2、基于Cadence617，仿真管子的工艺参数

模拟iC小菜鸡

已于 2023-12-06 10:46:37 修改

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分类专栏： Cadence 文章标签：单片机嵌入式硬件

于 2023-12-06 10:38:56 首次发布

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使用到的软件，cadence617，工艺是tsmc18rf

1、整体思路

根据公式

$id=\frac{1}{2}\mu _{n}C_{ox}\frac{W}L{}(v_{gs}-v_{th})^{2}(1+\lambda v_{ds})$

其中令 $K_{n}=\mu _{n}C_{ox}$

由以上公式和上一章节的V-I特性曲线，可以得到 id、vgs、vds 的关系。

由电路原理图，可以得到管子的尺寸，所以上面的式子只有 $K_{n}$ 、 $v_{th}$ 、 $\lambda$ 的值需要确认。

因此在仿真得到了V-I特性曲线上，找到4个点，带入式子，就可以得到管子的工艺参数的值了。

话不多说，开始吧！！！！！！

2、原理图

3、仿真设置

仿真类型：dc仿真，保存工作点，让vds从0变化到4v

变量设置：vds的初始值给个2v，vgs的初始值给个0.4v （这个地方，初始值不影响结果）

仿真输出：mos管的漏端电流，M0/D

这样仿真出来的结果是id随vds变化的趋势，只有一条曲线，且没有vgs的关系，没办法代入公式计算。

所以，需要再加一个参数扫描，对vgs进行参数扫描，从1v到3v，间隔是0.5v

设置完成，进行仿真。。。。。。

4、结果分析

在上图中，选取4个点，代入公式计算

	vds = 2v	vds = 3v
vgs = 1.5v	255.213 uA	269.553 uA
vgs = 2v	508.841 uA	520.72 uA

将第二列代入以下公式：

$id=\frac{1}{2}\mu _{n}C_{ox}\frac{W}L{}(v_{gs}-v_{th})^{2}(1+\lambda v_{ds})$

且两式相除，如下：

$\frac{255.213}{508.841}=(\frac{1.5-v_{th}}{2-v_{th}})^{2}$ ，可得到 vth = 0.287v

将第二行代入公式，且两式相除，

$\frac{255.213}{269.553}=\frac{1+2\lambda }{1+3\lambda }$ ，可得到 $\lambda$ = 0.063

将id、vth、vgs、vds、 $\lambda$ 、 $\frac{w}{L}$ 带入公式（由原理图知 w = 2u，L = 350n ）可以得到 $K_{n}$

$255.213\mu A=\frac{1}{2}K_{n}\frac{2u}{350n}(1.5-0.287)^{2}(1+2*0.063)$

计算得到 $K_{n}=5.394\times 10^{-5}\frac{A}{V^{2}}$

至此， $v_{th}$ 、 $\lambda$ 、 $K_{n}$ 全部求出来了。

5、验证

算出来后，进行验证。

在原理图中，另 vds = 2.4v ，vgs = 1.8v，将上面计算的值带入，观察求出的 id 和仿真出来的 id

先手动计算一下，

$id=\frac{1}{2}\times 5.394\times 10^{-5}\times \frac{2u}{350n}\times (1.8-0.287)^{2}\times (1+2.4\times 0.063)=406uA$

跑完之后，查看 id 有两种方法。

（1）在原理图上直接显示电压电流

可以看出，此时的 id = 409.604uA

（2）选中某个器件，显示这个器件的所有参数信息

然后会出现一个空白对话框，这时进入电路图，直接选中mos管即可。

找到 id = 409.604uA

6、存在的问题

不知道细心的你，有没有发现，咱手动计算的 vth 和电路原理图中显示出来的mos管的关键信息中的 vth 有较大的偏差。手动计算 vth = 0.287v，电路中显示 vth = 0.78v

所以问题来了，在设计电路时，咱们是按照手动计算出来的工艺参数值来设计的，但是在仿真运行电路时，由于某个值或者某些值之间的偏差，电路的性能指标也会和最开始设计的有所偏差。

那么该怎么办呢？不怕，咱还有一种方法设计电路，gm/id法。

有时间会更新的呦。

7、参考

本文也参考了CSDN上的“菜鸡渣渣一个”的用户。非常感谢！！！！！！

模拟iC小菜鸡

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2、基于Cadence617，仿真管子的工艺参数

使用到的软件，cadence617，工艺是tsmc18rf。
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