BJT的结构

Bipolar Junction Transistor，BJT
半导体三极管
双极结型三极管

特点

1. 超高频性能，大电流驱动能力
2. 有两种极性载流子，自由电子和空穴。
3. 电流驱动型器件。

$V_{BE}:$发射结正向电压。

$V_{CE}:$集电极、发射极之间的电压

$V_{CES}:$饱和压降

$I_{ES}:$发射结的反向饱和电流。

$I_{EN}:$发射结电子扩散电流

$I_{EP}:$空穴扩散电流

$I_{CS}:$集电极饱和电流

$i_E:$发射极电流

$i_C:$集电极电流

$I_{CBO}:$集电结反向饱和电流

$I_{CEO}:$集电极和发射极之间的反向饱和电流

$\overline{\alpha }:$BJT共基极直流电流放大系数

$\overline{\beta }:$共射极直流电流放大系数。

1. 结构

NPN型

结构示意图：

电路符号：

箭头：表示发射结外加正偏电压时，发射极电流的实际方向。

发射极（e） 对应的杂质半导体区域为发射区 ，该区域掺杂浓度较高。

基极（b） 对应的杂质半导体区域为基区 ，该区域宽度很薄，掺杂浓度很低。

集电极（c） 对应的杂质半导体区域为集电区 ，该区域面积大，掺杂浓度很低。

发射结 ：发射区和基区的PN结。
集电结 ：基区和集电区的PN结。

PNP型