IC可靠性

IC的可靠性受到软错误、温度、功耗和制程偏移等因素影响。软错误可能导致bit翻转;高温加剧电子迁移效应,影响设备性能和功耗;功耗过高引发的电压波动和热量可能导致故障;制程偏移影响时序路径和参数,增加故障风险。
摘要由CSDN通过智能技术生成

IC的可靠性受诸多因素的影响。

  • 软错误(soft error)
  • 温度
  • 功耗
  • 制程偏移(process variation)

1. 软错误

软错误是指,外界环境(比如宇宙高能粒子)对于IC干扰,可能造成bit位的翻转,进而可能影响系统的正确性,是一种瞬时性故障

2. 温度

  • 高温涉及很多硬件故障过程。比如,高温会加剧电子迁移效应,进而导致设备损耗乃至永久性故障
  • 高温会提高电荷载流子的浓度,增加IC的阈下泄漏功耗。
  • 高温会降低电荷载流子的移动活性,从而可能降低晶体管和互联性能;同时,降低阈值电压,从而可能提高晶体管性能。

3. 功耗

功耗分成动态功耗(dynamic power)与泄露功耗(leakage power)。这两类功耗是许多设计挑战的根源。

  • 功耗过高,会导致电流密度(current density)上升,加剧电子迁移效应,进而导致设备损耗乃至永久性故障。 -
  • 动态功耗的急剧变化,会触发供能网络上分布的电感和电容,进而引起瞬时性的电压波动。 电压波动导致的dI/dt效应,会改变逻辑组合电路的路径延时,破坏时序约束,从而导致
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