功率半导体概述
- 设计功率半导体最大的挑战就是在获得高击穿电压的同时,保证较低的正向导通压降和导通电阻。由于高压低导通电阻器件的开关时间更长,因此,更多的是,在导通电阻、开关时间、击穿电压之间做取舍。
开关损耗
- 变换器中损耗和低效的另一个来源:开关损耗。半导体器件导通和关断转换需要几十纳秒到几微妙的时间,这个时间内,器件可能会出现非常大的瞬时功率,从而产生很大的功率损耗。
- 半导体器件是由电荷控制的。如MOS管的导电状态由栅极和沟道中的电荷决定;硅二极管或BJT的导电由器件内部PN结存储的电荷决定。为了切换半导体器件的开关状态,必须注入或消除控制电荷。
- 电荷和能量存储在半导体器件的输出电容中,能量也会存储在电路的泄漏和杂散电感中。
- 此节描述了开关损耗的主要来源,并给出估算方法。忽略传导损耗和半导体正向压降。
具有钳位电感负载的开关
- 给出如下buck电路,将二极管视为理想器件,研究MOS开关时间内引起的开关损耗,且MOS的漏源电容忽略不计。
- 将二极管和电容视为给MOS提供钳位的感性负载。这种负载下,电压
v
A
(
t
)
v_A(t)
vA(t)和电流
i
A
(
t
)
i_A(t)
iA(t)不会同时变化。波形如下
- 为了简化,将波形图视为分段线性,开关时间非常短,可以使得 i L ( t ) i_L(t) iL(t)在 t 0 − t 2 t_0-t_2 t0−t2时间段内基本恒定。
- 二极管反偏时,无电流流过,且只要 v B ( t ) < 0 v_B(t)<0 vB(t)<0,二极管一直反偏。关断时,MOS的DS两端电压 v A ( t ) v_A(t) vA(t)从0上升到 V g V_g Vg,其对应的时间 ( t 1 − t 0 ) (t_1-t_0) (t1−t0)实际上是栅极驱动器对MOS的电容 C g d C_{gd} Cgd充电所需的时间,MOS导通时,状态相反, C g d C_{gd} Cgd需要一段时间放电(米勒区)。这个时间内,MOS没有关断,二极管两端电压仍没有达到其正向导通压降,因此 i A ( t ) = i L i_A(t)=i_L iA(t)=iL。
- 回路关系式为: v B ( t ) = v A ( t ) − V g v_B(t)=v_A(t)-V_g vB(t)=vA(t)−Vg i L = i B ( t ) + i A ( t ) i_L=i_B(t)+i_A(t) iL=iB(t)+iA(t)
- 当 v A = V g v_A=V_g vA=Vg时,也就是 t 1 t_1 t1时刻,二极管正偏,电感电流从MOS流向二极管。 t 2 − t 1 t_2-t_1 t2−t1的时间就是栅极驱动器将MOS的电容 C g s C_{gs} Cgs放电到阈值电压所需的时间。此时,MOS处于关断状态。
- MOS管消耗的功率 p ( t ) = v A ( t ) ∗ i A ( t ) p(t)=v_A(t)*i_A(t) p(t)=vA(t)∗iA(t)。MOS管关断转换器件损失的能量 W o f f W_{off} Woff就是上图波形的面积,如果假设是分段波形,能量损失则为三角形的面积。 W o f f = 1 2 V g i L ( t 2 − t 0 ) W_{off}=\frac{1}{2}V_gi_L(t_2-t_0) Woff=21VgiL(t2−t0)
- MOS管导通时的能量损耗,则将上述波形的时间轴颠倒。MOS的电流从0上升到 i L i_L iL,二极管反偏,MOS管电压从 V g V_g Vg下降到0。MOS管的瞬时功耗同样达到 V g i L V_gi_L VgiL,因此,同理可得 W o n = 1 2 V g i L ∗ 导 通 时 间 W_{on}=\frac{1}{2}V_gi_L*导通时间 Won=21VgiL∗导通时间
- 因此在一个完整开关周期内,总的开关损耗为 W o n + W o f f W_{on}+W_{off} Won+Woff,如果开关频率为 f s f_s fs,则开关引起的平均功率损耗为 P s w = 1 T s ∫ 0 T s p A ( t ) d t = ( W o n + W o f f ) f s P_{sw}=\frac{1}{T_s}\int_{0}^{T_s}p_A(t)dt=(W_{on}+W_{off})f_s Psw=Ts1∫0TspA(t)dt=(Won+Woff)fs
- 开关损耗与开关频率成正比。
功率二极管
功率二极管概述
- 如下图所示,一个PN结型二极管,PN结的右边掺杂了贡献弱束缚电子的施主原子(5价元素),这些电子更容易移动。PN结的左边掺杂了能产生空穴的受主原子(3价元素),空穴在原子间更易移动,可将其看成正电子移动。在常温下,这些多数载流子由于热运动,使得它们在半导体晶格周围随机运动(一种平衡态)。
- 在PN结处,形成耗尽区。因为扩散运动,导致载流子向其浓度低的方向运动。右边的多数载流子电子向左边移动,而左边的多数载流子空穴向右边移动。这些移动的载流子,在PN结附近留下了离子化的掺杂剂原子,从而形成了电场。
- 如,当来自N区的多数载流子扩散到P区,它在N区留下一个缺少电子的电离原子,且为净正电荷。同理,来自P区的多数载流子扩散到N区,它在P区留下一个带有净负电荷的电离原子。这个电离原子区域称为空间电荷区或耗尽区,且产生一个电场
E
E
E,其净电压为
v
0
v_0
v0,如图所示,电压
v
0
v_0
v0构成一个能量势垒,阻止载流子的扩散运动,即导致载流子向反方向漂移。电压平衡时,即漂移运动和扩散运动达到平衡。
- 反偏,在PN结附近的掺杂剂原子进一步电离,增加耗尽层宽度。施加的外电场可等效为内电场增强、其势垒增大。特别注意的是,反偏的外电场使其电荷添加到了耗尽区,即二极管结电容的电容效应。
- 正偏,外加电场抵消内电场作用,使得加剧扩散运动。P区多数载流子扩散到N区,N区扩散到P区,内电场所产生的势垒变小。
- 如下图,说明正偏时,电流传导的机制。电子从外部电路通过右边缘的触点进入N区,从左边缘的触点离开P区。
- 很多过程会导致少数载流子失去能量并与多数载流子复合,以某种速率发生,因此记少数载流子复合前持续有效的时间为 τ L \tau_L τL
- 正向偏置下,二极管被电荷控制。根据二极管公式可以表明,通过耗尽区的电压 v v v与其边缘的少数载流子浓度 p s p_s ps和 n s n_s ns有关: p s ( t ) = Q s 0 ( e λ v ( t ) − 1 ) p_s(t)=Q_{s0}(e^{\lambda v(t)}-1) ps(t)=Qs0(eλv(t)−1) λ = k T q e \lambda=\frac{kT}{q_e} λ=qekT,这里 k k k为玻尔兹曼常数, T T T为开尔文温度, q e q_e qe是电子的电荷。
- 上述方程表明,更大的正偏电压会导致更多的少数电荷注入PN结,这意味着除非耗尽区边缘的少数电荷减少,否则结电压不会降低。
- 现在假设一个简单的单块模型,设 q ( t ) q(t) q(t)等于PN结点一侧的总少数电荷,该电荷可以通过复合减少,也可以通过施加的正偏电压而增加。可以写得 d q ( t ) d t = i ( t ) − q ( t ) τ L \frac{dq(t)}{dt}=i(t)-\frac{q(t)}{\tau_L} dtdq(t)=i(t)−τLq(t)
- 在这个方程中, q / τ L q/\tau_L q/τL是少数载流子复合的速率。在平衡状态下,总存储的少数电荷 q ( t ) q(t) q(t)与耗尽区边缘的电荷浓度 p s ( t ) p_s(t) ps(t)或 n s ( t ) n_s(t) ns(t)有关。
- 在平衡状态下,净存储的少数电荷没有变化,因此 d q ( t ) / d t = 0 dq(t)/dt=0 dq(t)/dt=0,可得 i ( t ) = q ( t ) τ L = Q 0 τ L ( e λ v ( t ) − 1 ) = I 0 ( e λ v ( t ) − 1 ) i(t)=\frac{q(t)}{\tau_L}=\frac{Q_0}{\tau_L}(e^{\lambda v(t)}-1)=I_0(e^{\lambda v(t)}-1) i(t)=τLq(t)=τLQ0(eλv(t)−1)=I0(eλv(t)−1)
- 这就是二极管得指数方程,可以看出,这是平衡表达式,在瞬态(二极管开关时间内)下不成立。尤其在二极管关断过渡这个时间段,电压 v ( t ) v(t) v(t)根据等式由存储的电荷浓度决定,为了降低电压,必须出去存储的少数电荷。这个时间段电流会偏离等式。
- 下图显示,在关闭瞬态期间二极管波形和存储的少数电荷浓度曲线。
- 初始,二极管处于开启状态,有正向电压 v ( t 0 ) > 0 v(t_0)>0 v(t0)>0和导电电流 i ( t 0 ) = I o n i(t_0)=I_{on} i(t0)=Ion,耗尽区从p-n结延伸了一段距离 x 0 x_0 x0,如图b所示的阴影区域表示在 t = t 0 t=t_0 t=t0处的耗尽区域。
- 在时间内 t = t 0 t=t_0 t=t0时,外部电路开始反转所施加电流 i ( t ) i(t) i(t)的方向。电流变化的速率 d i / d t di/dt di/dt由外部电路决定,并且通常受到布线和封装电感、晶体管驱动电路等的限制。
- 电流在
t
=
t
1
t=t_1
t=t1时刻变为负值。
- 总的存储电荷,即图b中少数电荷浓度曲线下的面积,已经通过负电流根据等式 d q ( t ) d t = i ( t ) − q ( t ) τ L \frac{dq(t)}{dt}=i(t)-\frac{q(t)}{\tau_L} dtdq(t)=i(t)−τLq(t)复合。
- 耗尽区边缘的电荷浓度曲线的斜率为负,反映了此时电流通过PN结开始慢慢变小(方向开始反转)。内部电场不会反对少数载流子的反向运动,可以把此时的 i i i看成 i + i_+ i+加 i − i_{-} i−, i + i_+ i+表示与原来方向相同(正向电流),而 i − i_{-} i−表示与原来方向相反(反向电流)。
- 在 x = x 0 x=x_0 x=x0处的电荷浓度仍然很大,所以耗尽区的电压保持为正。
- 二级管方程的指数特性,电压$v(t)只是略微降低,二极管仍然保持正偏。
- 在 t = t 2 t=t_2 t=t2时,在 x = x 0 x=x_0 x=x0处存储的电荷已经中和完了。可以看到整个耗尽区的电压变成负值。
- 在 t = t 3 t=t_3 t=t3时,耗尽区的尺寸增大,且延伸到 x = x 3 x=x_3 x=x3(图中未画出)。
- 在 t = t 4 t=t_4 t=t4时,所有少数存储电荷都被消除,二极管达到反向电压 v o f f v_{off} voff,没有实质性的反向电流(实际上有漏电流)。
- 让我们考虑二极管在反向恢复过程中的功率损耗,如图a波形所示,对于 t < t 0 t<t_0 t<t0,流入二极管的功率是 p ( t ) = v ( t ) i ( t ) = V F I o n p(t)=v(t)i(t)=V_FI_{on} p(t)=v(t)i(t)=VFIon V F V_F VF是二极管的正向导通压降,这是二极管的传导损耗。
- 对于 t 2 < t < t 4 t_2<t<t_4 t2<t<t4,电压和电流均为负值,二极管再次消耗功率。
- 从 t 0 t_0 t0到 t 4 t_4 t4的时间称为反向恢复时间,记为 t r t_r tr。电流 i ( t ) i(t) i(t)波形的负部分包含的电荷称为恢复电荷,记为 Q r Q_r Qr。
- 如果开关时间较长, Q r Q_r Qr的幅度可以降低,这会导致更多存储的少数电荷复合,而不是通过反向电流 i ( t ) i(t) i(t)主动去除。
- 软化系数 S S S(softness factor)来描述反向恢复电流由最大值 I R M I_{RM} IRM消失的速率: S = t 4 − t 2 t 2 − t 0 S=\frac{t_4-t_2}{t_2-t_0} S=t2−t0t4−t2
- 关断瞬态 S S S相对较大的二极管称为软恢复二极管,相反, S S S值较小的二极管称为快速二极管。软恢复二极管的 d v / d t dv/dt dv/dt有助于相关功率晶体管的导通过程,减少电磁干扰的产生。
补充说明
- 其实刚开始看这些的时候一直很头疼,书上从物理及器件内部说明二极管关断过程,比较难以理解,补充一些描述,希望帮助理解上述内容。
- 反向恢复过程
- 二极管从正向导通转为反向截止所经过的转换过程。
- 产生原因:电荷存储效应。二极管外加正向电压
+
V
F
8
+V_F8
+VF8时,P区空穴向N区扩散,N区电子向P区扩散,使得势垒区(耗尽区)变窄,且使载流子有相当数量的存储,这个载流子指的是P区的非平衡少数载流子—电子,N区的非平衡少数载流子—空穴。
- 空穴从P区扩散到N区后,并不会马上与N区中的电子复合而消失,而是在一定的路程
L
P
L_P
LP(扩散长度)内,一边复合一边继续扩散,这就会在
L
P
L_P
LP范围内存储一定数量的空穴,并建立空穴浓度分布,靠近结边缘的浓度最大,远的浓度小。如果正向电流越大,存储的空穴数目就越多,浓度分布的梯度也越大。电子从N区扩散到P区的情况也类似。
- 把正向导通时,非平衡少数载流子积累的现象叫做电荷存储效应。
- 当输入电压突然从
+
V
F
+V_F
+VF转为
−
V
R
-V_R
−VR时,P区存储电子和N区存储的空穴不会马上消失,通过以下两个途径减小:
- 在反向电场作用下,P区电子被拉回N区,N区空穴被拉回P区,形成反向漂流电流
I
R
I_R
IR
- 与多数载流子复合,在这些存储电荷消失前,PN结仍处于正向偏置,PN结的电阻仍很小,与外围限流电阻
R
L
R_L
RL相比可以忽略,此时反向电流:
I
R
=
V
R
+
V
D
R
L
I_R=\frac{V_R+V_D}{R_L}
IR=RLVR+VD
V
D
V_D
VD表示PN结两端的正向压降,一般
V
R
>
>
V
D
V_R>>V_D
VR>>VD,及
I
R
=
V
R
/
R
L
I_R=V_R/R_L
IR=VR/RL。在这段时间内,
I
R
I_R
IR基本上保持不变,主要由
V
R
V_R
VR和
R
L
R_L
RL所决定,经过
t
s
t_s
ts(储存时间)后P区和N区所存储的电荷显著减小,势垒区逐渐变宽,反向电流
I
R
I_R
IR逐渐减小到正常反向饱和电流,经过时间
t
f
t_f
tf(下降时间),二极管截止。
t
r
=
t
s
+
t
f
t_r=t_s+t_f
tr=ts+tf为二极管的反向恢复时间,这整个过程为反向恢复过程。
- 在反向电场作用下,P区电子被拉回N区,N区空穴被拉回P区,形成反向漂流电流
I
R
I_R
IR
- 这里有个差别,就是原书中的 t r t_r tr是包含了正向电流量开始出现反向电流时算起的,有的书中,反向恢复时间 t r t_r tr从正向电流减为0开始算起的,这里存在差异,需要进一步确定,如果有读者有更加深的理解,欢迎留言。