SiC C_MOSFET和JBS_SiC MOSFET的高温特性工作比较

Comparative Study on High-Temperature Electrical Properties of 1.2 kV SiC MOSFET and JBS-Integrated MOSFET

摘要:SiC MOSFET虽然具有出色的性能优势，但SiC C-MOSFET的体PiN二极管具有正向压降大和在高温条件下反向恢复特性差的问题，JBS_SiC MOSFET可以明显改善器件的第三象限性能。然而，对于超高温下SiC C_MOSFET和JBS_SiC MOSFET器件的电器特性比较分析鲜有报道，本文采用一致的工艺流程制造了 1.2 kV 传统 MOSFET 和集成了结势垒肖特基二极管 (JBSFET) 的 MOSFET。在 300 至 575 K 的温度范围内，建立并比较了这两种器件随温度变化的电气参数的分析模型，并通过测量成功地验证了这些模型。

是 pi-n 二极管的长时间导通有一定几率导致双极退化，由于双极作用，反向恢复期间的开关损耗会增加，尤其是在高温条件下

创新点：针对JBSFET，本文建立的温度模型基于半导体物理学，特别关注关键电学参数对温度的直接依赖性。通过少量计算，就能提供或预测器件的高温特性。首次提出并通过测量验证了 JBSFET 在超高温（300 至 575 K）下与温度相关的电气参数模型
实验方法：MOSFET 和 JBSFET 采用兼容工艺在同一晶圆上制造。然后，建立 MOSFET 和 JBSFET 与温度相关的电气参数模型。然后，通过 300 至 575 K 的静态和动态测量提取参数。最后，根据硬开关非隔离降压转换器验证了器件的连续运行性能。

实验结果：
（一）高温对静态性能的影响
1.对阈值电压：考虑到温度对本征载流子浓度、界面陷阱密度等的影响，高温下，Vth降低；
2.比导通电阻：与温度呈正相关关系，源于载流子迁移率在高温条件下与温度呈负相关；
3.第三象限：两者表现出相反的趋势，MOSFET在400K以上温度后随温度升高Vsd下降，JBSFET的Vsd则与温度呈正相关特性，仿真与实验拟合表明在400K以上JBSFET的体PiN二极管被激活；
4.对阻断特性的影响：集成SBD的JBSFET提供额外的漏电流路径，理论分析表面漏电流为主要的泄露机制；对于JBSFET热离子发射及热离子场发射和场发射为主要的泄露电流，这些电流参数与肖特基势垒高度密切相关；具体比较结果见原文；
5.结电容，两者结电容随温度变化并不明显，只有JBSFET的Crss在高温下有所降低。
（二）对开关特性的影响
体二极管与SBD在开关过程中并不起作用，因此两种MOSFET的开关特性对温度的依赖性保持一致。
（三）对反向恢复性能的影响
反向恢复特性与反向恢复二极管性能（体二极管与SBD）密切相关，