绝缘栅型场效应管

最新推荐文章于 2024-04-24 12:48:58 发布

yangshuodianzi

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分类专栏：元器件文章标签：元器件

本文链接：https://blog.csdn.net/yangshuodianzi/article/details/8992045

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绝缘栅型场效应管，又称MOS管，因其金属-氧化物-半导体结构而得名。MOS管分为增强型和耗尽型，广泛应用在大规模集成电路中。N沟道增强型MOS管在栅极-源极电压超过开启电压时，会在漏极和源极之间形成导电通道，当栅极电压增大，导电沟道增宽，漏极电流也随之增加。随着漏源电压增大，管子进入饱和区，电流由栅极电压决定。

摘要由CSDN通过智能技术生成

绝缘型场效应管的栅极与源极、栅极和漏极之间均采用SiO²绝缘层隔离，因此而得名。又因栅极为金属铝，故又称为MOS管。金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管。它的栅极-源极之间的电阻比结型场效应管大得多，可达10¹⁰Ω以上，还因为它比结型场效应管温度稳定性好、集成化时温度简单，而广泛应用于大规模和超大规模集成电路中。

与结型场效应管相同，MOS管也有N沟道和P沟道两类，但每一类又分为增强型和耗尽型两种，因此MOS管的四种类型为：N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。凡栅极-源极电压U_GS为零时漏极电流也为零的管子均属于增强型管，凡栅极-源极电压U_GS为零时漏极电流不为零的管子均属于耗尽型管。

N沟道增强型MOS管

N沟道增强型MOS管的结构示意图如下。它以一块低参杂的P型硅片为衬底，利用扩散工艺制作两个高掺杂的N⁺区，并引出两个电极，分别为源极s和漏极d，半导体上制作一层SiO²绝缘层，再在SiO²之上制作一层金属铝，引出电极，作为栅极g。通常将衬底和源极接在一起使用。这样，栅极和衬底各相当于一个极板，中间是绝缘层，形成电容。当栅极和源极电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。

工作原理：

当栅极-源极之间不加电压时，漏源之间是两只背向的PN结