《数字电子技术基础》3.3 CMOS门电路（上）

前言

《数字电子技术基础》第3.3节学习笔记，本部分为前半部分主要学习CMOS门电路基础知识。

关于后半部分的连接如下，主要是CMOS构成的其他门电路

《数字电子技术基础》3.3 CMOS门电路（下）_FPGA-桥的博客-CSDN博客CMOS构成的与非门’、或非门、与门、或门等。OD门介绍、传输门、三态门。及一些CMOS电路注意事项。https://blog.csdn.net/ARM_qiao/article/details/124254435

3.3.1 MOS管的开关特性

CMOS是以金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOS管）作为开关器件的。

一、MOS管的结构和工作原理

这个视频讲的导通原理非常清楚。

MOS管的工作原理（8分钟看懂）_哔哩哔哩_bilibilihttps://www.bilibili.com/video/BV1Si4y1R7fs/?spm_id_from=333.788.recommend_more_video.0当然也可以看王老师讲的模电这门公开课

【电子】数字电子技术基础（数字电路/数电） 清华大学 王红主讲_哔哩哔哩_bilibili教材《数字电子技术基础》阎石主编；清华大学 王红主讲本人将陆续上传各种大学课程 主要以数学 物理 计算机 材料等理工科专业为主此视频为电子类专业的数电 适合有一定的电路分析 模电基础的人观看https://www.bilibili.com/video/BV18p411Z7ce?p=9这里简单说一下，这里以N沟道耗尽型进行说明：

G（Gate）栅极（即模电中的基极）是MOS管的导通控制端。

S（Source）源极（即模电中的发射极）可以理解为导通时电子的来源，接负极。

D（Drain）漏极（即模电中的集电极） 可以理解为导通时电流从该极流出，接正极。

B:P型衬底，其符号中的箭头表示当G外加正极时电子的流向。

导通原理请看上面两个视频讲解，这里不详细介绍。

二、MOS管的输入输出特性

漏极特性曲线可以分为三个工作区，

(MOS管导通电压)时，DS之间并没有形成导电沟道，DS之间截止，其内阻可达10e9Ω以上，此时称为截止区。

时，DS之间形成导电沟道，且导电沟道的宽窄与G极施加电压大小有关。

其MOS管导通电阻与G施加电压关系：

上式表明，时，等效电阻与G施加电压成反比。

当vGS一定是，D的电流大小由G极施加的电压大小有关，其关系式：

 

 三、MOS管的基本开关电路

 三种导通状态，截止区、放大区、导通区，要注意放大区

且vDS较高的情况下，MOS管工作在恒流区，随着v1的升高iD增加，vo随之下降。由于iD与v1变化量之间不是正比关系，所以电路工作在放大区。

四、MOS管的开关等效电路

 五、MOS管的四种类型

3.3.2 COMS反相器的电路结构和工作原理 

这一部分最好参照清华大学王老师的视频课进行学习。

一、CMOS反相器的电路结构

 

 二、电压传输特性和电流传输特性

 由图可以看出Vi为栅极电压，AB段为T1导通，T2截止；CD段为T1截止，T2导通；BC段T1和T2同时导通，阈值电压为Vth ≈ 1/2VDD。其BC段的转折区变化率很大，因此它更接近于理想的开关特性。

与输入输出电压变化相对应的，漏极电流随输出电压而变化的曲线，即所谓的电流传输特性曲线。

AB、CD段，T2和T1必有一个为截止状态，其内阻非常高，流过T1和T2的漏极电流几乎等于0。

BC段，T1和T2同时导通，有电流流过T1和T2，而且在附近最大，考虑到开关期间的用途，不应该长期工作在电流传输特性的BC段，随着切换频率的升高，其功耗也会上升，以防止器件因功耗过大而损坏。

三、输入噪声容限

在开关电路中，开关的输出变化分为内，允许输入的变化范围称为输入噪声容限。

CMOS电路的噪声容限的大小是和VDD有关。

 VDD越高，噪声容限越大，但是当VDD高时，CMOS工作在放大区器件的功耗也随之升高。

 3.3.3 CMOS反相器的静态输入特性和输出特性

一、输入特性

从反相器的输入端来观察输入电压与输入电流的关系。

由于MOS管的栅极G和衬底B之间存在着以二氧化硅为介质的绝缘层，形成输入电容。但是绝缘层非常薄（约1000A），极易被击穿（耐压约100V），所以必须要采取保护措施。

 

 根据以上保护电路使CMOS输入工作保持在输入电压为【-0.7V ~ VDD+0.7V】。

 二、输入特性

1.低电平输出特性

当输出为低电平时，反相器的P沟道管（上面）截止（可以等效为一个大电阻）、N沟道管导通。为得到其输出特性，需要使N沟道管工作在线性区，其输出特性为:

从右边那张图可以看出VDD越大时，N沟道管的形成的沟道越宽，其电阻值也越小（在图中表现成斜率），其VOL越接近于0。

 2. 高电平输出特性

从右边那张图可以看出VDD越大时，N沟道管的形成的沟道越宽，其电阻值也越小（在图中表现成斜率），其VOH越接近于VDD。

 3.3.4 CMOS反相器的动态特性

一、传输延迟时间、

在CMOS反相器发生变化时，输出一定会滞后输入变化一段时间。

滞后时间来源于栅极与衬底之间的等效电容，MOS管在变化时也会等效成一个电阻，故组成了一个RC电路，最终导致时延的产生。由负载电容充放电所产生，为了减小MOS管的导通电阻，应当尽可能地提高电源电压和输入信号的高电平（提高电压功耗也会升高）。

二、交流噪声容限

 三、动态功耗

静态功耗近似为0，即稳定的处于0、1的某一个状态。动态功耗表示CMOS管从一个稳定态跳变成另一个稳定态时的功耗。动态功耗分为两部分，一部分为负载电容充、放电所消耗的功率；另一部分是由于两个MOS管T1和T2在短时间内同时导通所消耗的瞬时导通功耗。

 3.3.5 其他类型的CMOS门电路，请参考CMOS门电路的后半部分：《数字电子技术基础》3.3 CMOS门电路（下）_FPGA-桥的博客-CSDN博客https://blog.csdn.net/ARM_qiao/article/details/124254435