stm32 Flash闪存

Flash闪存（掉电不丢失的存储器）

1. STM32F1系列的FLASH包含程序存储器（起始地址：0x0800 0000）、系统存储器（起始地址0x1FFFF000）和选项字节（起始地址：0x1FFFF800）三个部分，通过闪存存储器接口（外设）可以对程序存储器和选项字节进行擦除和编程

1. 读写FLASH的用途：
2. 1. 利用程序存储器的剩余空间来保存掉电不丢失的用户数据
3. 2. 通过在程序中编程（IAP），实现程序的自我更新

1. 在线编程（In-Circuit Programming – ICP）用于更新程序存储器的全部内容，它通过JTAG、SWD协议或系统加载程序（Bootloader）下载程序

1. 在程序中编程（In-Application Programming – IAP）可以使用微控制器支持的任一种通信接口下载程序

• 闪存模块组织：

1. 闪存的部分：

• 主存储器：程序存储器，用来存放数据代码的，这个C8T6芯片自带的flash（只有64K（页），中容量的一半）只有一个单位就是页（1KB），不像W25Q64那样有块、扇区、页那么复杂并且分页是为了更好的管理闪存，同时擦除和写保护都是以页为单位的。

注：地址只要以000、400、800、C00结尾的都是页的起始地址

• 信息块：

1. 启动程序代码（程序存储器）：存放原厂写入的bootloader，用于串口下载，
2. 用户选择字节（选项字节）：存放一些独立的参数

注：平时说的，芯片闪存容量是64K，128K是主存储器容量，信息块里的东西虽然也是闪存，但是并不统计在这个容量里面。

1. 闪存的管理员部分：

• 闪存存储器接口寄存器：这些存储器就是用来控制擦除和编程这个过程的，实际并不算flash，因为他们地址首位都是4开头，基本和GPIO、定时器等等是一个性质的东西。并且这些存储器它们的存储介质，也都是SRAM。

注：闪存存储器接口寄存器里包括了KEYR键寄存器，SR，CR等等寄存器，外设起始地址为0x4002 2000，每个寄存器都是4个字节（32位）

1. Flash的基本结构图：

整个闪存分为程序存储器、系统存储器、选项字节三部分。

闪存存储器接口（也称为闪存编程和擦除控制器（FPEC））：

它可以对程序存储器进行编程和擦除，同时也可以对选项字节进行擦除和编程

选项字节：

选项字节里有很大一部分配置位，主要是用来配置主程序存储器的读写保护

1. Flash的解锁操作（配置FPEC（闪存编程和擦除控制器））

1. FPEC共有三个键值：
2.      RDPRT键 = 0x000000A5
3.    KEY1 = 0x45670123
4.      KEY2 = 0xCDEF89A

1. 解锁操作：
2. 1. 复位后，FPEC被保护，不能写入FLASH_CR

(就是复位后flash默认是锁着的）

2. 在FLASH_KEYR先写入KEY1，再写入KEY2，解锁

3. 错误的操作序列会在下次复位前锁死FPEC和FLASH_CR

(就是发现有程序在尝试撬锁，没有按照先key1再key2的操作开锁，整个模块就会锁死，除非复位)

1. 加锁操作：
2.      设置FLASH_CR中的LOCK位锁住FPEC和FLASH_CR

• 如何使用指针访问存储器：

因为stm32的内部存储器都是挂在总线上的，所以想读写某个寄存器就很简单直接使用c中的指针访问即可。

volatile是c语言中的关键字，直译是易变的数据

volatile的作用是：

添加一个安全保障措施，防止编译器优化；

编译器优化等级：用途是可以去除无用的繁杂代码，降低代码空间，提升运行效率。

Keil编译器默认情况下是最低优化等级，如果要提高编译器优化等级编译器在有些地方就会弄巧成。总之，如果想运用一些方法完成或实现某种功能就在变量定义前面加上volatile告诉编译器不要将其优化掉了，原封不动的去执行即可。

• 其中：   

#define    __IO    volatile

• 使用指针读指定地址下的存储器（不用解锁）：
•      uint16_t Data = *((__IO uint16_t *)(0x08000000));

将0x08000000强制类型转换成uint16_t * 类型且是防止编译器优化的类型，然后用*取出指针内容。

• 使用指针写指定地址下的存储器：
•      *((__IO uint16_t *)(0x08000000)) = 0x1234;

先给定地址，再强转为指针，最*号取内容

同时，闪存在程序运行时，是只读的，不能轻易更改，而现在需要对闪存进行修改，所以需要权限较高，需要提前解锁，并且还要套一个下面的程序存储器编程过程的流程。

1. 程序存储器编程图（写入）

Stm32的闪存会在写入之前检查指定地址有没有擦除，如果没有擦除就写入，stm32就不执行写入操作。除非写入的都是0，这个除外因为不擦除写入会导致写入错误。

流程：

1. 读取lock位，查看锁没锁，锁住执行解锁操作
2. 置CR寄存器的PG（Programming）为1，表示即将写入数据。
3. 在指定的地址写入半字（16位）（同时也是触发），就是用上面的使用指针在指定地址写入数据

注：写入操作，只能以半字（16位的形式）的形式写入

1. 因为擦除是要时间的，所以程序要执行等待，也就是判断BSY（busy）位是否为1，busy位表示芯片是否处于忙状态，为1表示芯片在忙，所以这里要一直等到BSY位0，跳出循环
2. 最后，读出并验证所有页的流程，这个是验证程序干的，我们不需要执行这个操作。

• 程序存储器页擦除

Stm32的闪存也是写入前必须擦除，擦除后，所有数据位变为1

擦除的最小位就是1页（1K（1024字节））

流程：

1. 读取lock位，查看锁没锁，锁住执行解锁操作

2． 置CR寄存器里的PER（Page Erase）位为1，然后在AR地址寄存器中选择要擦除的页，最后置CR寄存器中STRT（Start）位（触发位）为1，当触发位为1时，芯片开始运行

然后芯片看到PER位置1，就会执行页擦除流程，同时查看Address Register中的数据指定地址。

1. 因为擦除是要时间的，所以程序要执行等待，也就是判断BSY（busy）位是否为1，busy位表示芯片是否处于忙状态，为1表示芯片在忙，所以这里要一直等到BSY位0，跳出循环
2. 最后，读出并验证所有页的流程，这个是验证程序干的，我们不需要执行这个操作

1. 程序存储器全擦除：

作用：将所有页都擦除掉

流程：

1. 读取lock位，查看锁没锁，锁住执行解锁操作
2. 置CR寄存器里的MER（Mass Erase）位为1，然后再置STRT（Start）位（触发位）为1，当触发位为1时，芯片开始运行

然后芯片看到MER位置1，就会执行全擦除流程

1. 因为擦除是要时间的，所以程序要执行等待，也就是判断BSY（busy）位是否为1，busy位表示芯片是否处于忙状态，为1表示芯片在忙，所以这里要一直等到BSY位0，跳出循环
2. 最后，读出并验证所有页的流程，这个是验证程序干的，我们不需要执行这个操作。

注：这三个操作库函数已经封装好了，直接调用整体函数即可。

1. 选项字节：

这个图中是选项字节（16个字节）的展开

同时有些位前有个n，意思是例如RDP和nRDP，就是在写入RDP的数据时，同时也要在nRDP中写入与之对应的反码，其他的也是一样，写入的同时要在带n的对应的寄存器中写入反码，这样写入才有效。这是个安全措施，同时硬件会自动帮我们检查，不需要调试。

RDP：Read Protect（读保护配置位）若写入RDPRT键（0x000000A5）后解除读保护

USER：配置硬件看门狗和进入停机/待机模式是否产生复位

Data0/1：用户可自定义使用

WRP0/1/2/3：配置写保护，一共32位，每一个位对应保护4个存储页（中容量产品）

1. 选项字节的编程：

1. 检查FLASH_SR的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作
2. 解锁FLASH_CR的OPTWRE位（选项字节的解锁）
3. 设置FLASH_CR的OPTPG位为1（即将进入写入选项字节）
4. 写入要编程的半字到指定的地址
5. 等待BSY位变为0
6. 读出写入的地址并验证数据

1. 选项字节的擦除：

1. 检查FLASH_SR的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作
2. 解锁FLASH_CR的OPTWRE位（选项字节的解锁）
3. 设置FLASH_CR的OPTER位为1（选择字节开始擦除）
4. 设置FLASH_CR的STRT位为1
5. 等待BSY位变为0
6. 读出被擦除的选择字节并做验证

• 器件的电子签名

1. 电子签名存放在闪存存储器模块的系统存储区域，包含的芯片识别信息在出厂时编写，不可更改，使用指针读指定地址下的存储器可获取电子签名

1. 闪存容量寄存器：
2.      基地址：0x1FFF F7E0
3.      大小：16位

1. 产品唯一身份标识寄存器：
2.      基地址： 0x1FFF F7E8
3.      大小：96位