一文汇总—常用器件—选型关键参数

最新推荐文章于 2025-03-19 14:06:27 发布

虎年猛冲

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文章标签：智能硬件

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电阻选型

1. 精度。一般有0.1%、1%、5%、10%、15%、25%等。

2.温度系数（温漂）的单位为PPM（百万分之一）,一般的电阻阻值会随温度的上升而上升，对于环境温度变化很大的情况需要着重考虑这些参数。

3.功率。功率越大，流过电流越大。

电感选型

1.感值范围及精度。

2.直流电阻：DCR即DC resistor，电感能够通直流，但是还是有直流电阻的，DCR的大小会影响通过电感电流所导致的发热功率。

3.自谐振频率:电感值越大，其对应的自谐振频率越小。（高于自谐振频率，呈容性；低于自谐振频率，呈感性）；

4.Q值，也叫品质因数，是指电感器在某一频率下的交流电压下工作时，所呈现的感抗与其等效阻抗之比。电感的Q值越高，其损耗越小，效率越高；

5.额定电流：额定电流即设计上最大的可用电流，有两种：Isat和Irms；

Irms是温升电流：在热量不损坏电感的情况下，最大允许持续流过的电流；普遍的标准是电感温度上升到40℃时的电流，

Isat为磁饱和电流：带有磁芯的电感，当电流增大到一定程度时，磁场强度不再增加，继续增大电流则元件的电感量将迅速下降。在选型电感时，需要注意如下几点问题：

（1）在进行电感选型时，需要参考Isat和Irms中较小的那个参数；

（2）电感电流选型参考的是电路系统工作时的峰值电流；

（3）电感电流选型时一定注意需要降额设计，一般降额0.7左右。

电容选型

1.容值。

2.精度：电容的话5%即为精度非常高的了。一般精度为5%、10%、25%等；

3.温度系数：电容的电容量会随着温度的上升而下降，同样电容的温度系数的单位为PPM,比如一个0.1μF、250ppm的电容，温度每升高1℃，其电容量要降低

4.额定电压（耐压值）

电容的电容量会随着其两端的电压增大而减小。理论上电容的耐压要比所处环境的电压最大值大即可实际使用时需要留有20% 的裕量，比如某处的电压最高为8V,则需要选用耐压为10V以上的产品。特别是钽电容，它是一种有极性电容，接反必爆炸，必起火。再就是钽电容的耐压必须留有50% 的裕量，比如某处的电压最高为8V,则需要选用耐压为16V以上钽电容，否则产品极不稳定。

5.温度范围：电容必须在其规定的温度范围内使用，比如电解电容一般使用于105℃以下，留有一定的裕量（比如最多使用在85℃的场合）。150℃的高温应用可以选用钽电容和NP0电容。

6.等效串联内阻（ESR）

非常重要，越小越好。一般的DCDC电源的输出端需要ESR极低的电容，一般可以选用MLCC电容，钽电容等。

MOS管选型

1、ID：最大漏电流；漏电流是MOS管最重要的参数之一，这个参数在工程经验中一般选为电机绕组电流最大值（是相电流还是线电流要看接法，必须是通过MOS的电流）的2~3倍，但是这个倍数并非完全遵循，实际设计中有很大的弹性，很需要注重实际应用场景和成本。原则是电机控制器中流过的最大电流不能超过MOS的漏电流极限值，否则会击穿MOS。且这一参数会随着温度变化。

2、VDSS：最大漏电压，漏源电压也是MOS管最重要的参数之一，这个参数在工程经验中一般选为母线电压最大值的1.5~2倍。与漏电流一样，这个倍数并非完全遵循，实际设计中有很大弹性。原则是保证系统出现的最大电压不会使MOS管击穿。

3.VGS：最大栅极电压，栅极和源极之间的电压为MOS管的开通电压，这个电压高于某值时MOS管实际已经开通，只是开通的程度不同，这里加载的电压不能超过最大开通电压。

4.VGS（th）：阈值栅极电压，高于阈值栅极电压，MOS管将被开通。阈值栅极电压（开通电压）这一参数与驱动芯片的选型有很强的关联性，后面章节详述，选择驱动芯片是必须提供能使MOS管开通的栅极电压。这一参数在参数表上有最大和最小值，可以理解为，达到最小值时MOS管已经开始开通，达到最大值时MOS管完全开通。