Accummulate field effect MOSFETs

关于积累沟道功率MOSFET可以实现高耐压的理解
问题背景：调研了解到Baliga团队提出并流片了一种具有积累沟道的SiC MOSFET，该结构有较为出色的动静态性能。但论文对于这种类型器件的高耐压机理并没有详细解释。需要注意的是沟道在不加栅极电压的情况下已经被耗尽。在这种情况下，当施加漏极偏置时，是否会存在沟道穿通的问题有待考量。
众所周知，常规功率MOSFET器件通过Pwell与N-drift之间形成的PN结来实现较高的耐压，关于积累模式沟道SiC MOSFET的阻断特性物理机理分析如下。
原论文标题：A comparative study of channel designs for SiC MOSFETs: Accumulation mode channel vs. inversion mode channel
该团队在这个结构的基础上发了很多论文，大家可以自行查阅

上图显示了对器件进行仿真时两种不同掺杂类型的沟道的掺杂分布情况，可以看到沟道深度在0.15μm左右，参杂浓度在5e16量级。

仿真实验结果：该团队对600V MOSFET的阻断特性进行了数值模拟，数值模拟结果表明，积累结构的SiC MOSFET的阻断状态行为方式与反转型沟道结构的器件类似，因此可以采用积累模式沟道以降低比导通电阻。

分析：可以观察上图对器件阻断特性仿真的电位线分布情况，可以看到器件主要通过JFET区的PN结耗尽展宽来实现耐压，电位线并未扩展到N-base区，表明P+屏蔽区屏蔽了该部分。但是我认为沟道穿通的风险这里虽然没有说明，仍然需要纳入考虑的范围，需要对不同沟道掺杂浓度的器件进行阻断特性仿真

这里对不同沟道掺杂浓度的结构的阻断状态进行了仿真，可以了解到的是，在较高掺杂浓度的情况下会有沟道穿通的风险，考虑势垒降低?
也请教过几位同学，可以提高Pwell与JFET之间的浓度差或者减小JFET区宽度，但这将极大程度影响比导通电阻。

相关文献：Split-Gate 1.2-kV 4H-SiC MOSFET: Analysis and Experimental Validation
A comparative study of channel designs for SiC MOSFETs: Accumulation mode channel vs. inversion mode channel
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