量子力学
文章平均质量分 92
Carol0630
这个作者很懒,什么都没留下…
展开
-
【器件知识】【设计】ESD专题-闩锁效应-大尺寸输出缓冲器
闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应,严重会导致电路的失效,甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的,当其中一个三极管正偏时,就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻,使寄生的三极管不会处于正偏状态。 静电是一种看不见的破坏力,会对电子元器件产生影响。ESD 和相关的电压瞬变都会引起闩锁效应(latch-up),是半导体器件失效的主要原因之一。如果有一个强电场施加在器件结构中的氧化物薄膜上,则该氧化物薄膜就会因介原创 2022-03-14 10:05:55 · 2037 阅读 · 0 评论 -
原子光谱的分析
核聚变地球的自转轴的倾斜通常用黄赤交角来体现。黄道是在一年当中太阳在天球上的视路径,假设太阳是围绕着地球转的话,我们就会得到一个轨道平面,称为黄道面,它实际上是地球在太阳系中做公转运动时的轨道所在的平面。而赤道面则体现了地球的自转,它过地心与地球自转轴垂直。目前,赤道面和黄道面之间的夹角为23.4°(23°26′),这其实表明地球的自转轨道和公转轨道之间有23.4°的夹角。这造成了同一纬度的地区在公转轨道不同处接收到的太阳辐射不同,形成了季节更迭,也形成了位于南北纬23.4°的南北回归线。理论上,行原创 2022-01-15 18:28:53 · 3086 阅读 · 0 评论 -
半导体的物理
目前主流的都是硅,现在也逐渐由氮化镓,砷化镓,碳化硅等等这些材料,记住一个特点,它们都是半导体。半导体具有许多独特的物理性质,这与半导体中电子的状态及其运动特点有密切关系。为了研究和利用半导体的这些物理性质,需要明白半导体单晶材料中的电子状态及其运动规律。单电子近似半导体单晶材料和其它固态晶体一样,是由大量原子周期性重复排列而成,而每个原子又包含原子核和许多电子。如果能够写出半导体中所有相互作用着的原子核和电子系统的薛定谔方程,并求出其解,便可以了解半导体的许多物理性质。但是,这是一个非常复杂的多体原创 2022-01-15 20:09:13 · 3467 阅读 · 0 评论 -
能带理论与费米能级
一、半导体中的电子状态半导体具有许多独特的物理性质,这与半导体中电子的状态及其运动特点有密切关系:为了研究和利用半导体的这些物理性质,本章将简要介绍半导体单晶材料中的电子状态及其运动规律,半导体单晶材料和其它固态晶体一样,是由大量原子周期性重复排列而成,而每个原子又包含原子核和许多电子。如果能够写出半导体中所有相互作用着的原子核和电子系统的薛定谔方程,并求出其解,便可以了解半导体的许多物理性质。但是,这是一个非常复杂的多体问题,不可能求出其严格解,只能用近似的处理方法-单电子近似来研究固态晶体中电子的能量原创 2022-04-09 11:29:58 · 13717 阅读 · 2 评论 -
隧穿电流效应与半导体表面与MIS结构
隧穿电流(tunneling current)是指在微电子技术中,当半导体的势垒或者二氧化硅薄膜的厚度,薄至与载流子的德布罗意波(de Broglie波)的波长差不多时,发生载流子的量子隧穿效应的电流。参考:隧穿电流(tunneling current)-bia...原创 2022-04-09 11:21:24 · 7480 阅读 · 0 评论