元器件学习（2）：MOS管

ChristianLuu

已于 2022-05-12 20:23:08 修改

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文章标签：学习嵌入式硬件

于 2022-05-12 00:09:25 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/Chrstian/article/details/124719458

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一、基本概念

场效应晶体管（FET）可分为结场效应晶体管（JFET）和MOS场效应晶体管（MOS-FET）。工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型；当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。

MOS，是MOSFET的缩写，金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。如图。箭头指向G极的是N沟道，背向G极的是P沟道。在这里插入图片描述
MOS有三个电极：G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏
不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是S极，单独引线的一边就是D极。

管脚

方向摆正后，单独一脚为D，左边为G，右边为S。
编号从G脚开始，逆时针1 2 3。
在这里插入图片描述
（六脚）辨别

（八脚）不论NMOS管还是PMOS管，D极单独位于一边，而G极是第4PIN。剩下的3个脚则是S极。
在这里插入图片描述

特点

放大能力较差
栅极几乎不取电流
多子参与导电，温度稳定性好、抗辐射能力强
在源极金属与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用
噪声系数很小

导电沟道（反型层的形成）

在UGS=0时，无论UDS的大小和极性，都会使得2个GS和DG这两个PN结中一个正偏，另一个反偏。但是由于两个N区之间被P衬底隔离，所以没有办法形成电流。如左图。
在这里插入图片描述
当在栅源极之间加上正向电压（所谓的正向电压永远是指电场方向是从P区指向N区）后，则在栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场，这个电场能排斥空穴而吸引电子，因而使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成耗尽层，同时P衬底中的少子电子被吸引到衬底表面。当UGS增加大一定大小时，随着SiO2绝缘层中电场的增强，会将更多的电子吸引到P衬底的表面，于是栅极附近会形成一个N型薄层，且与两个N区联通。此时就形成了导电沟道，于是在DS之间就有电流可以通过了，如右图所示。
在这个阶段，如果UDS保持不变，UGS增加会导致导电沟道变厚，从而ID变大。

预夹断

寄生二极管

一般小功率MOS管是平面结构，无寄生二极管。大功率MOS管漏极从硅片底部引出，会有寄生二极管。当电路中产生很大的瞬间反向电流时，可以通过这个二极管导出来，不至于击穿这个MOS管；也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。起到保护MOS管的作用。在这里插入图片描述
不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：要么都由S指向D，要么都有D指向S。