【氮化镓】p-GaN 栅 HEMT栅极可靠性及其退化机制

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分类专栏： 氮化镓器件可靠性 文章标签： 生成对抗网络 学习 科学研究 多尺度模拟 科技 GaN HEMT 氮化镓
于 2024-05-15 00:45:00 首次发布
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版权

文章作者团队来自中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所（SINANO）的重点实验室、中国科学技术大学的纳米技术与纳米仿生学院，以及广东省（佛山）苏州纳米技术与纳米仿生研究所的分支机构。研究结果发表在IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics ( Volume: 9, Issue: 3, June 2021)上。

本文研究了具有再生长p-GaN栅极和AlN/SiNx堆叠钝化的常关型高电子迁移率晶体管（HEMTs）的栅极可靠性及其退化机制。通过比较两种设计结构下的正向漏电流，确定了传导机制为Fo

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【氮化镓】高输入功率应力诱导的GaN 在下的退化LNA退化
荷塘阅色
03-10 128
2019年，中国工程物理研究院电子工程研究所的Tong等人基于实验与第一性原理计算方法，研究了Ka波段GaN低噪声放大器（LNA）在高输入功率应力下的退化机制。实验结果表明，在27 GHz下施加1 W连续波（CW）输入功率应力后，LNA的增益下降约1 dB，噪声系数（NF）增加约0.7 dB。进一步的测量发现，阈值电压（Vth）的正向偏移导致了增益的下降，而栅极漏电流（Ig）的增加则是NF退化的主要原因。
【动态导通电阻】GaN功率器件中动态导通电阻退化的机制、表征及建模方法
最新发布
荷塘阅色
04-29 402
研究目的：鉴于动态RON退化对GaN功率器件性能的显著影响，本文旨在全面综述和讨论GaN功率器件中动态RON退化的机制、表征方法、建模技术以及解决方案，以期为GaN功率器件的设计、优化和应用提供理论指导和实践参考。内容概述：文章首先分析了缓冲层陷阱和栅极不稳定导致动态RON退化的物理机制，并通过物理基础的TCAD模拟与高压背栅测量结果进行对比，揭示缓冲层陷阱的充电/放电过程如何影响动态RON。接着，讨论了不同GaN器件技术中栅极不稳定引起的动态RON增加以及栅极过驱动的作用。
GaN HEMT结构
weixin_45293089的博客
07-03 3251
它是一种类似于MOSFET的晶体管，但是与传统的MOSFET相比，GaN HEMT在高频率和高功率应用方面具有更好的性能。GaN HEMT的结构包括一个GaN基底、一个AlGaN缓冲层、一个GaN沟道层、一个AlGaN电子阻挡层和一个金属栅极。其中，GaN沟道层是载流子流动的通道，AlGaN缓冲层能够减小晶体管内部的电场强度，从而提高了晶体管的可靠性和性能。GaN HEMT的工作原理是：当栅极电压变化时，会在GaN沟道层形成一个电子气，这个电子气会随着栅极电压的变化而移动，形成一个电流。
常关型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT作为片上电容器的建模与分析
weixin_45293089的博客
03-30 1548
提出了一种精确基于物理的解析模型，用于描述p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的栅电容。该模型在形成泊松方程时考虑了p-GaN帽层中受主的不完全离子化以及Mg受主向AlGaN势垒层的外扩散，该方程与AlGaN/GaN量子阱中的电荷方程一起求解。该模型在宽偏置范围内得到了验证，与实验结果显示出良好的一致性。还使用该模型分析了单个设备参数对电容-电压（C-V）特性的影响。此外还提出了一个简化等效电路模型，以直观解释这些通常关断型器件的C-V特性。
【氮化镓】p-GaN栅极退化的温度和结构相关性
荷塘阅色
03-27 1268
本文献深入研究了带有p-GaN栅极的正常关断型(normally-off)高电子迁移率晶体管(GaN-HEMTs)在恒定电压应力下的时序退化行为。通过直流特性分析和温度依赖性分析，研究了故障时间(TTF)与应力温度和器件几何结构的依赖性。结果显示，p-GaN栅极晶体管在7.2V的栅偏压下可达到20年的使用寿命，表明了良好的稳定性。故障时间与应力电压呈指数关系，且退化主要发生在栅极边缘而非中心。此外，TTF与温度有关，具有0.48-0.50 eV的激活能。
【氮化镓】全耗尽p-GaN HEMT的栅极特性
荷塘阅色
03-28 2153
研究团队通过在Schottky型p-GaN栅极HEMTs中将传统的p-GaN转换为类似绝缘体的全耗尽p-GaN，实现了在正向栅极偏压（VGS）下的栅极电流显著降低，并改变了正向VGS分配机制，从而显著降低了器件在高温下的热载流子生成。然而，这些器件的正向栅极击穿电压（VGBD）通常受到较高的栅极电流（IG）和靠近p-GaN表面的电场限制。本研究旨在通过不充分激活（IA）Mg掺杂剂来减少p-GaN中的自由空穴浓度，从而实现全耗尽的p-GaN层，以降低正向栅极偏压下的栅极电流，并探索这种改变对器件性能的影响。
【氮化镓】GaN HEMT失效物理和可靠性
荷塘阅色
04-18 1842
本文是一篇关于AlGaN/GaN基高电子迁移率晶体管（HEMTs）的失效物理和可靠性研究的综述文章，发表在2013年10月的《IEEE Transactions on Electron Devices》上。文章由Enrico Zanoni等人撰写，主要关注了影响栅极边缘和肖特基结的失效机制，并探讨了提高这些器件可靠性的方法。
【氮化镓】GaN SP-HEMT的栅极可靠性
荷塘阅色
04-04 843
本文研究了氮化镓（GaN）肖特基型p-栅高电子迁移率晶体管（GaN SP-HEMT）的栅极鲁棒性和可靠性，通过一种新的电路方法评估了在实际转换器中栅极电压（VGS）过冲波形的栅极电压应力。研究发现，栅极的单脉冲失效边界（动态栅极击穿电压，BVDYN）和开关寿命在硬开关（HSW）和漏源接地（DSG）条件下表现出显著差异，并且与温度和VGS峰值有关。研究结果为p-栅GaN HEMTs的栅极可靠性和鲁棒性提供了新的定性方法，并揭示了栅极退化行为背后的物理机制。
氮化镓HEMT栅极偏置下的退化机制及其可靠性建模
11-05
内容概要：本文探讨了氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）在不同栅极偏置条件下的退化机制。研究发现，当栅极偏置电压超过其最大限值时，器件的可靠性和寿命受到严重影响。作者通过实验数据分析，提出了基于冲击...
【氮化镓】p-GaN AlGaN/GaN HEMTs 栅极击穿机制
荷塘阅色
04-29 92
2021 年，南方科技大学的 Guangnan Zhou 等人基于多栅扫描测量法，深入研究了 p-GaN 栅极 AlGaN/GaN HEMTs 的栅极击穿（BD）机制。首先，他们详细介绍了 GaN 材料因其高临界电场和高饱和速度等优异物理特性，在功率开关应用领域具有巨大潜力，特别是在低电压应用中，横向高电子迁移率晶体管（HEMTs）展现出成熟且优越的性能。
外延结构对微波和毫米波 GaN HEMT短沟道效应、电子俘获和可靠性的影响
荷塘阅色
03-11 752
氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMTs）因其高电流和功率密度、高击穿电压、高截止频率（fT）和最大振荡频率（fmax）以及效率等特点，成为毫米波功率放大器的理想选择。：文章回顾了150纳米及以下栅长的深亚微米GaN HEMTs的最新进展，并讨论了不同外延结构器件的短沟道效应和频率分散效应之间的权衡。：为了解决短沟道效应和分散效应之间的权衡，研究者们尝试了使用宽能带背屏障（无论是C掺杂还是未掺杂的）来减少2DEG电子与C掺杂GaN缓冲层中深能级之间的相互作用。
无意掺杂的GaN缓冲层中的陷阱能级对优化的p-GaN栅极AlGaN / GaN HEMT的影响
03-15
无意掺杂的GaN缓冲层中的陷阱能级对优化的p-GaN栅极AlGaN / GaN HEMT的影响
【氮化镓】Kevin J. Chen组新作—肖特基p-GaN HEMTs正栅ESD机理研究
荷塘阅色
07-08 1295
文章通过对Schottky型p-GaN门HEMTs在正向门ESD事件中的鲁棒性进行研究，揭示了其高瞬态正向IG的机制，这对于理解和改进这类器件的ESD保护具有重要意义。作者使用基于SiC MOSFETs的高速脉冲I-V测试系统，不仅提供了一种新的测试手段，而且通过实验数据和理论分析，为设计具有更高ESD鲁棒性的p-GaN门HEMTs提供了科学依据。
【氮化镓】一种新型的p-GaN/p-AlGaN/AlGaN/GaN异质结场效应晶体管
荷塘阅色
04-30 1966
文章提出的p-GaN/p-AlGaN/AlGaN/GaN HFET结构通过在p-GaN和AlGaN之间插入p-AlGaN层，有效地解决了选择性蚀刻过程中的表面损伤问题，并提高了阈值电压。这种结构不仅提高了器件的性能，还增强了开关操作时的安全性，对于提升增强型GaN HFET的可靠性具有重要意义。此外，文章中的实验数据和模拟结果相互印证，展示了新型结构的优势。
基于表面势的增强型p-GaN HEMT器件模型
weixin_45293089的博客
04-14 1474
该模型通过对比分析耗尽型GaN HEMT和增强型p-GaN HEMT的器件结构差异，推导出了描述p-GaN栅结构电压变化的解析公式，并充分考虑了p-GaN栅层的掺杂效应及其物理机制，进一步推导出了栅极电容和栅极电流的解析表达式。文章的结论是，研究团队成功建立了一套基于表面势计算方法的增强型p-GaN HEMT器件模型，该模型综合考虑了p-GaN层的掺杂效应以及肖特基金属/p-GaN结、p-GaN/AlGaN/GaN结构的物理特性，并在此基础上推导出了有关p-GaN栅结构的关键电压解析公式。
器件（三）：一文读懂GaN HEMT
2301_81685935的博客
10-24 7448
一直想琢磨开关管的器件选型，但一直不知道从哪里下手。最近有幸获得了一些启发，就决定先从材料方面入手，好好聊聊不同材料开关管的器件选型。
AlGaN/GaN HEMT 富Si的双层SiN钝化层
qq_31110355的博客
02-27 2325
AlGaN/GaN HEMT 富Si的双层SiN钝化层总结 1 双层SiN钝化层结构 以下是几类钝化层结构实验设计对比设置 @Huang Tongde1 Chip1: 50-nm in-situ SiNx Chip2: 59-nm ex-situ SiNx by PECVD with NH3 plasma pre-treatment at 300C Chip3: bilayer LPCVD SiNx, Si rich(10nm, DSC:NH3 flow 220:30,820C), SiNx(DSC:NH
在金属/绝缘体/p-GaN栅极高电子迁移率晶体管中同时实现大的栅压摆幅和增强的阈值电压稳定性
weixin_45293089的博客
12-17 1799
对于增强型GaN功率晶体管的发展，栅压摆幅和阈值电压稳定性通常是互相排斥的。本文展示了一种具有内置p-GaN电位稳定器(PPS)的金属/绝缘体/p-GaN栅极高电子迁移率晶体管(MIP-HEMT)，能够同时实现大的栅压摆幅和增强的阈值电压稳定性。MIP栅结构将栅压摆幅扩大到19.5V，并作为一个交流耦合电容器（常用于栅驱动器中，以加快欧姆型p-GaN栅极高电子迁移率晶体管的开关速度）。PPS由两个D型HEMT并联在金属栅和p-GaN栅之间组成。
《涨知识啦19》---HEMT 的电流崩塌效应
simucal的博客
08-24 2881
《涨知识啦19》—HEMT 的电流崩塌效应 在之前的《涨知识啦》章节中，小赛已经介绍了GaN材料中极化效应以及二维电子气（2DEG）的产生原理。因2DEG具有超高的沟道迁移率，所以2DGE可以应用在高电子迁移率晶体管（HEMT）中，而本周主要介绍的是GaN基HEMT中存在的电流崩塌现象。HEMT主要是以2DEG为导电沟道中的电流载体，通过改变栅电极偏置电压控制沟道中2DEG的通断，实现对HEMT电流的调制。由于2DEG中电子基本不受杂质散射的影响，沟道中的电子迁移率较高，所以在直流高频应用领域可以表现出优异
用silvaco仿真p-GaN增强型氮化镓HEMT，需要得到当漏极电压为0时栅极电压逐渐正向增大，栅极电流随栅极电压正向增大而逐渐增大直到击穿，给出仿真需要的代码
04-03
<think>好的，用户现在需要的是在Silvaco ATLAS中仿真p-GaN增强型氮化镓HEMT，具体是当漏极电压为0时，栅极电压逐渐正向增大，观察栅极电流随电压变化直至击穿的情况，并给出仿真代码。我需要先回顾之前的对话历史，看看用户之前的问题和我的回答，以便保持一致性。 用户之前问过肖特基结反向击穿的物理模型，我详细列出了各个模型和代码示例。现在用户的问题转向HEMT器件的仿真，特别是p-GaN增强型结构。需要明确用户的需求：他们可能是在设计或优化HEMT器件，关注栅极在正向电压下的电流特性，包括击穿现象。这可能涉及栅极的肖特基接触或p型栅结构的击穿机制。 首先，我需要确定p-GaN HEMT的结构特点。增强型通常需要p-GaN栅极来耗尽二维电子气（2DEG），在栅极加正向电压时，空穴注入可能导致电流增大，最终击穿。仿真时需要包括材料参数、物理模型（如迁移率、复合模型、隧穿、碰撞电离等），以及正确的电极设置。 接下来，用户需要的是仿真代码，所以需要构建一个ATLAS的deck文件。这包括网格定义、材料参数、物理模型激活、电极设置、求解步骤等。同时，用户提到漏极电压为0，所以可能需要将漏极接地，而栅极电压从0开始正向扫描。 需要考虑的关键点： 1. 结构定义：包括衬底、缓冲层、势垒层、p-GaN栅极。 2. 材料参数：GaN的带隙、电子亲和能，p型掺杂浓度等。 3. 物理模型：SRH复合、费米统计、场致发射隧穿（因为正向偏置可能导致栅极隧穿电流）、碰撞电离（击穿时）。 4. 电极设置：栅极作为肖特基接触，源漏作为欧姆接触。 5. 求解步骤：初始求解，栅极电压扫描，监测栅极电流。 6. 输出和可视化：保存结果，提取I-V曲线，确定击穿点。 需要检查是否需要考虑自热效应，但如果是静态特性，可能暂时不需要启用热模型。另外，确保在栅极区域网格足够细，以准确捕捉高电场区域。击穿的判断可能需要观察电流的急剧上升，同时结合电场分布。 可能遇到的挑战包括收敛性问题，特别是在高偏置时，可能需要调整求解方法和步长。另外，物理模型的参数需要根据实际材料属性校准，比如碰撞电离系数和隧穿参数。 最后，代码示例需要包括所有必要的部分，结构定义、材料参数、模型激活、界面设置、求解命令和输出。同时，可能需要注释说明关键步骤，帮助用户理解各部分的作用。</think>在Silvaco ATLAS中仿真p-GaN增强型HEMT的栅极正向击穿特性，需重点关注**栅极肖特基接触的场致发射隧穿**和**雪崩击穿机制**。以下是完整仿真代码与分步说明： --- ### **代码框架（关键注释版）** ```tcl go atlas #----------------------- 1. 结构定义 ---------------------- mesh # 纵向分层（单位：μm） region x.min=0 x.max=0.5 y.min=0 y.max=0.02 material=pGaN # p-GaN帽层 region x.min=0 x.max=0.5 y.min=0.02 y.max=0.03 material=AlGaN # AlGaN势垒层 region x.min=0 x.max=0.5 y.min=0.03 y.max=0.5 material=GaN # GaN缓冲层 # 横向电极定位 electrode name=gate x.min=0.2 x.max=0.3 y.min=0 top # 栅极（肖特基接触） electrode name=source x.min=0 x.max=0.1 y.min=0.02 bottom # 源极 electrode name=drain x.min=0.4 x.max=0.5 y.min=0.02 bottom # 漏极 #----------------------- 2. 材料参数 ---------------------- material material=pGaN eg=3.4 affinity=2.1 epsilon=9.0 \ mun=1000 mup=50 taun=1e-9 taup=1e-9 \ doping p.type concentration=1e17 # p型掺杂 material material=AlGaN eg=4.2 affinity=1.8 epsilon=9.5 polarization material material=GaN eg=3.4 affinity=2.7 epsilon=9.0 #----------------------- 3. 物理模型激活 ---------------------- models fermi temp=300 # 费米统计 srh auger bgn # SRH复合+Auger+带隙变窄 fldmob analytic # 电场相关迁移率 impact selb # 雪崩击穿模型 trapdirect # 直接隧穿模型 contact name=gate workfunc=5.1 # 金属功函数设置（肖特基势垒高度） #----------------------- 4. 界面极化电荷 ---------------------- interface qf=1e13 # AlGaN/GaN界面极化电荷密度 #----------------------- 5. 初始求解 ---------------------- solve init #----------------------- 6. 栅极电压扫描（漏极Vd=0） ---------------------- solve vgate=0.5 vstep=0.1 vfinal=10 # 从0.5V开始逐步增大至10V log outf=gate_IV.log master log=gate_IV.log #----------------------- 7. 输出设置 ---------------------- save outf=HEMT_breakdown.str tonyplot HEMT_breakdown.str ``` --- ### **关键模型与参数说明** #### **1. 栅极电流机制建模** - **场致发射隧穿（Fowler-Nordheim Tunneling）** 通过`TRAPDIRECT`模型实现，需设置隧穿有效质量： ```tcl models trapdirect td.effmass=0.22 # GaN电子有效质量比 ``` - **雪崩击穿阈值控制** 调整碰撞电离系数（与材料相关）： ```tcl impact selb alphan=3e5 betan=1.5e6 # GaN的电子电离参数 ``` #### **2. 收敛性优化技巧** - **电压步进策略** 使用自适应步长防止发散： ```tcl solve vgate=0.5 vstep=0.1 vfinal=10 climit=1e3 ``` - **非线性求解器配置** ```tcl method newton autonr itlimit=30 # 增强Newton迭代稳定性 ``` #### **3. 击穿特性验证** - **提取栅极电流曲线** 在`gate_IV.log`文件中查找`Igate`随`Vgate`变化数据，绘制曲线时应观察到： - **阶段1**（Vgate < 5V）：隧穿电流主导，指数型增长 - **阶段2**（Vgate > 5V）：雪崩击穿触发，电流陡升 - **电场分布验证** 在TonyPlot中查看`Electric Field`分布，击穿时应满足： $$\max(E_{vertical}) > 3\ \text{MV/cm}\quad (\text{GaN临界击穿场强})$$ --- ### **典型仿真结果分析** | 栅压范围 (V) | 电流机制 | 预期电流量级 | |--------------|--------------------|--------------------| | 0.5 - 3.0 | 热电子发射 | 1e-9 - 1e-6 A/μm | | 3.0 - 6.0 | 场致发射隧穿 | 1e-6 - 1e-3 A/μm | | >6.0 | 雪崩倍增主导 | >1e-2 A/μm | **注**：若需精确匹配实验数据，需通过`CALIBRATE`语句对`ALPHAN/BETAN`和`TD.EFFMASS`进行参数扫描优化。
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