CREE第二代SiC MOSFET驱动电路原理图及PCB板设计)

MOSFET驱动电路原理图及PCB板设计)

电路原理图

整个驱动电路分为三个部分。
一个是光耦隔离电路，负责把功率侧和逻辑侧隔离开来，防止强电侧电路干扰弱点侧电路。与传统的隔离措施相比，光耦隔离具有体积小、成本低、电磁兼容强的特点。这里选择的光耦隔离芯片是ACPL-4800,隔离电压高达3.75kVRMS。
一个是功率放大电路，负责给SIC开关管的开通与关断提供驱动电流。这里选择的芯片是IXDN-609，输出峰值电流为9A。
最后一个是隔离电源，负责给光耦隔离电路和功率放大电路提供驱动电压，也负责提供SIC的开通关断电压的参考值。这里采用的隔离电源芯片是QA01C，输入为+15V，输出为+20V，0V，-4V

光耦隔离电路和功率放大电路原理图

电路的优点：
1、用二级管将栅极开通关断电阻分开，能够通过实验分别调整开通关断电阻的阻值，获得更好的开通关断波形。
2、R12可以在开关管关断后给栅源电容放电，防止管子击穿。

隔离电源电路原理图

电路的优点：
1、设计QA01C输入滤波电路，增加抗EMI干扰的能力。
2、由于ACPL-4800的供电电压幅值为4.5V-20V&