Part-Ⅰ4. 开关实现（二）

功率半导体概述

• 设计功率半导体最大的挑战就是在获得高击穿电压的同时，保证较低的正向导通压降和导通电阻。由于高压低导通电阻器件的开关时间更长，因此，更多的是，在导通电阻、开关时间、击穿电压之间做取舍。

开关损耗

• 变换器中损耗和低效的另一个来源：开关损耗。半导体器件导通和关断转换需要几十纳秒到几微妙的时间，这个时间内，器件可能会出现非常大的瞬时功率，从而产生很大的功率损耗。
• 半导体器件是由电荷控制的。如MOS管的导电状态由栅极和沟道中的电荷决定；硅二极管或BJT的导电由器件内部PN结存储的电荷决定。为了切换半导体器件的开关状态，必须注入或消除控制电荷。
• 电荷和能量存储在半导体器件的输出电容中，能量也会存储在电路的泄漏和杂散电感中。
• 此节描述了开关损耗的主要来源，并给出估算方法。忽略传导损耗和半导体正向压降。

具有钳位电感负载的开关

• 给出如下buck电路，将二极管视为理想器件，研究MOS开关时间内引起的开关损耗，且MOS的漏源电容忽略不计。
  
• 将二极管和电容视为给MOS提供钳位的感性负载。这种负载下，电压$v_A(t)$和电流$i_A(t)$不会同时变化。波形如下
  
• 为了简化，将波形图视为分段线性，开关时间非常短，可以使得$i_L(t)$在$t_0-t_2$时间段内基本恒定。
• 二极管反偏时，无电流流过，且只要$v_B(t)<0$，二极管一直反偏。关断时，MOS的DS两端电压$v_A(t)$从0上升到$V_g$，其对应的时间$(t_1-t_0)$实际上是栅极驱动器对MOS的电容$C_{gd}$充电所需的时间，MOS导通时，状态相反，$C_{gd}$需要一段时间放电（米勒区）。这个时间内，MOS没有关断，二极管两端电压仍没有达到其正向导通压降，因此$i_A(t)=i_L$。
• 回路关系式为：$$v_B(t)=v_A(t)-V_g$$ $$i_L=i_B(t)+i_A(t)$$
• 当$v_A=V_g$时，也就是$t_1$时刻，二极管正偏，电感电流从MOS流向二极管。$t_2-t_1$的时间就是栅极驱动器将MOS的电容$C_{gs}$放电到阈值电压所需的时间。此时，MOS处于关断状态。
• MOS管消耗的功率$p(t)=v_A(t)\ast i_A(t)$。MOS管关断转换器件损失的能量$W_{off}$就是上图波形的面积，如果假设是分段波形，能量损失则为三角形的面积。$$W_{off}=\frac{1}{2}{V}_g{i}_L(t_2-t_0)$$
• MOS管导通时的能量损耗，则将上述波形的时间轴颠倒。MOS的电流从0上升到$i_L$，二极管反偏，MOS管电压从$V_g$下降到0。MOS管的瞬时功耗同样达到$V_g{i}_L$，因此，同理可得$$W_{on}=\frac{1}{2}{V}_g{i}_L\ast 导通时间$$
• 因此在一个完整开关周期内，总的开关损耗为$W_{on}+W_{off}$，如果开关频率为$f_s$，则开关引起的平均功率损耗为$$P_{sw}=\frac{1}{T_s}{\int }_0^{T_s}{p}_A(t)dt=(W_{on}+W_{off})f_s$$
• 开关损耗与开关频率成正比。

功率二极管

功率二极管概述

• 如下图所示，一个PN结型二极管，PN结的右边掺杂了贡献弱束缚电子的施主原子（5价元素），这些电子更容易移动。PN结的左边掺杂了能产生空穴的受主原子（3价元素），空穴在原子间更易移动，可将其看成正电子移动。在常温下，这些多数载流子由于热运动，使得它们在半导体晶格周围随机运动（一种平衡态）。
• 在PN结处，形成耗尽区。因为扩散运动，导致载流子向其浓度低的方向运动。右边的多数载流子电子向左边移动，而左边的多数载流子空穴向右边移动。这些移动的载流子，在PN结附近留下了离子化的掺杂剂原子，从而形成了电场。
• 如，当来自N区的多数载流子扩散到P区，它在N区留下一个缺少电子的电离原子，且为净正电荷。同理，来自P区的多数载流子扩散到N区，它在P区留下一个带有净负电荷的电离原子。这个电离原子区域称为空间电荷区或耗尽区，且产生一个电场$E$，其净电压为$v_0$，如图所示，电压$v_0$构成一个能量势垒，阻止载流子的扩散运动，即导致载流子向反方向漂移。电压平衡时，即漂移运动和扩散运动达到平衡。
  
• 反偏，在PN结附近的掺杂剂原子进一步电离，增加耗尽层宽度。施加的外电场可等效为内电场增强、其势垒增大。特别注意的是，反偏的外电场使其电荷添加到了耗尽区，即二极管结电容的电容效应。
  
• 正偏，外加电场抵消内电场作用，使得加剧扩散运动。P区多数载流子扩散到N区，N区扩散到P区，内电场所产生的势垒变小。
  
• 如下图，说明正偏时，电流传导的机制。电子从外部电路通过右边缘的触点进入N区，从左边缘的触点离开P区。
  
• 很多过程会导致少数载流子失去能量并与多数载流子复合，以某种速率发生，因此记少数载流子复合前持续有效的时间为${\tau }_L$
• 正向偏置下，二极管被电荷控制。根据二极管公式可以表明，通过耗尽区的电压$v$与其边缘的少数载流子浓度$p_s$和$n_s$有关：$$p_s(t)=Q_{s0}(e^{\lambda v(t)}-1)$$ $\lambda =\frac{kT}{q_e}$，这里$k$为玻尔兹曼常数，$T$为开尔文温度，$q_e$是电子的电荷。
• 上述方程表明，更大的正偏电压会导致更多的少数电荷注入PN结，这意味着除非耗尽区边缘的少数电荷减少，否则结电压不会降低。
• 现在假设一个简单的单块模型，设$q(t)$等于PN结点一侧的总少数电荷，该电荷可以通过复合减少，也可以通过施加的正偏电压而增加。可以写得$$\frac{dq(t)}{dt}=i(t)-\frac{q(t)}{{\tau }_L}$$
• 在这个方程中，$q/{\tau }_L$是少数载流子复合的速率。在平衡状态下，总存储的少数电荷$q(t)$与耗尽区边缘的电荷浓度$p_s(t)$或$n_s(t)$有关。
• 在平衡状态下，净存储的少数电荷没有变化，因此$dq(t)/dt=0$，可得$$i(t)=\frac{q(t)}{{\tau }_L}=\frac{Q_0}{{\tau }_L}(e^{\lambda v(t)}-1)=I_0(e^{\lambda v(t)}-1)$$
• 这就是二极管得指数方程，可以看出，这是平衡表达式，在瞬态（二极管开关时间内）下不成立。尤其在二极管关断过渡这个时间段，电压$v(t)$根据等式由存储的电荷浓度决定，为了降低电压，必须出去存储的少数电荷。这个时间段电流会偏离等式。
• 下图显示，在关闭瞬态期间二极管波形和存储的少数电荷浓度曲线。
  
• 初始，二极管处于开启状态，有正向电压$v(t_0)>0$和导电电流$i(t_0)=I_{on}$，耗尽区从p-n结延伸了一段距离$x_0$，如图b所示的阴影区域表示在$t=t_0$处的耗尽区域。
• 在时间内$t=t_0$时，外部电路开始反转所施加电流$i(t)$的方向。电流变化的速率$di/dt$由外部电路决定，并且通常受到布线和封装电感、晶体管驱动电路等的限制。
• 电流在$t=t_1$时刻变为负值。
  • 总的存储电荷，即图b中少数电荷浓度曲线下的面积，已经通过负电流根据等式$\frac{dq(t)}{dt}=i(t)-\frac{q(t)}{{\tau }_L}$复合。
  • 耗尽区边缘的电荷浓度曲线的斜率为负，反映了此时电流通过PN结开始慢慢变小（方向开始反转）。内部电场不会反对少数载流子的反向运动，可以把此时的$i$看成$i_{+}$加$i_{-}$，$i_{+}$表示与原来方向相同（正向电流），而$i_{-}$表示与原来方向相反（反向电流）。
  • 在$x=x_0$处的电荷浓度仍然很大，所以耗尽区的电压保持为正。
  • 二级管方程的指数特性，电压$v(t)只是略微降低，二极管仍然保持正偏。
• 在$t=t_2$时，在$x=x_0$处存储的电荷已经中和完了。可以看到整个耗尽区的电压变成负值。
• 在$t=t_3$时，耗尽区的尺寸增大，且延伸到$x=x_3$（图中未画出）。
• 在$t=t_4$时，所有少数存储电荷都被消除，二极管达到反向电压$v_{off}$，没有实质性的反向电流（实际上有漏电流）。
• 让我们考虑二极管在反向恢复过程中的功率损耗，如图a波形所示，对于$t<t_0$，流入二极管的功率是$$p(t)=v(t)i(t)=V_F{I}_{on}$$ $V_F$是二极管的正向导通压降，这是二极管的传导损耗。
• 对于$t_2<t<t_4$，电压和电流均为负值，二极管再次消耗功率。
• 从$t_0$到$t_4$的时间称为反向恢复时间，记为$t_r$。电流$i(t)$波形的负部分包含的电荷称为恢复电荷，记为$Q_r$。
• 如果开关时间较长，$Q_r$的幅度可以降低，这会导致更多存储的少数电荷复合，而不是通过反向电流$i(t)$主动去除。
• 软化系数$S$(softness factor)来描述反向恢复电流由最大值$I_{RM}$消失的速率：$$S=\frac{t_4-t_2}{t_2-t_0}$$
• 关断瞬态$S$相对较大的二极管称为软恢复二极管，相反，$S$值较小的二极管称为快速二极管。软恢复二极管的$dv/dt$有助于相关功率晶体管的导通过程，减少电磁干扰的产生。

补充说明

• 其实刚开始看这些的时候一直很头疼，书上从物理及器件内部说明二极管关断过程，比较难以理解，补充一些描述，希望帮助理解上述内容。
• 反向恢复过程
  • 二极管从正向导通转为反向截止所经过的转换过程。
  • 产生原因：电荷存储效应。二极管外加正向电压$+V_{F}8$时，P区空穴向N区扩散，N区电子向P区扩散，使得势垒区（耗尽区）变窄，且使载流子有相当数量的存储，这个载流子指的是P区的非平衡少数载流子—电子，N区的非平衡少数载流子—空穴。
    
  • 空穴从P区扩散到N区后，并不会马上与N区中的电子复合而消失，而是在一定的路程$L_P$(扩散长度)内，一边复合一边继续扩散，这就会在$L_P$范围内存储一定数量的空穴，并建立空穴浓度分布，靠近结边缘的浓度最大，远的浓度小。如果正向电流越大，存储的空穴数目就越多，浓度分布的梯度也越大。电子从N区扩散到P区的情况也类似。
    
  • 把正向导通时，非平衡少数载流子积累的现象叫做电荷存储效应。
  • 当输入电压突然从$+V_F$转为$-V_R$时，P区存储电子和N区存储的空穴不会马上消失，通过以下两个途径减小：
    • 在反向电场作用下，P区电子被拉回N区，N区空穴被拉回P区，形成反向漂流电流$I_R$
      
    • 与多数载流子复合，在这些存储电荷消失前，PN结仍处于正向偏置，PN结的电阻仍很小，与外围限流电阻$R_L$相比可以忽略，此时反向电流：$$I_R=\frac{V_R+V_D}{R_L}$$ $V_D$表示PN结两端的正向压降，一般$V_R>>V_D$，及$I_R=V_R/R_L$。在这段时间内，$I_R$基本上保持不变，主要由$V_R$和$R_L$所决定，经过$t_s$（储存时间）后P区和N区所存储的电荷显著减小，势垒区逐渐变宽，反向电流$I_R$逐渐减小到正常反向饱和电流，经过时间$t_f$（下降时间），二极管截止。$t_r=t_s+t_f$为二极管的反向恢复时间，这整个过程为反向恢复过程。
      
• 这里有个差别，就是原书中的$t_r$是包含了正向电流量开始出现反向电流时算起的，有的书中，反向恢复时间$t_r$从正向电流减为0开始算起的，这里存在差异，需要进一步确定，如果有读者有更加深的理解，欢迎留言。