数电第三章

数字电路使用电压的时候的特性：
在数字离散的使用电压信号之中，电压值分为两个区域，一个区域是无效的，两端的称为有效区
用到的只是两端的
逻辑代数，数字电路基础
数字电路输出不是任何时刻都有意义的，从真值表的一行跳到另一行，会经过无效区
导线：数字电路中，必备的连接关系，是干扰信号的来源，和传递，但是不是数字电路的器件
要看能不能接收低质量的，输出高质量的

门电路：注意反相器
静态动态
重点cmos 模电，电路原理

二极管的伏安特性为什么受温度影响:
本征激发会随着温度的升高，带来更多的载流子
多子是因为掺杂工艺确定的，温度影响的是本征激发影响的是少子

二极管，正向加的导通电压不大于开启电压，那就是断掉的

PN结的电容效应：
半导体器件中的C，不是制造出来的，而是带出来的


二极管的开关特性：


二极管导通压降：
二极管，两个电极，单向导电性，
功能：整流
变容二极管，可调电容器
大部分二极管所具备的电流方向性通常称之为“整流
顺向偏压：只允许电流由单一方向通过
逆向偏压：反向阻断

晶体二极管是是一个由p型半导体和N型半导体烧结形成的PN结界面，在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场
当外加电压为零时
由于浓度差引起的扩散电流和自建电厂引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，常态下的二极管特性
现如今二级干大多使用硅或锗

当外界有正向电压偏置时外界电场和自建电场的抑制抵消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流

当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流IO

当外加的反向电压高到一定程度时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增作用，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象 ，PN结的击穿现象由雪崩击穿和齐纳击穿之分

二极管的压降和导通压降:二极管正向导通后，他的正向压降基本不变（硅管0.7，锗0.3 二极管的正向压降）
正向偏置： 正极接在高电位端，
门槛电压：只有当正向电压达到某一数值，二极管才能真正导通 （硅管0.6 锗管0.2）

反向特性：正极接在低电位端
截止状态
二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，这个电流称之为漏电流当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，称为二极管的击穿

二极管的正向导通压降并不是固定不变的，而是和二极管流过的电流、环境温度有关

当温度一定时，流过二极管的电流越大，导通电压越大。

由于二极管的导通压降和流过的电流成正比，减小电流的跳动范围，就可以减小导通压降的变化幅度，在二极管输出端加入10MA

二极管的结电容：低频电路中，结电容的影响可以忽略不记，但在高频电路中，结电容过大能造成电路工作不正常

这不明白

二极管信号已经确定无法修改，而又要降低结电容时？
二极管结电容和其承受的反向电压呈反比，反向电压越大，结电容越小，可以通过增大二极管承受的反向电压来降低二极管的结电容

该看9了