Carol0630的博客

CDF

蒙特卡洛仿真

CSMC

shell script (application/x-shellscript)参考：Shell 教程Shell 是一个用 C 语言编写的程序，它是用户使用 Linux 的桥梁。Shell 既是一种命令语言，又是一种程序设计语言。Shell 是指一种应用程序，这个应用程序提供了一个界面，用户通过这个界面访问操作系统内核的服务。Ken Thompson 的 sh 是第一种 Unix Shell，Windows Explorer 是一个典型的图形界面 Shell。Shell 脚本（shell scr.

选择五，六个非最小设计规则大量的宽的布线和宽的过孔不要相信你的电路设计者使用一致的取向不要太过火请勿践踏模块尽早保护敏感和噪声信号如果它看起来不错，它将可以工作学习你的工艺不要让噪声注入衬底在复制和重命名单元之前进行更改记得你所在的层绘制大电源总线分开大型电路沟通！版面设计：把晶体管放置在最佳位置后端设计主要步骤如下：（1）熟读 Foundry 提供的 Design Rules，正确理解每一条掩模设计规则。挑出五六个具有代表性的规则熟记。（2）确定芯片的封装形式，做好芯

一、图像采集和处理高质量的芯片图像是进行芯片分析设计的基础。随着芯片特征尺寸减小、规模增大、金属层数增多,芯片反向分析时对于芯片图像的完整性和清晰度的要求也越来越高。芯片图像库的建立是一个较为复杂的过程,其核心步骤是同层图像拼接和邻层图像对准。在一定放大倍数下进行显微图像采集时,每幅图像均对应一个特定的芯片区域。对解剖后的某层次芯片进行连续图像采集后,通常可以得到一个若干行列的图像阵列。将图像阵列进行同层图像拼接,就可形成该芯片解剖层次的整层图像。按照芯片版图的对应关系,可以进一步将任意两个相邻层次的整

使用标准BiCMOS处理步骤和技术制造隔离NMOS晶体管的结构和方法。相对于标准工艺流程，隔离的NMOS设备不需要额外的掩码和处理步骤。一种p型基板，其上覆埋藏n型层，下覆埋藏p型层。n型区域包围并隔离p阱与同一晶圆片上的其他器件。在p阱中形成N+区域，用于源极和漏极连接，并在栅、漏极和源极结构上形成多聚或其他此类电导体，以使NMOS器件运行。寄生双极晶体管由电路设计、电流路径和偏置管理，以确保寄生双极晶体管不开启。ISORING的作用是什么？是isolated Ring吧，主要看组成部分，一般是隔离n.

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参考：参考：MOS管串联

在Analog design过程中，大家常常会要设置M和Finger，M值对应M个管子并联，finger值表示这些管子share source/drain,total width是一样的。那么我们该如何使用会比较好，请大家讨论各有什么优缺点。采用m 或者 n，相对于管子的参数比如sab、sa等是不一样的，这些参数是版图阱效应等的几个效应的体现，会影响到管子的阈值，进而影响管子的匹配，比如电流镜的match等。所以最好电路和版图采用相同的管子设置，以保证前仿后仿的一致性我电路上都用的M，不用Finger，

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随着⼯艺的进步，传统的⼿⼯估算似乎对于深亚微⽶沟道的MOS管精确度太低，电路仿真结果和估算偏差太⼤，本⽂详细介绍由Jespers所提出的gm/id法设计模拟电路，并以⼀个⼆级密勒补偿的OTA运放设计作为实例介绍。对于顶层的模块例如已经设计好的PLL、LDO、OpAmp等我们可能知道怎么去⽤它，怎样将他们放在电路中，但是更底层的结构MOS管我们如何确定它到底流过多少电流、需要多⼤的偏置？我们对MOS管建了很多模型，但是建模的速度跟不上⼯艺的进步，传统⼿算的⼀阶模型得到的误差⾮常⼤。我们平常使⽤的⼤信号模型和⼩

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版图资料大集合

参考：ESD_Circuit_and_Devices中文版全

WPE: Well Proximity Effect, 阱临近效应LOD: Length of Diffusion, 扩散区长度效应

目的：不同Vgs下对应的器件的ro，gm以及本征增益的具体数值网表。

参考：【转】版图 注入区(N+/P+)和扩散区(diffusion)的区别

标准CMOS 工艺流程1、初始清洗初始清洗就是将晶圆放入清洗槽中，利用化学或物理的方法将在晶圆表面的尘粒或杂质去除，防止这些杂初始清洗就是将晶圆放入清洗槽中，利用化学或物理的方法将在晶圆表面的尘粒或杂质去除，防止这些杂质尘粒，对后续的工艺造成影响，使得器件无法正常工作。2、前置氧化利用热氧化法生长一层二氧化硅薄膜，目的是为了降低后续生长氮化硅薄膜工艺中的应力(stress)，氮化硅具有很强的应力，会影响晶圆表面的结构，因此在这一层氮化硅及硅晶圆之间，生长一层二氧化硅薄膜来减缓氮化硅与硅晶圆间的应力。