黑猫带你学NandFlash第4篇：NandFlash结构详解

已于 2024-02-20 08:21:20 修改
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分类专栏： 黑猫带你学：Nand Flash详解 文章标签： nandflash 存储芯片 嵌入式硬件 单片机 arm
于 2023-06-24 18:55:02 首次发布
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本文深入讲解NandFlash的结构，包括功能框图、总线、内部register功能以及阵列存储结构。详细阐述了CE/LUN/DIE/PLANE/BLOCK/PAGE/CELL等概念，并以MT29F2G08为例，介绍了常见尺寸。文章强调了数据传输和存储过程中的关键点，如使用cache register提高编程带宽，以及理解各组件在存储操作中的作用。
摘要由CSDN通过智能技术生成

本文依据不同型号NandFlash spec及个人工作经验整理而成，如有错误请留言。
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文章所在专栏：《黑猫带你学：NandFlash详解》

1 功能结构及引脚

1.1 功能框图

以MT29F2G08 nand为例：
在这里插入图片描述

1.2 总线

命令总线：
CE#，CE2#：chip enable，片选使能
对于8Gb，前4Gb使用CE#控制，后4Gb使用CE2#控制，具体每个nand也不一样，还是要看具体情况。

CLE：Command latch enable，命令锁存器
WE#上升沿期间，当CLE为高的时候，

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黑猫带你学NandFlash第8篇：NAND的供电情况详解
黑猫奥利奥的博客
08-25 126
是指在任何工作条件下，设备允许的最大电压、电流、功率以及温度等参数的界限值。
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05-05 5776
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byebyegov5qq
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nandflash详述
kehui123的专栏
07-10 3170
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Nandflash
weixin_45093118的博客
08-28 2048
一、Nandflash原理介绍 Nandflash的内部结构 （1）Nandflash由2048Block组成，每个Block包含64个Page，每个Page大小为2KB+64B； （2）Page是由2KB的存储区域+64Byte的oob区域组成，oob区的作用是存储ECC校验码，不存储数据，CPU会自动忽略掉oob区的存在。 （3）ECC校验是升级版的奇偶校验，8bit数据需要5bit...
Nand Flash
一些个人笔记，写的不好之处，还请海涵
04-30 1027
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02-18 869
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黑猫带你学NandFlash第7篇：NandFlash写操作详解
黑猫奥利奥的博客
02-20 433
编程（写入）操作（programming operation）是用来将数据从cache寄存器或data寄存器搬运到一个或多个plane中。在编程操作中，cache和data寄存器中的数据内容会被内部控制逻辑修改
最新nand flash 规格 spec4.0
11-27
最新nand flash规范，很详细，对理解nand flash工作原理有很大帮助。
NAND Flash Memory Spec资料
06-27
有关NAND Flash Memory的资料
黑猫带你学NandFlash第6篇：NAND寻址（行列地址和block/page/LUN之间的关系）
黑猫奥利奥的博客
11-05 1041
稍微了解一点nand的朋友都知道，nand是由一个一个MOSFET（cell）组成，形成一个阵列结构，同时为了方便管理nand的这些cell，划分了lun、block、page等区域。下面两张图相信大家都是有见过的。个人认为，只要搞清楚上述讲解的几个周期的含义，就一定能搞懂行列地址和block、page、LUN之间的公式，反而这些公式让人不知所云。首先发送的是列地址，其次发送的是行地址。注意，SLC和TLC的寻址方式还不一样：TLC的page address是12bit的，SLC的是10bit的。
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闪存存储器主要分为NOR型和NAND型两种，NOR型闪存有独立的地址线和数据线，它支持按位进行访问，具有高可靠性且随机读取速度较快，但NOR闪存的擦除和写操作速度较慢、容量小、价格昂贵，主要用于存储程序代码并在内存中直接运行。NAND闪存相对于NOR型闪存拥有更大的容量，适合进行数据存储。此外，它类似于传统的机械硬盘，对于小数据块的操作较慢，对于大数据块操作较快。MLC技术具有显著的存储密度优越性，相对于SLC每个单元仅能存储1位比特，MLC可以存储多位比特，但MLC在速度和可靠性方面还有一定的提升空间。
Nand Flash基础知识
一只青木呀
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闪存根据每个单元内可存储的数据量分成SLC（1bit/Cell）、MLC（2bit/Cell）、TLC（3bit/Cell）和QLC（4bit/Cell），成本依次降低，容量依次增大，耐用度也依次降低。要读的单元Wordline=0V，-VT 的管子导通，Bitline端的传感器能够检测到，所以读到“1”，而经过写的+VT的管子不导通，传感器读为“0”。擦除前，浮栅上有可能有电子，Pwell加20V电压，经过足够时间后，由于量子隧道效应，电子从浮栅到沟道里面，完成一个Block的擦除。
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闪存Nand Flash存储结构浅析
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NandFlash存储器由多个Block组成，每一个Block又由多个Page组成，Page的大小一般为2K+64Bytes或512+16Bytes。Page是读取和编程的基本单位，而擦除的基本单位是Block
Mini2440 存储器地址映射
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Mini2440 存储器地址映射   在介绍内存工作原理之前有必要了解下存储设备的存储方式：ROM，RAM l ROM(Read-Only Memory)：只读存储器，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，资料并且不会因为电源关闭而消失。如：PC里面的BIOS。在制造ROM的时候，信息（数据或程序）
NAND Flash工作原理详解：优势与应用
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