六管SRAM存储单元之理解记录

图片来源于电子技术基础 数字部分 （第五版）康华光 主编

为什么T3、T4不是直连接到电源VDD呢？

假设该存储单元内存储了比特“1”，即数据线D被选通后，呈现高电平；

T2、T4、T6三管漏极连接处为1；

T1栅极为1；

T1导通，若T1源极与VDD之间没有T3，与VDD直连的情况下，电源VDD将对地短路； 

所以T1的漏极与VDD之间要加一个T3，而且T3的栅极电压VGG并不等于0，而是介于地与VDD之间的某一个电压处，也就是说T3和T4一直处于放大区的某个点上。由此看来T3和T4在此处分别相当于T1和T2的上拉电阻。

郭天祥--SRAM静态随机存取存储器-随机存储器_哔哩哔哩_bilibili4min35s处，郭天祥老师有提到这一点，但是他说他也没搞明白为什么，在此我特记录我对这个疑问点的理解，若理解有误，还望大佬留言指正，谢谢。