压摆率//电源抑制比//共模抑制比//直流增益、带宽和相位裕度//静态功耗和直流工作点

静态功耗和直流工作点

仿真得到开环输出工作点如图 5.2 所示。其中输出节点为 2.5875V，总静态功耗为393.55μA。

共模抑制比

图 5.7 为共模增益测试电路图，用差模增益除以共模增益即得共模抑制比。图 5.8为仿真得到的共模抑制比，低频值为 97dB。

电源抑制比

5.9 为电源和地到输出增益的测试电路图，用差模增益除以电源增益即得电源抑
制比。图 5.10 为仿真得到的正、负电源抑制比，从图中可知，低频时正电源抑制比为
125.84dB，负电源抑制比为 102.96dB。图 5.11 为偏置电流变化的共模抑制比、电源抑
制比曲线，可以看出这几个值随电流变化有很好的一致性。

一般源跟随的Vd=1。

压摆率

将运放接成单位增益负反馈形式，如图 5.13 所示。对输入施加正负阶跃信号【阶跃，从2到3】，得到阶跃特性如图 5.14 所示，给输出负载充电时的压摆率为 31.13V/μs，放电时的压摆率大约为 62 V/μs。

误差容限为 0.1%时的上升沿建立时间为 47.82ns，如图 5.15 所示。其中，下降沿建立时间为 26ns，这是由于下降时的压摆率增大所致，反应迅速。

在输入端施加共模为 2.5V，摆幅从 0.2V 扫描到 0.25 的正弦信号，得到输入输出波形如图 5.17 所示。对输出进行 FFT 分析，得到总谐波失真量 TD。当 TD 小于 0.1%时的输出动态范围为 0.3V~4.7V，谐波失真量如图 5.18 所示