三极管和MOS管的应用学习笔记

已于 2024-06-13 19:47:53 修改
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分类专栏： 电子元器件 文章标签： 学习 笔记 硬件工程
于 2024-04-17 19:32:40 首次发布
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本文链接：https://blog.csdn.net/qq_43701785/article/details/137885373
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大学模电中三极管的篇幅很多。
工作和实际应用中可能不会要求用分立元器件搭很多功能复杂的电路
因为直接的集成芯片效果更稳定，更可靠（但是这样成本也会变高，高手还是要会自己搭电路才行）

意义：能够更清晰地去理解电路，实际工作中会用三极管MOS管做一些简单的逻辑控制

封装：

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三极管比较精细的设计的时候还是得看一下器件手册，了解一下be间的导通电压

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实际应用中不能一概而论，有可能0.5V导通，有可能1.2V导通

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手册（极限参数、电气参数）解读：
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三极管做开关时用到了CE间的饱和电压 0.25V
下面的100Mhz是它的截止频率三极管需要在这个条件下面工作
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放大系数 标的通常是最小值，或者实际应用中的一个值，
不是最大值

放大系数随着电流的增加而减小(放大倍数有变化)

Vce的压降 饱和电压 不一定降到0.2以下， 还得看器件手册具体分析一下

功率会随着温度也会打折，所以这个也要考虑

实际应用中要利用好这些电气特性

信号用MOS管：电平转换，反向控制

功率MOS：用来做PWM脉冲控制

外置MOS优点：低成本、灵活性比较高，散热好 例如（PWM+外置MOS 设计电源）

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这个几十块钱成本

价格贵啊，集成IC ，这个几百上千成本呢

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寄生电容
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要看Vgs和导通电阻的 曲线图 查看Vgs和导通速度的快慢问题

应用案例
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起到一个开关的作用，同时做到了信号隔离

经典面试题：MOS管做开关时，是工作在什么区？
截止时是在 。导通是在

导通时，Vds小一点比较好

工作的三个区：
非饱和区：
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三极管做开关时工作在深度饱和区，MOS管做开关时工作在非饱和区

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实际应用中对照手册的这个曲线图，让MOS管工作在非饱和区，

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Vds比较小才是用来做开关，压差大的时候做的应该是放大或者截止

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逻辑电平之间的关系

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反接的话就只相当于一个二极管

三极管做开关的电路

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R2的作用：

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芯片原厂介绍
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根据ZF电子设计，一般下拉上拉电阻去2k
如图展示的是电阻和三极管开关速度快慢的问题（在速率比较低的时候可有可无，但是如果达到10khz，100khz,1Mhz，那个开关速度，就能影响了）
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进入饱和区后的计算

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进入饱和区后的反证法计算，不会因为Ib增大而继续增大

可以反推电阻的计算（低速应用中）

PWM的应用中三极管要注意放电时间，各电阻的阻值，各种计算

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MOS管理电源的一个应用

电平转换电路：

MOS管设计IIC电路
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（为啥不都用一样电平的呢）有些器件就是5V的器件，所以需要电平转换

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硬匠的博客
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