芯片可靠性验证项简单汇总

1. 芯片形态

晶圆wafer - 芯片颗粒die - 封装片package
wafer 生产出来后经过 CP 测试，标记出Good die后，进行切割、封装，得到封装芯片，也就是我们常用到的芯片形态，芯片进行 FT 测试后包装出货。
然后在芯片设计和开发过程中会对芯片进行大量的验证确保芯片功能、性能、可靠性都没有问题才可以批量生产。

2. 电气可靠性ESD

ESD：HBM/CDM/MM
EOS：Power Pin/Product External Pin
TLP
Latch-up

3. 寿命可靠性HTOL

工作条件（消费类）：芯片结温（近似表面温度）125度，工作电压设置为芯片spec上限。
HTOL168
HTOL500
HTOL1000

4. 制程工艺偏差TT&Corner

TT和SS/FF/SF/FS 4种Corner在高低温/高低压环境下进行CP/FT测试，对芯片数据进行分析。
一般Corner指PMOS和NMOS的工艺偏差，有时候会引入电阻电容的偏差进来进行验证。

5. 封装可靠性

PreCON/bHAST/TCT/等