目录
开短路测试(Open-short Test)
目的:
又称OS测试,确认测试引脚和ATE连接的完整性同时没有发生短路
OS测试可以快速判断DUT存在的物理缺陷(引脚短路、bond wire缺失、静电损坏、制造缺陷等)也可以判断ProbeCard或Socket出现的连接错误
方法:
结构:OS的一种串行的静态DC测试;每个数字芯片的管脚都有一个二极管用于保护芯片内部,如果二极管损坏,则OS测试可以将其剔除
流程:1.将芯片内部所有的管脚拉到地;同时连接PMU到每一个DUT
2.给一个正向电流大小为100uA到500uA
3.测试连接点的电压
注意:当用PMU驱动电流的时候,要注意钳制电流的设置
优点:串行静态OS测试,可以准确的记录每一个Pin脚的电压数据
缺点:花费的时间成本高(对于有PPPMU结构的程序就不存在)
注意:Openshort也可以用Function Test来完成,同时电源类管脚和信号类管脚的测试方法是不一样,不能照搬
DC电参数测试
术语说明
Hot Switching热切换,容易损坏relay
Latch-up闩锁效应,在管脚下面添加了错误的电压,导致内部CMOS等器件出现损坏
Binning 系统对芯片的自动分类,两种主要的分Binning操作:hard binning、soft binning、Hard binning控制实际物体;
hard binning用于控制软件计数器用于记录合格和不合格的芯片类型
Hard binning数量受设备的限制而Soft binning就没有
Program Flow(工程流)
指的是测试方案中的整个测试程序的流程,对于DC测试前需要先完成功能测试
Test Summary(测试概要)
要表明测试结果的统计,用来分析良率分析,因此需要包含多的消息
例如:总的良品数,测试量,不良种类等
DC测试与隐藏电阻
应用DC测试时通常给电压测电流或者给电流测电压的方式来进行;实际上给电压测电流测的是COM管中间的硅介质中间的所消耗的电流,而给电流测试电压就是硅介质中间的所占据的电压;
整体传导率会跟随不同的测试功能呈现全导通、半导通和不导通。
得到的DC参数我们可以用来排除DUT之外的错误,比如loadbroad或者程序错误;同时我们可以假设他为电阻设计计算出它的阻抗
VOH/IOH
VOH:当器件输出逻辑1的时候需要保证的最小电压
IOH:是当器件输出逻辑1的时候管脚上的负载电流
方法
静态:1.将所有器件输出为逻辑1;同时PMU切换为待测输出管脚
2.启动IOH,同时测量VOH与设置的VOH是否相同
注意:1.VDDmin作为测试最差情况
2.IOH是拉出的电流,ATE上看是附带电流
3.要电压钳制
VOH测试和测试输出端口的阻抗是检验器件输出逻辑为1的时输出管脚的送电能力,
当测试结果出现高于最大限定值的时,多半是器件有问题
注意:在进行DC测试前我们应当先保证预处理的向量是没用问题的;同时VOL/IOL测试时我们应该先确定输出是正确的
IDD Gross Current
IDD的定义有很多种像Drain to Drain电流,Drain对于GND的电流,以及leakage的电流。但是主要把电流分为静态和动态;及正常工作时Drain对于GND的电流和静态状态下Drain对GND的电流
IDD的产生:及Drain和Source导通时,自由电子同附着在和上,导致Drain和Source之间产生电流称为漏电流,COMS电路中称为IDD,TTL电路中称为ICC
Gross IDD的目的
是为了在经过OS测试后判断挑选出功耗大的器件,高功耗意味着结构缺陷Gross IDD越大,其功耗也越大
方法
Gross IDD在CP测试存在,FT测试中可能包含
(1)Reset器件的所有输入管脚设定为固定状态,VIL设置为0,VIH设置为VDD
(2)断开所有管脚;避免负载和输出管脚,输出电流会增加IDD的测量值
初次开发时,如果发现IDD测试很大建议
(1)先用万用表测量是否有IC,测试Socket上电到地后如果发现电阻较小,说明可能是焊接出问题。
(2)电源端的电压是否被下拉
(3)VDDpin的边上通常会放置Bypass电容,而电容的大小也会影响IDD的测试,小可能击穿,大可以导致DELAY的时间不足,提前测量
(4)IC与Test stand的接触不好
边界(limit)的设置通常为观察IDD的均值为2-3倍(出现TBD的时候需要我们实际测试)
故障问题
(1)通过
(2)高于上限
(3)低于下限
不通过时,得先找找非器件的问题:先将器件从Socket取走,空跑程序电流为0;如果不是,说明硬件出现问题。例如移走loadbroad可以检查ATE的是否出现问题。
IDD Static Current
目的:
静态IDD指的是在静态下静态电流Drain到GND消耗的漏电流。对于依靠电池供电的产品很重要。
方法:
(1)Static IDD一定是在测试向量器件预处理为已知后处理,同时进入低功耗状态
(2)测量VDD的电流;
(3)进精度测试可以用精度高的电阻测试ATE的精度
IDDQ
IDDQ指的是CMOS电路中的所有管子都处于静止状态时的的电源总电流,
IDDQ的目的是为了测量逻辑状态验证的时候静止的电流,同时与与标准的静态电流相比较用于提升测试覆盖率。
方法:
IDDQ测试运行一组静态IDD测试的功能序列,使其功能序列内部的独立断点,进行8-12次的独立电流测试;以验证每个断点验证总的IDD电流,使尽可能多的将内部的COMS进行开关切换。
IDDQ测试是为了发现芯片内部的核心电路出现的无法检测出来的损伤。
IDD Dynamic Current(动态的漏电流测试)
器件在活动状态下Drain到GND的测试消耗电流,对于依靠电池供电的产品很重要。
目的:保证器件的功耗在产品书中的范围一致
方法:也是测试流入VDD管脚的总电流
(1)用PMU或DPS在器件在最高工作频率时运行一段连续的测试向量
(2)与书中对比范围
测试故障:
(1)通过
(2)高于上限
(3)低于下限
不通过时,得先找找非器件的问题:先将器件从Socket取走,空跑程序电流为0;如果不是,说明硬件出现问题。例如移走loadbroad可以检查ATE的是否出现问题。