电子元器件选型与实战应用—02 电容选型第1篇(8000字)

0. 电阻选型案例回顾

• 电子元器件选型与实战应用—01 电阻选型

电阻选型文章中，给大家留了两个问题。

问题1：这是一个简单的ADC分压采集电路，R1和R2分别用多大的封装？

答：从电流来看，流过此电路，最大电流I=50V/(100K+100K)=0.25mA。从电阻封装和电流对应关系来看，最小封装也能cover住。

从电压看，R1上的最大电压能到50V，从下图封装和工作电压对应关系看，R1要选择0603及以上大小封装。

R2上的最大电压，也就是ADC的分压，$V_{ADC}=50\ast 100/(100+100)=25V$。根据下图，R2要选择0402及以上大小封装。

问题2：R10选择多大的封装、精度、阻值，阻值选100k和1M有什么区别？

首先这是一个简单的反相器，MCU_CTRL为高时，OUTPUT为低。MCU_CTRL为第时，OUTPUT为高。

R10在这里作为MOS管G极下拉电阻，起到固定电平作用，这是因为MOS管的G极阻抗非常大，加上很小的静电都可能导致MOS管误导通。

R10的精度选5%就可以了，这里主要是下拉。

封装选0201，0201的工作电压在25V，MCU_CTRL作为MCU的GPIO，一般电压是1.8V 3.3V居多。当然这个根据产品的形态，也可以选择更小封装，或者更大封装，比如智能手表，因为PCB空间紧凑，可以选01005封装。工业的板子，因为空间大， 也可以用0805，0603这种。

但是电阻封装的选型，心里面得有一个很强的概念。

然后是阻值，正常情况下，100K和1M作为下拉都是没有问题的。这里针对低功耗的应用，需要考虑功耗。

• 当选100K时，MCU_CTRL为高时（假设为3.3V），此时在R10上消耗的电流I1=3.3/100K；
• 当选1M时，MCU_CTRL为高时，此时在R10上消耗的电流I2=3.3/1M；

可以看出，选1M时，功耗要小一些。这是选100K和1M最大的区别，在低功耗应用电路中，这个概念是一定要有的。

简单总结：电阻选型，阻值看电路计算，看功耗；精度看应用；封装看电流，看电压。

列举这两个很简单的案例，其他复杂电路的电阻选型，其实都是这个思路，基础非常重要。

这是《电子元器件选型与实战应用》专栏的第二篇文章，今天的主角是电容，电容非常重要，一个高档的智能手机中，会用到上千个MLCC陶瓷电容，也是电路中用的最多的电子元器件。

1. 入门知识

1.1 基础

电容是指容纳电荷的能力，英文Capacitance，电路中一般简写为C，单位是法拉，简称法，符号是F。

电容基本单位是F，$1F=10^{6}uF$，F的单位非常大，一般电路中很少用到，超级电容会用到F级别的。

常用的是uF、nF、pF，换算关系：$1uF=10^{3}nF=10^{6}pF$

电容的定义式为：

$$C=\frac{Q}{U}$$

可以看出，在电荷量Q一定时，电压越小，电容越大；在电压U一定时，电荷量Q越大，电容越大。但是，电容的实际大小并不是有电荷量Q和电压U决定的。

这里需要介绍电容的决定式：

$$C=\frac{\epsilon S}{4\pi kd}$$

其中：

• ε是相对介电常数；
• S为电容两极板的正对面积；
• d为电容两极板之间的距离；
• k是一个常量，静电力常量；

可以看出：电容的大小和面积S成正比，和距离d成反比。这个公式非常重要，PCB设计中，减少寄生电容，会用到。这里不展开说，后面在晶振选型章节中，会着重讲解。

1.2 串并联

电容也可以进行串并联，和电阻串并联的计算正好相反、

• C1和C2并联，等效电容C为：C=C1+C2，如果C1>>C2，则C≈C1；
• C1和C2串联，等效电容C为：$C=\frac{C1C2}{C1+C2}$，如果C1>>C2，则C≈C2；

1.3 常用容值

电容和电阻一样，也不是每个容值都有，电容的标准容值是按照E6、E12、E24数值标准，如下：

• E6系列取值：1.0、1.5、2.2、3.3、4.7、6.8乘以10的n次方；
• E12系列取值：1.0、1.2、1.5、1.8、2.2、2.7、3.3、3.9、4.7、5.6、6.8、8.2乘以10的n次方；
• E24系列取值：1.0、1.1、1.2、1.3、1.5、1.6、1.8、2.0、2.2、2.4、2.7、3.0、3.3、3.6、3.9、4.3、4.7、5.1、5.6、6.2、6.8、7.5、8.2、9.1乘以10的n次方；

在电路设计中，常用的容值有：

• pF级别：39、43、47、51、56、100、150、200、220、270、300、330、390、470、560、680等等；
• nF级别：1、1.2、1.5、2.2、2.7、3.3、10、22、33等等；
• uF级别：0.1、0.15、0.22、0.33、0.47、1、2.2、4.7、10、22、47、100等等；

1.4 常用品牌

常见的电容品牌如：Yageo国巨、Samsung三星、Walsin华新科、Eyang宇阳、Murata村田、Taiyo太诱、Fenghua风华、Kyocera京瓷、HEC禾伸堂、Kemet基美、ISND华信安、AVX、TDK、Nichicon尼吉康、Panasonic松下、SANYO三洋等等。

因为电容种类较多，其中MLCC、点解电容、钽电容用的较多。

其中MLCC，国内比较好的，yageo国巨、Fenghua风华、Walsin华新科等等。国外比较好的，Murata村田、Taiyo太诱、Samsung三星等等。

电解电容，做的比较好的有：Nichicon尼吉康、SANYO三洋、Fenghua风华、AVX等等。

钽电容，做的比较好的有：AVX、KEMET、VISHAY威世、Nichicon尼吉康等等。

以上，在选型时，可以作为参考。

2. 参数详解

2.1 静电容量

静电容量指电容标称的容量，通常是室温25℃，在一定频率和幅度的交流信号下测得的容量。

下图是日本工业标准JISC 5101-1-1998规定的静电容量的测试条件。

10uF以上的电容，测量频率是120Hz，测量电压是0.5V左右。

村田公司执行的电容容量测试标准，是下图这种，和上面的差不多。

2.2 额定电压

额定电压，指允许加在电容上的最大直流电压。

一般降额70%使用，主要是为了保证长期稳定的可靠性。

也就是说10V额定电压的电容，默认它的耐压是7V，对于7V以上的电路， 此时10V电容就不太合适，建议选择更高电压规格的。

比如下图是KEMET T543系列电容推荐的降额，2.5≤V≤10V，推荐90%降额。12.5≤V≤63V，推荐80%降额。

高温环境下，同样要降额使用。下图可以看出，在温度超过105℃时，电容的额定电压呈现下降的趋势，此时也是建议要降额使用。

2.3 精度

电容的精度也叫容许误差，常见的是±20%、±10%、±5%、±2%、±1%、0.5%等，最常用的是前三种。

射频天线π型滤波电路、谐振电路、高精度晶振匹配电容，用精度5%，其他的如滤波电容等，可以用20%精度。

2.4 漏电流和绝缘电阻

我们都知道电容最重要的特性是隔直通交，电容虽然“隔直”，但是直流电加在电容上，也会产生漏电流。

漏电流，一般是在额定电压下，工作5分钟测试得到的平均漏电流。

漏电流标准值不是规定的值，其大小和电容的绝缘电阻有关系，可以通过绝缘电阻大小和产品额定电压，利用算式I=U/R推算出来。即电容的绝缘电阻越大，漏电流越小。

这里还需要了解绝缘电阻的测试条件。常温下，对电容以额定电压值进行充电1分钟或者2分钟，讲电压值除以1分钟或者2分钟的平均漏电流，得到绝缘电阻值大小。

2.5 ESR

理想的电容器在实际中是不存在的，电容的实际模型是一个ESR串联一个ESL，再串联一个电容，ESR是等效串联电阻，ESL是等效串联电感，C是理想的电容。

所以上述模型的复阻抗为：$$Z=ESR+j2\pi fESL+\frac{1}{j2\pi fc}=ESR+j(2\pi fESL-\frac{1}{2\pi fc})$$

• $2\pi fESL<<\frac{1}{2\pi fc}$时，电容器表现为容性；
• $2\pi fESL>>\frac{1}{2\pi fc}$时，电容器表现为感性，因此会有一句话叫高频时电容不再是电容，而呈现为电感，这个电感不是说电容变成了电感，而是指此时的电容拥有了与电感类似的特性。
• $2\pi fESL=\frac{1}{2\pi fc}$时，此时容抗矢量等于感抗矢量，电容的总阻抗最小，表现为纯电阻特性，此时的f称为电容的自谐振频率。

自谐振频率点是区分电容是容性还是感性的分界点，高于谐振点时“电容不再是电容”，因此退耦作用将下降。实际电容器都有一定的工作频率范围，在工作频率范围内，电容才具有很好的退耦作用。ESL是电容在高于自谐振频率点之后退耦功能被消弱的根本原因。

下图是实际电容器的频率特性。

3. 电容种类

电容主要分为静电容和电解电容两大类。其中静电容里面陶瓷电容MLCC用的很多。电解电容里面，钽电容和铝电解电容用的多。

下面这张图，给出了几种电容，在价格，阻抗-频率特性，击穿电压，DC偏压等方面的优劣差异。

后面主要介绍三种电容的区别，优缺点等等。

3.1 陶瓷电容

陶瓷电容又称瓷介电容、独石电容，最常见的是MLCC（片式多层陶瓷电容器）。

下图中，几种样式的电容，都是陶瓷电容，有插件封装的，有贴片的。

3.1.1 陶瓷电容优缺点

优点：

• 小，最小可做到01005封装；
• 便宜；
• 无极性；
• 绝缘电阻在GΩ以上，漏电流很小；
• ESR很小，mΩ级别，比电解电容和钽电容都小；
• Class1类陶瓷稳定性高；

缺点：

• 容量有限，做不到电解和钽电容那么大；
• 非Class 1类陶瓷稳定性差，容值随温度变化较大；
• 韧性差，挤压容易断裂；

目前大部分电子产品里面，陶瓷电容数量是很多的。

3.1.2 容量和电压的关系

陶瓷电容需要重点关注两个特性，记下来，要考试的。

直流(DC)偏压特性和交流(AC)偏压特性，MLCC的容量随着施加在上面的直流或交流电压变化而变化。

下图是某X7R陶瓷电容，0.1uF，额定电压50V。可以看到，随着电压的增加，电容容量是越来越小。加在电容上的电压达到30V时，电容的容量下降了20%以上，电压达到50V，电容容量下降了50%。

我们在选型的时候，要重点考虑DC偏压特性。

下图是某X7R陶瓷电容AC偏压特性，容量10uF，额定电压6.3V。随着交流电压的增加，电容的容量是上升的趋势，和DC偏压特性正好相反。

DC偏压特性，钽电容和电解电容要优于MLCC，MLCC是最差的。

不同介质的MLCC，DC偏压特性也是不同的，其中C0G>X7R/X5R>Y5U>Y5V。

3.1.3 陶瓷电容的介质

我们经常看见X5R、X7R的陶瓷电容，这其实是陶瓷电容的介质，不同介质的电容，其特性差别也是很多的，了解不同介质的区别，才能更好的选型。

EIA和IEC标准（这两个标准自行了解），根据不同介质陶瓷电容的温度特性，分为三个等级，Class I、Class II和Class III。

如我们常用的C0G/NP0属于Class I等级。X7R和X5R等级属于Class II等级。

关于不同介质的特性，差异，用在什么电路中，可以看下面三张总结图片。这里不一一展开。

简单总结：Class I等级电容稳定性高，这里的稳定性，指容量的变化率，交直流偏压，老化特性等，要比Class II及Class III要好。

下面会介绍上文说到的“稳定性”。

3.1.4 容量和温度的关系

电容容量会受到温度的影响，Class I的温度特性最好，如C0G为温补型，温度变化时，容量几乎是不变化的，很稳定。

X5R和X7R就会差一下，随着温度的增加，容量是呈现下降趋势的。

这个在选型时，需要特别注意，比如高频电路，电容的容量很影响性能，此时选择C0G的比较合适，容量很稳定（受温度影响小，DC偏压特性也较好）。

3.1.5 容量和时间的关系(老化)

Class II及以下等级的陶瓷电容，会有老化特性，随着时间的推移，出现电容容量减小的现象。

下图反映了电容容量变化率和时间的一个关系。C0G优于X7R，优于X5R。

3.1.6 陶瓷电容做ESD防护

是的，没错。陶瓷电容可以用来防护ESD。因为电容量会影响高速信号的传输，所以陶瓷电容防护ESD主要用在一些电源和低速信号线上。

那ESD的耐性和电容量有什么关系呢？

首先需要看一下ESD静电的模型。

静电枪主要用来模拟打ESD，其实静电枪的内部架构就是下图。

其中：

• Vd：高压电源
• Rc：充电电阻
• Cd：充电电容
• Rd：放电电阻
• Cx：待测电容
• Vx：电容两端电压

工作原理：

• 开关1闭合，开关2断开，高压电源通过电阻Rc对电容Cd进行充电。
• 开关1断开，开关2闭合，Cd储能的电量通过Rd对被测产品进行放电。

我们要研究电容的ESD耐性，那被测物就是Cx，电容上的电压为Vx。

ESD主要的标准模型是IEC61000-4-2，其对应的阻容参数为：

这里我们要算Vx，计算公式为：

$$V_X=\frac{C_d\ast V_d}{C_d+C_X}$$

以一个10kV 150pF的静电模型来说，$C_d=150pF$，$V_X=10kV$，这个静电模型携带的能量为$Q=C_d\ast V_d$。

假设这些能量全部释放出来，那Cx上的瞬间电压为：

$$V_X=\frac{10kV\ast 150pF}{150pF+C_X}$$

我们选取不同容值的被测电容Cx，即可得到如下的数据。

从公式和实际表格计算数据都可以看出，电容的容值越大，电容上的瞬间电压越小，选100nF电容时，发现此时加上其上面的瞬间电压最大只有15V，我们实际100nF的电容的耐压是有高于15V的，所以这个瞬间电压理论上是不会损坏电容的。

这就是为什么说陶瓷电容可以用来防护ESD的原因。

篇幅有限，电解电容、钽电容、电容充放电特性、电容选型案例、电容阻抗-频率曲线介绍等内容放到下一篇文章。

下面是第2篇目录

3.2 电解电容介绍

3.3 钽电容介绍

4. MLCC啸叫

5. 电容充放电特性

6. 电容选型案例

7. 电容阻抗-频率曲线

8. PDN电源仿真介绍

9. 电容选型万能公式

尽情期待，下一期见！