电源完整性的PDN测试与仿真对比分析

目录

01 PDN阻抗测量方法

02 反射法工作原理

03 反射法的限制区间

04 并联-直通法工作原理

05 并联-直通法的探头连接方式

06 测试与仿真数据对比

07 电容案例

08 温漂影响

09 PDN温漂测试数据对比 

10 电容温漂数据对比

11 总结


01 PDN阻抗测量方法

        并联直通法在小阻抗范围内具有良好的灵敏度,通常用于测量旁路电容器(这些电容在串联谐振频率附近的阻抗低至毫欧量级),而测量阻抗较高的元器件,例如铁氧体磁珠,使用反射法更为合理,串联直通法目前暂未涉及,从右图曲线来看,更适合于信号滤波器的测量。

图片摘自:“Keysight Technologies – 使用E5061B低频-射频网络分析仪测量直流-直流转换器和PDN应用指南” 

02 反射法工作原理

        最简单的阻抗测试由单端口网络分析仪(VNA)完成,VNA的源信号通过线缆发射到DUT,返回探测器将拾取反射回来的正弦波,反射信号的强弱取决于DUT和50欧姆系统之间(源以及线缆)阻抗不匹配的程度。

        阻抗在1Ω至2kΩ时,测量精度约为10%,但不适用于更低阻抗的测试。

        举例说明: 当DUT阻抗为1Ω时,S11为-0.96或-0.35dB,较为合理; 当DUT阻抗为0.1Ω时,S11为-0.996或-0.035dB,这是一个非常小的反射量,已经很难将其与0Ω区分开,因此,也就不能进行更低阻抗的精准测量。

图片摘自:“Keysight Technologies – Ultra-Low Impedance Measurements Using 2-Port Measurement” 

03 反射法的限制区间

        如果考虑到电容的实际等效模型,那么单端口阻抗测试的限制点大致是:

        R < 0.1Ω,L < 0.1nH,C > 0.1uF

        当设计临界以上的条件,则需要引入新的阻抗测试方法。

图片摘自:“Keysight Technologies – Ultra-Low Impedance Measurements Using 2-Port Measurement”

04 并联-直通法工作原理

        通过将DUT并联在激励信号线和接地线之间,测量传输系数S21,再从S21推导出DUT的阻抗,S21表示由非常小的并联阻抗导致的高衰减。

        如下图所示,假设V_{source}做为VNA内部的50欧姆信号源,当其施加到VT端口时,VT端口电压为:             

        V_{T}=0.5*V_{source}         --公式1

        S21表达式可以简化为:     

        S21=V_{R}/V_{T}         --公式2

        为方便计算,对DUT和接收机的端口阻抗进行了合并:     

        R_{X}=Z_{DUT}*R/(Z_{DUT}+R)        --公式3

05 并联-直通法的探头连接方式

        PDN测试有三种探头的连接方式可供选择,本文采用了下图中的(a)选项所描述的焊接方法,但是,由于芯片和电容采用了正反面放置,所以探头测试点最终选在芯片焊接植球处,并对所用芯片的4组0.8V供电网络进行了PDN的测试和仿真数据对比。 

图片摘自:“Keysight Technologies – 使用E5061B低频-射频网络分析仪测量直流-直流转换器和PDN应用指南” 

06 测试与仿真数据对比

        从四路的数据对比可以发现,测试与仿真的差异主要存在于谐振点的表现上:仿真可以很清楚地观察每个电容谐振点的影响情况,而测试不明显或存在偏差,主要是由电容模型与实际使用性能之间的差异、焊接带来的偏差、VNA的校准精度等外在因素所导致,因此,想取得完全一致的结果,存在一定的困难,目前的数据对比结果,基本达到了设计预期,尤其是在谐振点之后的ESL表现形式上,基本是匹配的。

07 电容案例

        考虑完常温的表现,高低温时的电容阻抗表现同样不容忽视,从供应商提供的一种1uF三端子电容的高低温及常温模型的阻抗曲线对比结果中,可以得到,较之常温,高低温时的谐振点往高频处发生偏移(因为容值变小,这样的变化也导致在进入谐振点之前的曲线斜率变得更为陡峭),谐振点之后,感抗曲线进一步降低(ESL变小)。

        如果单纯考虑该电容的温度性能,常温是worst case,这也就能解释,为什么无需进行高低温的PDN仿真,那么,实际情况会是如何呢? 

08 温漂影响

        为了验证所用电容在高低温下的PDN性能,热风枪对板上的电容进行高温烘烤,再用冷却剂进行降温,具体操作过程:常温-->100度烘烤5分钟-->100度烘烤10分钟-->回常温-->静置一天-->冷却至极低度-->回常温。

09 PDN温漂测试数据对比 

10 电容温漂数据对比

        对所使用的电容的温度系数进行了收集对比,发现在温度超过80度时,均会呈现容值下降的趋势,导致谐振点往高频处移动,这与上一页所观察到的部分现象不相符合,说明在高温中,电容不仅仅是容值及ESL的变化,板材是否会发生性能变化,暂未知; 

11 总结

        通过上述数据的分析对比,可以发现,PDN的测试和仿真,可以达到较好的匹配度,仿真结果基本是可以被相信的,除此之外,总结了一些技巧:

        1. 测试时,必须保证线缆焊接的牢固,而且,并联直通法要求两根线缆要焊接在同一个电源引脚、同一个地引脚上;

        2. 仿真中,需要开启过孔周围的3D网格细化功能,软件会使用增强的网格质量对过孔及其周边进行二次电流计算,从而得到更为准确的阻抗计算结果,这点对于高频处的ESL计算尤为重要;

        3. 仿真中,由于有些电源网络的管脚数量太多,通常会采用等势面的计算方式,而测试中,只能是针对某一个具体管脚的阻抗测量,需调整仿真的配置:对同一个电源引脚,同一个地引脚进行单独的仿真运算;

        4. 通常情况下,仿真会采用等势面的计算方式,主要是因为,在BGA内部设计中,电源采用的一个完整的平面,所有的电源引脚会统一接到这一平面上,完整平面会导致感抗的进一步降低以及容抗的进一步提升,因此,等势面计算的结果会优于单引脚计算的结果(小编之前也与做芯片仿真的同行交流过,大概也是这个原因,如理解有误,欢迎指正);

        5. 由于有太多的外在限制因素,比如焊接带来的寄生参数、线缆的校准好坏、电容模型与实际参数的差异、仿真与实际板材信息的差异等等,仿真与测量不可能得到一模一样的结果,但是,只要趋势上能够基本保持一致,仿真就达到了参考的价值;

        6. 温度对PDN的影响是综合因素的产物,单纯从电容个体进行考虑,其性能不会变差,但是组合使用后,高低温就产生了不同的效果,相对来说,低温更值得被关注,如果想进行三温的仿真评估,就不得不要求供应商提供更多的参数模型,但是板材的温度变化影响暂时不能在仿真中得到体现。

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