碳化硅平面SDG_MOSFET

原标题:A SiC Planar MOSFET with an Embedded MOS-Channel

主要工作内容： 1.提出新的器件结构；
2.根据wolfspeed公司的相关产品的实测数据对仿真物理模型进行修正；
3.对器件结构进行拉偏仿真
器件结构：
优势：沟道二极管的作用：屏蔽体二极管，避免器件的双极退化的问题， 降低反向恢复开启电压；减小沟道面积，降低输出电流，一定程度上提高器件的短路耐受能力。以较窄的JFET区的屏蔽作用，降低分裂栅边角处电场值。
结构参数：
采用物理模型：
仿真结果

结论：存在比导通电阻略大，仍有改正空间，考虑采用其他降低电场集中的方式。