肖特基势垒实际高度计算

最新推荐文章于 2023-04-16 09:55:51 发布
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本文链接：https://blog.csdn.net/DABIN945/article/details/129057175
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在研究肖特基势垒时，使用温度电流法绘制ln(I/T^2)对1000/T的曲线，通常期望得到线性关系，但出现二次函数曲线可能是因为数据处理或实验条件的影响。这需要检查温度依赖性、接触电阻等因素，以正确解析势垒高度。
摘要由CSDN通过智能技术生成

有试验结合计算的方法计算肖特基势垒高度么？我找到的温度电流法绘制出的ln（I/T2）-1000/T曲线为什么是个二次函数曲线呢？救救！！

DABIN945
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【氮化镓】p-GaN 栅 HEMT栅极可靠性及其退化机制
荷塘阅色
05-15 1855
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用CV曲线确定肖特基势垒高度
数理文章
02-27 6014
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weixin_39887577的博客
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【金属-半导体接触】金属与半导体的接触分为两类：第一类是欧姆接触，指的是其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，在器件工作时，大部分的电压降在有效区域(Active region)而不在接触面，且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。形成欧姆接触的条件有两种：金属与半导体间有低的势垒高度或者半导体有高浓度的杂质掺入(N ≧1012 cm-3)；第二类是肖特基接触，指具有整流特性...
处理vasp数据文件LOCPOT的f90脚本
12-27
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计算机函数换算公式法,Ex49 功函数（work function）的计算（一）
weixin_33418394的博客
07-24 5919
前面我们讲完了表面的计算，后面两节我们主要讨论一下功函数的计算。1 功函数的定义首先，我们先看一下功函数(又称功函、逸出功)是指要使一粒电子立即从固体表面中逸出，所必须提供的最小能量(通常以电子伏特为单位)。这里“立即”一词表示最终电子位置从原子尺度上远离表面但从宏观尺度上依然靠近固体。功函数不是材料体相的本征性质，更准确的说法应为材料表面的性质(比如表面暴露晶面情况和受污染程度)功函数是金属的重...
半导体笔记
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行业资料-电子功用-包括铌掺杂n型外延层的碳化硅肖特基结型核电池的说明分析.rar
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05-08
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12-11 3338
应学员邀请，12月初材料人计算训练营将举办二维材料计算专题培训,材料人与源资信息科技(上海)有限公司、北京并行科技股份有限公司联合主办。本次培训系材料人举办的第五次二维材料计算培训，已有200余位同学参加过该类培训。以下是本次培训的具体内容：培训亮点1.从实战出发，讲述利用vasp进行二维材料计算，可以帮助学员快速掌握。2.本次培训将全程录像，视频剪辑后上架材料人APP，学员无需另付费就...
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06-24 1016
在电子行业中，几乎每个工程师都知道肖特基二极管，但是你真的了解其内部结构、作用、应用领域及为什么广泛应用在高频开关电源吗？下面立深鑫电带我们来了解不一样的肖特基二极管。 肖特基二极管是由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二极管，又称为肖特基势垒二极管，属于金属半导体结型二极管。 主要特点是正向导通压降小，反向恢复时间短和开关损耗小，是一种低功耗、超高速半导体器件。缺点是耐压比较低、反向漏...
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