电源完整性的PDN测试与仿真对比分析

一只豌豆象

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分类专栏：电源完整性测试与仿真文章标签：硬件工程经验分享 PDN CST VNA

于 2023-03-20 17:45:08 首次发布

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01 PDN阻抗测量方法

并联直通法在小阻抗范围内具有良好的灵敏度，通常用于测量旁路电容器（这些电容在串联谐振频率附近的阻抗低至毫欧量级），而测量阻抗较高的元器件，例如铁氧体磁珠，使用反射法更为合理，串联直通法目前暂未涉及，从右图曲线来看，更适合于信号滤波器的测量。

图片摘自：“Keysight Technologies – 使用E5061B低频-射频网络分析仪测量直流-直流转换器和PDN应用指南”

02 反射法工作原理

最简单的阻抗测试由单端口网络分析仪（VNA）完成，VNA的源信号通过线缆发射到DUT，返回探测器将拾取反射回来的正弦波，反射信号的强弱取决于DUT和50欧姆系统之间（源以及线缆）阻抗不匹配的程度。

阻抗在1Ω至2kΩ时，测量精度约为10%，但不适用于更低阻抗的测试。

举例说明：当DUT阻抗为1Ω时，S11为-0.96或-0.35dB，较为合理；当DUT阻抗为0.1Ω时，S11为-0.996或-0.035dB，这是一个非常小的反射量，已经很难将其与0Ω区分开，因此，也就不能进行更低阻抗的精准测量。

图片摘自：“Keysight Technologies – Ultra-Low Impedance Measurements Using 2-Port Measurement”

03 反射法的限制区间

如果考虑到电容的实际等效模型，那么单端口阻抗测试的限制点大致是：

R < 0.1Ω，L < 0.1nH，C > 0.1uF

当设计临界以上的条件，则需要引入新的阻抗测试方法。

图片摘自：“Keysight Technologies – Ultra-Low Impedance Measurements Using 2-Port Measurement”

04 并联-直通法工作原理

通过将DUT并联在激励信号线和接地线之间，测量传输系数S21，再从S21推导出DUT的阻抗，S21表示由非常小的并联阻抗导致的高衰减。

如下图所示，假设 $V_{source}$ 做为VNA内部的50欧姆信号源，当其施加到VT端口时，VT端口电压为：

$V_{T}=0.5*V_{source}$ --公式1

S21表达式可以简化为：

$S21=V_{R}/V_{T}$ --公式2

为方便计算，对DUT和接收机的端口阻抗进行了合并：

$R_{X}=Z_{DUT}*R/(Z_{DUT}+R)$ --公式3

05 并联-直通法的探头连接方式

PDN测试有三种探头的连接方式可供选择，本文采用了下图中的(a)选项所描述的焊接方法，但是，由于芯片和电容采用了正反面放置，所以探头测试点最终选在芯片焊接植球处，并对所用芯片的4组0.8V供电网络进行了PDN的测试和仿真数据对比。

图片摘自：“Keysight Technologies – 使用E5061B低频-射频网络分析仪测量直流-直流转换器和PDN应用指南”

06 测试与仿真数据对比

从四路的数据对比可以发现，测试与仿真的差异主要存在于谐振点的表现上：仿真可以很清楚地观察每个电容谐振点的影响情况，而测试不明显或存在偏差，主要是由电容模型与实际使用性能之间的差异、焊接带来的偏差、VNA的校准精度等外在因素所导致，因此，想取得完全一致的结果，存在一定的困难，目前的数据对比结果，基本达到了设计预期，尤其是在谐振点之后的ESL表现形式上，基本是匹配的。

07 电容案例

考虑完常温的表现，高低温时的电容阻抗表现同样不容忽视，从供应商提供的一种1uF三端子电容的高低温及常温模型的阻抗曲线对比结果中，可以得到，较之常温，高低温时的谐振点往高频处发生偏移（因为容值变小，这样的变化也导致在进入谐振点之前的曲线斜率变得更为陡峭），谐振点之后，感抗曲线进一步降低（ESL变小）。

如果单纯考虑该电容的温度性能，常温是worst case，这也就能解释，为什么无需进行高低温的PDN仿真，那么，实际情况会是如何呢？

08 温漂影响

为了验证所用电容在高低温下的PDN性能，热风枪对板上的电容进行高温烘烤，再用冷却剂进行降温，具体操作过程：常温-->100度烘烤5分钟-->100度烘烤10分钟-->回常温-->静置一天-->冷却至极低度-->回常温。

09 PDN温漂测试数据对比

10 电容温漂数据对比

对所使用的电容的温度系数进行了收集对比，发现在温度超过80度时，均会呈现容值下降的趋势，导致谐振点往高频处移动，这与上一页所观察到的部分现象不相符合，说明在高温中，电容不仅仅是容值及ESL的变化，板材是否会发生性能变化，暂未知；

11 总结

通过上述数据的分析对比，可以发现，PDN的测试和仿真，可以达到较好的匹配度，仿真结果基本是可以被相信的，除此之外，总结了一些技巧：

1. 测试时，必须保证线缆焊接的牢固，而且，并联直通法要求两根线缆要焊接在同一个电源引脚、同一个地引脚上；

2. 仿真中，需要开启过孔周围的3D网格细化功能，软件会使用增强的网格质量对过孔及其周边进行二次电流计算，从而得到更为准确的阻抗计算结果，这点对于高频处的ESL计算尤为重要；

3. 仿真中，由于有些电源网络的管脚数量太多，通常会采用等势面的计算方式，而测试中，只能是针对某一个具体管脚的阻抗测量，需调整仿真的配置：对同一个电源引脚，同一个地引脚进行单独的仿真运算；

4. 通常情况下，仿真会采用等势面的计算方式，主要是因为，在BGA内部设计中，电源采用的一个完整的平面，所有的电源引脚会统一接到这一平面上，完整平面会导致感抗的进一步降低以及容抗的进一步提升，因此，等势面计算的结果会优于单引脚计算的结果（小编之前也与做芯片仿真的同行交流过，大概也是这个原因，如理解有误，欢迎指正）；

5. 由于有太多的外在限制因素，比如焊接带来的寄生参数、线缆的校准好坏、电容模型与实际参数的差异、仿真与实际板材信息的差异等等，仿真与测量不可能得到一模一样的结果，但是，只要趋势上能够基本保持一致，仿真就达到了参考的价值；

6. 温度对PDN的影响是综合因素的产物，单纯从电容个体进行考虑，其性能不会变差，但是组合使用后，高低温就产生了不同的效果，相对来说，低温更值得被关注，如果想进行三温的仿真评估，就不得不要求供应商提供更多的参数模型，但是板材的温度变化影响暂时不能在仿真中得到体现。