用CV曲线确定肖特基势垒高度

最新推荐文章于 2023-04-16 09:55:51 发布
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分类专栏： 半导体
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肖特基势垒高度写成下面的形式
在这里插入图片描述
这里Vi是通过CV曲线来测定的，具体地，用
在这里插入图片描述
上面公式中的 ζ \zeta ζ代表费米能级距离导带多远
而 Δ ϕ \Delta\phi Δϕ在原文中是image force lowering of barrier height at the interface，可能跟表面态有关。

参考文献
Schottky barrier diodes on 3C-SiC

如何形成欧姆接触_肖特基势垒的计算金属源漏接触
weixin_39887577的博客
12-11 3681
【金属-半导体接触】金属与半导体的接触分为两类：第一类是欧姆接触，指的是其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，在器件工作时，大部分的电压降在有效区域(Active region)而不在接触面，且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。形成欧姆接触的条件有两种：金属与半导体间有低的势垒高度或者半导体有高浓度的杂质掺入(N ≧1012 cm-3)；第二类是肖特基接触，指具有整流特性...
【白话模电2】二极管特性和分类
07-30 2051
在半导体器件中，PN结是最基本的半导体结构。如果将PN半导体封装起来，就形成的二极管器件。简单来说二极管就是一个具有单相导电性的PN结，但是在实际工程应用中，不同应用场景的需求诞生了不同类型的二极管。本文主要介绍二极管的特性和分类。...
肖特基二极管结构符号特性曲线
07-27
本文介绍了肖特基二极管结构符号特性曲线
肖特基势垒实际高度计算
DABIN945的博客
02-16 821
肖特基二极管测试
p-n结原理2：p-n结的势垒高度和势垒厚度
world_hello_100的专栏
10-31 8078
p-n结原理2：p-n结的势垒高度和势垒厚度   2012-05-22 11:59:29|  分类： 微电子器件 |  标签：pn结  半导体掺杂  ohm接触  隧道效应  pin结   |字号大中小 订阅   Xie Meng-xian.  (电子科大，成都市)         （1）为什么p-n结势垒厚度随着掺杂浓度的提高而变薄？ ——因为在热平衡时，一定的
金属/ n-Ge系统中的肖特基势垒高度调制
03-18
由于锗的载流子迁移率比Si [1]高，因此作为半导体器件的助推剂，锗受到了广泛的关注。然而，由于n-Ge和金属之间的费米能级钉扎作用强，难以实现低电阻欧姆接触[2-3]。为了实现非欧姆和高电阻率的接触，我们必须固定费米能级。据报道，有几种方法可以实现这一目标[3-8]。在这里，我们通过插入超薄绝缘体层来研究nGe /金属中的肖特基势垒高度调制。
金半接触-肖特基接触(Schottky contact)-欧姆接触(Ohmic contact)
weixin_45293089的博客
04-13 2万+
在肖特基接触中，金属与半导体之间形成一个势垒，这个势垒可以控制电子的流动，从而实现电流的整流和调制。肖特基接触是指金属与半导体形成的接触，其接触电阻比欧姆接触大，接触电流与电压不呈线性关系。在欧姆接触中，金属与半导体之间没有形成明显的势垒，电子可以自由地通过金属和半导体之间的接触面，形成良好的电流通路。需要注意的是，某些情况下，金属与半导体之间的接触可能同时具有欧姆接触和肖特基接触的特性，这种接触被称为“欧姆-肖特基接触”（Ohmic-Schottky contact）。
电子技术——BJT的CV特性
jiahonghao2002的博客
02-04 3109
本节我们研究BJT的CV特性。
什么是肖特基势垒
01-20
　肖特基势垒指具有大的势垒高度（也就是ΦBn 或者 ΦBp >> kT）,以及掺杂浓度比导带或价带上态密度低的金属-半导体接触（施敏, 半导体器件物理与工艺, 第二版, 7.1.2）。 　肖特基势垒是指具有整流特性的金属-...
接触电阻率测量监测掺杂物偏析引起的肖特基势垒高度变化
03-18
监测接触电阻率（rho（c））的变化，以评估由掺杂物偏析（DS）引起的肖特基势垒高度（SBH）变化。该方法对于小SBH的金属-半导体触点特别有利，因为它既不需要肖特基二极管的电流-电压表征中所需的低温测量，也不受...
沟槽氧化物对TiSix / Si功率二极管肖特基势垒高度的影响
02-24
沟槽氧化物对TiSix/Si功率二极管肖特基势垒高度的影响是一项深入研究功率半导体器件中肖特基二极管特性变化的研究。肖特基二极管因其具有低正向压降和快速开关特性，广泛应用于电力电子领域。本研究通过实验方法探讨...
观察重掺杂p型SiGe的接触电阻率与肖特基势垒高度无关
02-24
根据提供的文件信息，下面将详细解析关于“观察重掺杂p型SiGe的接触电阻率与肖特基势垒高度无关”的知识点。 首先，标题指出了研究的重点是p型SiGe（硅锗合金）在重掺杂条件下的接触电阻率（contact resistivity）...
基础元件学习——其他类型二极管
Super的博客
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本文是在学习二极管电路知识过程中总结出部分重要知识点，仅供分享学习。
固体微电子学与半导体物理学（六）
最新发布
qq_54929395的博客
04-16 6469
P-N结（P-N Junction） pn结是半导体物理和半导体器件的桥梁，是现代电子产业的基石。在学习pn结知识 时，最好多联系显示应用和器件物理，对pn结有一个直观、全面、深入、立体的认识。
半导体物理 第七章 金属半导体接触及其能级图
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qq_45703030的博客
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第七章 金属和半导体的接触
挖掘肖特基二极管结构符号及其特性曲线图
weixin_43747182的博客
12-11 1816
  　　肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。 　　因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形...
TiN覆盖层可有效降低TiSix / Si功率二极管的肖特基势垒高度
03-06
在功率二极管中，肖特基势垒的存在会对电子的注入和空穴的流动产生阻碍，因此，降低肖特基势垒高度对于提高功率二极管的性能非常重要。 研究指出TiN（钛氮化物）覆盖层能够有效降低TiSi2/Si（钛硅化物/硅）功率...
肖特基二极管电源的应用分析，你了解几点？
weixin_43747182的博客
06-24 1038
在电子行业中，几乎每个工程师都知道肖特基二极管，但是你真的了解其内部结构、作用、应用领域及为什么广泛应用在高频开关电源吗？下面立深鑫电带我们来了解不一样的肖特基二极管。 肖特基二极管是由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二极管，又称为肖特基势垒二极管，属于金属半导体结型二极管。 主要特点是正向导通压降小，反向恢复时间短和开关损耗小，是一种低功耗、超高速半导体器件。缺点是耐压比较低、反向漏...
《涨知识啦4-金属半导体接触系列》---镜像力
simucal的博客
02-10 4083
根据上一讲中肖特基结形成原理的介绍，我们可知金属一侧的势垒高度由金属与半导体材料决定，不随外加偏压的变化而变化。仅由热电子发射理论，金属中越过势垒到达半导体中的电子数目取决于势垒高度，随着反向电压升高，反向电流将趋于饱和，而在实际测试中发现，随反向偏压增大反向电流也在逐渐增大，并没有理论预期的趋于饱和。 热电子发射模型是一个高度理想的模型，无法真实准确的描述复杂的肖特基接触结构，需要对该模型进行...
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