PNP+NMOS用于充电的原理解释

PNP+NMOS用于充电的原理解释

作者:AirCity 2019.10.19
aircity007@sina.com

MT2503和展讯SL8521E线性充电方案,都需要外部的PNP+NMOS芯片配合。MT2503搭配WILL的WPT2N32,SL8521E搭配WILL的WTP2N31。两者的原理框图如下:
在这里插入图片描述在这里插入图片描述

两个芯片PIN定义不同,封装大小相似,且内部原理也是一样的!
它们的区别在于WPT2N31内部把PNP的b极与NMOS的D极连接到了一起,而WPT2N32没有这么做。

如果把WPT2N32的第2和3脚连接,其功能与WPT2N31是一样的。

以展讯的SL8521E为例解释这个充电原理,如下是展讯推荐的充电电路:
在这里插入图片描述
VCHG_D是插入充电器的检测(Detection)信号,发送给PMU。紫色圈住的部100ohm电阻是为了防止外部浪涌打坏PMU;

VCHG(Vbus),通过10K连接到NMOS的栅极,为NMOS提供Vgs电压。串联的电阻可以再大一点,因为这个地方电流很小(MOS管是电压控制器件)。

黄色电流路径是Vbat充电电流控制路径,从VCHG取电,流经PNP的e极-b极,之后经过NMOS的D极和S极,进入PMU的VDRV管脚。PMU通过控制进入VDRV的电流,来控制绿色路径充电电流的大小。PNP一直工作在线性放大状态。

绿色路径是实际的充电电流路径,流经PNP的e极,c极,然后进入电池。黄色电流和绿色电流肯定有一个比例关系,这个比例关系就是PNP的HFE。实际做了一组测试,当绿色电流是327mA时,黄色电流是1.09mA,倍数关系是300。规格书中如下图示,此时HFE为250。考虑到测量误差,温度误差,数据基本能对应上。
在这里插入图片描述
问题1.PMU是如何控制黄色电流,来保证实际的充电电流等于设置的电流呢?
黄色电流与红色电流之间,肯定存在一个负反馈,形成一个稳定的负反馈系统,在这个系统里面,负反馈的变量主要包括68mohm两端电压,Vbat电压,VCHG电压,这三个变量经过PMU内部的复杂电路逻辑,最后在VDRV上形成一个电压,这个电压变化,会导致NMOS的Vgs变化,进而引起NMOS的D极到S极的电流变化。

问题2.为什么不单独用一个PMOS,省去了一个三极管岂不是更省钱?
展讯确实有这样的方案,可以用一个PMOS来实现,但存在一个问题,PMOS内部存在一个寄生二极管,会导致Vbat往VCHG灌电,因此必须增加一个大功率的肖特基二极管,这会引起发热和压降,如下图:
在这里插入图片描述
问题3. 为什么不单独用一个PNP,b极直接接到VDRV来控制e极到c极的电流?
如下图,当不充电的时候,Vbat会通过PNP的c极,往VDRV管脚漏电,这个漏电可能是几十个微安,但是也相当高了,一个PNP的存在可以阻断这种漏电。
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PMOS+NMOS半桥是一种常见的电路拓扑结构,用于实现功率开关和信号放大等应用。在这种半桥结构中,PMOS管NMOS管被串联连接,形成一个开关电路。PMOS管NMOS管的工作原理有所不同。 PMOS管是一种P沟道MOS管,其栅极与源极之间的电压控制着漏极和源极之间的电流流动。当栅极电压低于源极电压时,PMOS管导通,电流可以从漏极流向源极。当栅极电压高于源极电压时,PMOS管截止,电流无法通过。因此,PMOS管的导通与截止是由栅极电压控制的。 NMOS管是一种N沟道MOS管,其栅极与源极之间的电压控制着漏极和源极之间的电流流动。当栅极电压高于源极电压时,NMOS管导通,电流可以从源极流向漏极。当栅极电压低于源极电压时,NMOS管截止,电流无法通过。因此,NMOS管的导通与截止也是由栅极电压控制的。 在PMOS+NMOS半桥中,通过控制PMOS管NMOS管的栅极电压,可以实现对电路的开关控制。当PMOS管导通时,NMOS管截止,电路处于高电平状态;当NMOS管导通时,PMOS管截止,电路处于低电平状态。通过交替控制PMOS和NMOS的导通与截止,可以实现电路的开关功能。 总结来说,PMOS+NMOS半桥是一种常见的电路拓扑结构,通过控制PMOS和NMOS管的导通与截止,实现电路的开关控制。\[1\]\[2\]\[3\] #### 引用[.reference_title] - *1* *2* [三极管 vs MOS管 | PMOS与NMOS](https://blog.csdn.net/qq_27741499/article/details/128418648)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^insert_down1,239^v4^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item] - *3* [H桥和NMOS,PMOS理解](https://blog.csdn.net/weixin_45003321/article/details/125177901)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^insert_down1,239^v4^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item] [ .reference_list ]
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