回路可近似等效为只有一个动态电阻 $r_{be}$ ；在输出回路， $h_{22e}$ 很小，说明在近似分析中，该支路的电流可忽略不计，故晶体管的输出回路可近似等效为只有一个受控电流源 $\dot{I_{c}}$ ， $\dot{I_{c}}$ = $\beta$ $\dot{I_{b}}$ ；因此，简化的h参数等效模型如图：