Deep Pwell GS-MOSFET

原文标题：Improved Blocking and Switching Characteristics of Split-Gate 1.2kV 4H-SiC MOSFET with a Deep Pwell
摘要：具有深Pwell的SG-MOSFET结构，该结构可以有效降低栅氧电场，延长短路耐受时间，降低器件的开关损耗。
关键词：深 P-阱、短路特性、氧化物电场、
创新点:深Pwell的形成采用了channeling implantation的概念，该方法克服了传统离子注入方法所需能量过大的挑战（more than 1MeV）。同时采用该方法并不需要额外增加掩模版。
器件结构见下图：

器件性能分析：
1.更长的短路耐受时间：深Pwell在离子注入过程中会形成较“大”的横向扩散，从而形成了更窄的JFET区，抑制了JFET区电流，进而提高器件的短路耐受时间（提高1.52倍）
2.更小的栅漏电容：相较于SG-MOSFET，新提出的结构具有更小的栅漏电容，这与器件可以实现更长短路耐受时间的原因类似
3.表面氧化层电场得到有效抑制，得益于深Pwell掺杂提高了Pwell区的屏蔽效应，有效抑制了器件表面电场强度，降低了JFET区的电位。
4.通过对沟道和JFET区势垒的变化及其变化原因分析，解释了三种器件漏电流的区别，高沟道势垒可以实现较低的漏电流。

总结：这种器件结构工艺上可行性高，关键是采用了channeling implantation技术。通过分析Electrostatic Potential解释器件漏电流不同的原因，这也是理解上稍微困难的部分。

电位、电势、电势能、能带、势垒、电位能这几个之间的区别和联系，以及他们对半导体中器件工作行为的影响需要着重的加强理解。