用CV曲线确定肖特基势垒高度

最新推荐文章于 2023-02-04 12:25:26 发布
最新推荐文章于 2023-02-04 12:25:26 发布
阅读量5.4k 收藏 2
点赞数 1
分类专栏： 半导体
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/ocean1171597779/article/details/87989975
版权

肖特基势垒高度写成下面的形式
在这里插入图片描述
这里Vi是通过CV曲线来测定的，具体地，用
在这里插入图片描述
上面公式中的 ζ \zeta ζ代表费米能级距离导带多远
而 Δ ϕ \Delta\phi Δϕ在原文中是image force lowering of barrier height at the interface，可能跟表面态有关。

参考文献
Schottky barrier diodes on 3C-SiC

欧菲博客
关注
  • 1
    点赞
  • 踩
  • 2
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 0
    评论
专栏目录
CV功能测试
02-17
一篇很有深度的CV测试相关内容的好文，做MOS测试的人值得一读
肖特基势垒实际高度计算
DABIN945的博客
02-16 456
肖特基二极管测试
退火温度对Au/Hg3In2Te6肖特基势垒高度的影响
02-02
退火温度对Au/Hg3In2Te6肖特基势垒高度的影响，王一义，孙颉，采用真空蒸镀法在n型Hg3In2Te6表面分别制备了Au和In电极，探讨了氮气气氛下快速退火对Au/Hg3In2Te6肖特基势垒高度的影响规律。通过I-V和C-V�
肖特基二极管结构符号特性曲线
07-27
本文介绍了肖特基二极管结构符号特性曲线
扫描探针显微术入门（3）
Ivan 的专栏
12-31 4850
本文主要内容来源于V. L. Mironov 的“Fundamentals of scanning probe microscopy”。根据个人对SPM的理解略有改编。 扫描探针显微镜的工作模式 扫描隧道显微镜 扫描探针显微镜家族的第一个成员是扫描隧道显微镜。扫描隧道显微镜利用了量子力学中电子可以以一定的几率穿过一个势垒的特性。简单的说，就是当探针样品间距足够近但又没有接触时，探针与
电子技术——BJT的CV特性
jiahonghao2002的博客
02-04 2072
本节我们研究BJT的CV特性。
【白话模电2】二极管特性和分类
07-30 1667
在半导体器件中，PN结是最基本的半导体结构。如果将PN半导体封装起来，就形成的二极管器件。简单来说二极管就是一个具有单相导电性的PN结，但是在实际工程应用中，不同应用场景的需求诞生了不同类型的二极管。本文主要介绍二极管的特性和分类。...
如何形成欧姆接触_肖特基势垒的计算金属源漏接触
weixin_39887577的博客
12-11 3269
【金属-半导体接触】金属与半导体的接触分为两类：第一类是欧姆接触，指的是其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，在器件工作时，大部分的电压降在有效区域(Active region)而不在接触面，且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。形成欧姆接触的条件有两种：金属与半导体间有低的势垒高度或者半导体有高浓度的杂质掺入(N ≧1012 cm-3)；第二类是肖特基接触，指具有整流特性...
挖掘肖特基二极管结构符号及其特性曲线图
weixin_43747182的博客
12-11 1606
  　　肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。 　　因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形...
《涨知识啦4-金属半导体接触系列》---镜像力
simucal的博客
02-10 3154
根据上一讲中肖特基结形成原理的介绍，我们可知金属一侧的势垒高度由金属与半导体材料决定，不随外加偏压的变化而变化。仅由热电子发射理论，金属中越过势垒到达半导体中的电子数目取决于势垒高度，随着反向电压升高，反向电流将趋于饱和，而在实际测试中发现，随反向偏压增大反向电流也在逐渐增大，并没有理论预期的趋于饱和。 热电子发射模型是一个高度理想的模型，无法真实准确的描述复杂的肖特基接触结构，需要对该模型进行...
金属/ n-Ge系统中的肖特基势垒高度调制
03-18
由于锗的载流子迁移率比Si [1]高，因此作为半导体器件的助推剂，锗受到了广泛的关注。然而，由于n-Ge和金属之间的费米能级钉扎作用强，难以实现低电阻欧姆接触[2-3]。为了实现非欧姆和高电阻率的接触，我们必须固定费米能级。据报道，有几种方法可以实现这一目标[3-8]。在这里，我们通过插入超薄绝缘体层来研究nGe /金属中的肖特基势垒高度调制。
CV能级计算知识点汇总
09-28
各种能级计算的基础概念、方法汇总、书籍推荐、实例分析，供参考
什么是肖特基势垒
01-20
　肖特基势垒指具有大的势垒高度（也就是ΦBn 或者 ΦBp >> kT）,以及掺杂浓度比导带或价带上态密度低的金属-半导体接触（施敏, 半导体器件物理与工艺, 第二版, 7.1.2）。 　肖特基势垒是指具有整流特性的金属-...
接触电阻率测量监测掺杂物偏析引起的肖特基势垒高度变化
03-18
监测接触电阻率（rho（c））的变化，以评估由掺杂物偏析（DS）引起的肖特基势垒高度（SBH）变化。该方法对于小SBH的金属-半导体触点特别有利，因为它既不需要肖特基二极管的电流-电压表征中所需的低温测量，也不受...
沟槽氧化物对TiSix / Si功率二极管肖特基势垒高度的影响
02-24
沟槽氧化物对TiSix / Si功率二极管肖特基势垒高度的影响
PN结的仿真silvaco
热门推荐
数理文章
02-08 1万+
go athena line x loc=0 spacing=1 line x loc=20 spacing=1 line y loc=0 spacing=0.005 line y loc=0.5 spacing=0.0125 init two.d silicon c.boron=1e15 deposit oxide thickness=0.005 div=2 etch oxide start ...
迁移率随载流子浓度变化
数理文章
02-27 9434
载流子迁移率随载流子浓度变化，弱场下几乎保持恒定，然而 ![在这里插入图片描述](https://img-blog.csdnimg.cn/20190227185949993.png)
氢氟酸与氮化硅和氧化硅
数理文章
12-10 5916
实验上要用到BOE，氢氟酸缓冲液。目的是处理石墨烯，石墨烯一般是在300nm的氧硅层上的，然而氧化硅会受到氢氟酸腐蚀，导致石墨烯质量下降。所以，需要用氢氟酸处理的基片要使用氮化硅沉底。 此次氮化硅沉底购买于淘宝店，产地黑龙江，淘宝上的氮硅片只有四寸片，与实验室的光刻不兼容。所以，没有做对准标记，直接划片了。转移石墨烯等等都没有问题。用BOE处理过后，表面形貌无明显变化，至少可以说氮化硅是更适合石墨
用matlab来确定PN结势垒区内电场分布和碰撞电离率随反偏电压的变化关系。
最新发布
06-09
要在MATLAB中计算PN结势垒区内电场分布和碰撞电离率随反偏电压的变化关系，可以采用以下步骤： 1. 定义PN结的材料参数和PN结结构参数，包括载流子浓度、掺杂浓度、温度、PN结宽度等等。 2. 假设PN结在平衡态下，即零偏压状态下，势垒宽度为$W_{0}$，电场强度为$E_{0}$。可以使用Shockley方程计算出零偏压下的势垒高度和势垒宽度。 3. 对于反偏电压$V_{a}$，可以根据PN结的结构参数和材料参数计算出PN结中的电场分布。一种常用的方法是使用Poisson方程和连续性方程，结合边界条件（即零偏压下的电势和电场），求解出PN结在反偏电压下的电势分布和电场分布。 4. 通过电场分布和载流子浓度，可以计算出PN结中的碰撞电离率。一种常用的方法是使用Boltzmann方程和碰撞积分，结合载流子浓度和电场分布，求解出PN结中的碰撞电离率。 5. 将反偏电压从0逐渐增加，重复步骤3和步骤4，可以得到PN结在不同反偏电压下的电场分布和碰撞电离率。可以将这些结果绘制成图像，以展示反偏电压对电场分布和碰撞电离率的影响。 下面是一个简单的MATLAB代码示例，演示如何计算PN结在反偏电压下的电场分布和碰撞电离率： ```matlab % PN结参数 N_a = 1e17; % 掺杂浓度 N_d = 1e17; % 掺杂浓度 N_i = 1.5e10; % 固有载流子浓度 W = 1e-6; % PN结宽度 T = 300; % 温度 % 假设零偏压下势垒宽度为W0，电场强度为E0 [Vbi, W0, E0] = Shockley(N_a, N_d, N_i, T); % 反偏电压范围 V = 0:0.1:10; % 计算PN结在不同反偏电压下的电场分布和碰撞电离率 for i = 1:length(V) [Vn, Vp, xn, xp, E, mu_n, mu_p, k_n, k_p, alpha_n, alpha_p] = Poisson(N_a, N_d, N_i, T, W, V(i)); alpha(i) = alpha_n + alpha_p; end % 绘制反偏电压与碰撞电离率的关系 plot(V, alpha); xlabel('反偏电压 (V)'); ylabel('碰撞电离率 (cm^{-1})'); title('PN结在不同反偏电压下的碰撞电离率'); ``` 其中，`Shockley`函数用于计算零偏压下的势垒高度和势垒宽度，`Poisson`函数用于计算PN结在反偏电压下的电势分布、电场分布、载流子浓度、迁移率和碰撞电离率。最后，使用`plot`函数将反偏电压与碰撞电离率的关系绘制成图像。

“相关推荐”对你有帮助么？

  • 非常没帮助
  • 没帮助
  • 一般
  • 有帮助
  • 非常有帮助
提交
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值