PNP+NMOS用于充电的原理解释
作者:AirCity 2019.10.19
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MT2503和展讯SL8521E线性充电方案,都需要外部的PNP+NMOS芯片配合。MT2503搭配WILL的WPT2N32,SL8521E搭配WILL的WTP2N31。两者的原理框图如下:
两个芯片PIN定义不同,封装大小相似,且内部原理也是一样的!
它们的区别在于WPT2N31内部把PNP的b极与NMOS的D极连接到了一起,而WPT2N32没有这么做。
如果把WPT2N32的第2和3脚连接,其功能与WPT2N31是一样的。
以展讯的SL8521E为例解释这个充电原理,如下是展讯推荐的充电电路:
VCHG_D是插入充电器的检测(Detection)信号,发送给PMU。紫色圈住的部100ohm电阻是为了防止外部浪涌打坏PMU;
VCHG(Vbus),通过10K连接到NMOS的栅极,为NMOS提供Vgs电压。串联的电阻可以再大一点,因为这个地方电流很小(MOS管是电压控制器件)。
黄色电流路径是Vbat充电电流控制路径,从VCHG取电,流经PNP的e极-b极,之后经过NMOS的D极和S极,进入PMU的VDRV管脚。PMU通过控制进入VDRV的电流,来控制绿色路径充电电流的大小。PNP一直工作在线性放大状态。
绿色路径是实际的充电电流路径,流经PNP的e极,c极,然后进入电池。黄色电流和绿色电流肯定有一个比例关系,这个比例关系就是PNP的HFE。实际做了一组测试,当绿色电流是327mA时,黄色电流是1.09mA,倍数关系是300。规格书中如下图示,此时HFE为250。考虑到测量误差,温度误差,数据基本能对应上。
问题1.PMU是如何控制黄色电流,来保证实际的充电电流等于设置的电流呢?
黄色电流与红色电流之间,肯定存在一个负反馈,形成一个稳定的负反馈系统,在这个系统里面,负反馈的变量主要包括68mohm两端电压,Vbat电压,VCHG电压,这三个变量经过PMU内部的复杂电路逻辑,最后在VDRV上形成一个电压,这个电压变化,会导致NMOS的Vgs变化,进而引起NMOS的D极到S极的电流变化。
问题2.为什么不单独用一个PMOS,省去了一个三极管岂不是更省钱?
展讯确实有这样的方案,可以用一个PMOS来实现,但存在一个问题,PMOS内部存在一个寄生二极管,会导致Vbat往VCHG灌电,因此必须增加一个大功率的肖特基二极管,这会引起发热和压降,如下图:
问题3. 为什么不单独用一个PNP,b极直接接到VDRV来控制e极到c极的电流?
如下图,当不充电的时候,Vbat会通过PNP的c极,往VDRV管脚漏电,这个漏电可能是几十个微安,但是也相当高了,一个PNP的存在可以阻断这种漏电。