版图学习
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Carol0630
这个作者很懒,什么都没留下…
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Landscape-施密特版图触发器设计
(1)Library Manager界面点击 File 菜单,出现下拉菜单,选命令 New→Cell View,出现 “Creat New File 对话框。 ”(2)在对话框Cell Name项中输入新库名st。在对话框Tool选项后选择Virtuoso。点击ok(3)版图设计LSW各个工艺层的对应标号如下所示:AA:有源区NW:N阱PW:P阱GT: 栅极多晶硅SP:P+注入SN: N+注入M1: 金属层1M2: 金属层(4)按照所设计电路图,进行版图设计。查找版图工艺库要求,采用原创 2022-05-12 22:52:37 · 3275 阅读 · 0 评论 -
SA-BG-LANDSCAPE-EXAMPLE--一种带隙的设计
1原创 2022-05-11 01:14:48 · 383 阅读 · 0 评论 -
模拟版图的限制
为什么模拟版图设计很难实现自动化呢?主要问题在于模拟设计的多因素性质。即使是一个简单的运算放大器,也可能需要对其输入偏置电流、失调电压、CMRR、PSRR、增益裕度、相位裕度、噪声、失真、电压摆幅等参数进行优化。模拟模块的版图设计会对以上所有因素造成影响。1985年,英特尔推出了80386微处理器,它装载了275,000个晶体管,在当时令人惊叹。而到了2020年,苹果公司发行了首款自产微处理器M1,其中装载了160亿个晶体管。在短短35年的时间里,苹果公司最新器件所装载的晶体管数量比其前辈多了58,0.原创 2022-05-11 01:10:32 · 1462 阅读 · 0 评论 -
SA-用calibre做xrc时用的cellmap文件怎么设置
用calibre做xrc时,在calibre view setup中会有cellmap File项。如果让其自动生成(automap)cellmap文件如下一个1.2V,RF nMOS 所示:(n12ll_ckt_rf (smic65llrf_121825_2tm n12ll_ckt_rf symbol) ( (bulk B) (drn D) (gate G) (src S) ))但我看到真实的cellmap文件是上面的补充,如下所示:(n12ll_ckt原创 2022-05-11 00:51:27 · 3179 阅读 · 2 评论 -
SA-Landscape-DRC,LVS,PEX,
对版图进行编辑与验证的基本流程如下: (1)新建一个library/cell/view; (2)进行cell的版图编辑; (3)版图验证; (4)寄生参数提取与后仿真; (5)导出GDSII文件。原创 2022-05-10 23:20:56 · 265 阅读 · 0 评论 -
Landscape-匹配
一、失配原因二、器件的匹配设计简介频率低的时候是器件匹配。1、随机失配与系统失配三、传输线的匹配设计简介、频率升高的时候器件的匹配。原创 2022-05-10 19:21:45 · 124 阅读 · 0 评论 -
Landscape-版图几何设计规则DRC
为了保证器件正确工作并提高芯片的成品率,要求设计者在版图设计时遵循一定的设计规则,这些设计规则直接由流片厂家提供。设计规则(Design Rule)是版图设计和工艺之间的接口。符合设计规则的版图设计是保证工艺实现的第一个基本要求。版图几何设计规则主要包括各层的最小宽度、层与层之间的最小间距等。几何设计规则1.最小宽度(minWidth)-限制最小宽度,不能过小。在利用DRC(设计规则检查)对版图进行几何规则检查时,对于宽度低于规则中指定的最小宽度的几何图形,计算机将给出错误提示。扩散层:注入层原创 2022-05-10 18:37:54 · 4476 阅读 · 0 评论 -
Landscape-模拟IC inv-一种反向器的
一、Inv原理图根据原理图以及layout二、LSW版图层次drw代表可以画,label.版图工艺层的信息,非常重要,选择某些层。介绍常用层数以及功能。AA:有源层。NW:nwell n阱dnw:在p sub上制作一个dnw,隔离一个单独的衬底,主要用于衬低隔离。GT:栅极。SN:层,N型注入。SP:p型注入。M1:金属-M8层。目前工艺是六层。一层多晶硅,六层金属互连层。过孔:V1,金属一层到2层的过孔。V2:5层到6层的过孔。下面:标识层。PSUB。文字CTXT。一些原创 2022-05-10 17:58:21 · 3805 阅读 · 0 评论 -
DA-Operational amplifier design-Multistage op-amp
全差动套筒式运放的设计思路总结:1、功耗电压已知,求电流。分配电流。每个支路电流已知。原创 2022-05-10 00:08:41 · 311 阅读 · 0 评论 -
简单差分放大器设计报告
有时我们进行模拟IC设计时需要进行手工计算,然而工艺库中参数不是那么的好找,此时可以采用仿真的方式得到手算参数μnCox,以及沟道长度调制效应系数。然后下一步选择下图的东西,然后在原理图中点击你必须要查看的NMOS器件就会弹出其参数。关注OP参数里面的:beff和betaeff。其中:其中beff就是平方率关系对应的理想参数(完全不考虑沟道调制效应等,是可以计算过后发现,用得到的阈值电压还有Id算出来完全符合平方率关系对应的理想值),betaeff是修正的跨导模型参数,毕竟现在模型不是以前的那种简原创 2022-05-10 00:02:38 · 970 阅读 · 0 评论 -
LANDSCAPE-Layout design of CMOS track-to-rail operational amplifier
原创 2022-05-09 23:55:06 · 135 阅读 · 0 评论 -
Layout of the chip
在任何一个版图设计中,最初的任务是做一个布局图。首先,这个布局图应尽可能与功能框图或电路图一致,然后根据模块的面积大小进行调整。举例来说,一个多级放大器的底层电路,应该排在一行上,这样射频的输入和输出部分就位于芯片的两头,从而减小由于不可预见的反馈而引起的不稳定。所有的集成电路最终都要连到外部世界。这是通过连接芯片上的焊盘(Pad)和衬底上的微带线来实现的。所以,设计布局图的一个重要的任务是安排焊盘。一个设计好的集成电路应该有足够的焊盘来进行信号的输入/输出和连接电源电压及地线。此外,集成电路必须是可测的原创 2022-05-09 23:28:09 · 1127 阅读 · 0 评论 -
Landscape design-特殊工艺
一、BiCMOS发射级重参惨杂,NPN晶体管、PNP晶体管。P为发射级。发射级重惨杂。原创 2022-05-09 23:04:06 · 218 阅读 · 0 评论 -
Landscape design-工艺-二级效应
所有的二级效应都对MOS管的沟道影响。WPE(Well Proximity Effect)LODOSEPSEAntenna原创 2022-05-09 22:40:20 · 4360 阅读 · 0 评论 -
Landscape design-工艺
为什么要了解工艺流程?1、了解最基础的工艺流程,可以了解工艺生产的时候可能存在的问题,以及这些问题对性能可能带来的影响,设计时可以有针对性的进行考虑;2、可以深入了解为什么需要版图设计,版图设计时有什么因素需要进行考虑;3、对工艺有一定认识,在设计时就能有一幅完成时的图景在眼前,使设计有更好的目的性。...原创 2022-05-09 21:32:08 · 2814 阅读 · 0 评论 -
Landscape design-I_BIAS&&Power tube
4*10uA2*20u原创 2022-05-09 20:55:06 · 147 阅读 · 0 评论