corner IC测试资料整理

参考资料

http://blog.sina.com.cn/s/blog_71462a650102vrnm.html（工艺角）

https://developer.aliyun.com/article/740391（流片Corner Wafer介绍）

https://www.zhihu.com/question/20584576（芯片出厂测试）

https://zhuanlan.zhihu.com/p/451198645（数字IC设计中的PVT参数与STA选择）

什么是corner IC测试？

  在一片wafer（晶圆）上，不同位置的载流子平均漂移速度存在偏差（和掺杂浓度、扩散深度、刻蚀程度等有关），在不同的电压和温度条件下，它们表现出的电学特性存在一定的差异，可以用参数PVT（工艺Process，电压Voltage，温度Temperature）对其进行分类。其中Process可分为5个不同的corner：
（1）TT, Typical NMOS & Typical PMOS
（2）FF, Fast NMOS & Fast PMOS
（3）SS, Slow NMOS & Slow PMOS
（4）FS, Fast NMOS & Slow PMOS
（5）SF, Slow NMOS & Fast PMOS
其中，Typical表示正常响应速度（电流为平均值），Fast表示响应速度较快（电流大），Slow表示响应速度较慢（电流小）。
  由于NMOS和PMOS的制造过程是相互独立的，二者的电学特性无相关性，所以存在以上几种corner情况。Corner IC测试指对以上几种情况（尤其是FF和SS）的芯片进行性能测试。可参考以下链接中的图来理解工艺角，
https://developer.aliyun.com/article/740391（流片Corner Wafer介绍）

corner IC测试有何意义？

  芯片制造是一个物理过程，必然存在着工艺偏差（包括掺杂浓度、扩散深度、刻蚀程度等），导致不同批次、同一批次不同晶圆、同一晶圆不同芯片之间的性能情况存在一定的差异。当差异超出芯片设计余量范围时，芯片的性能就很可能不符合设计预期，应做报废处理。
  corner IC测试可用于验证芯片设计余量是否设计合理，从而控制量产时的芯片良品率（性能达标的芯片占总芯片的比例）。具体通过制造一些用于测试的工艺角样品晶圆，即corner wafer，测试corner IC能否达到芯片设计性能要求。制造时调整Process注入浓度，模拟器件响应速度快慢，根据偏差大小设定不同等级的FF和SS，偏差通常设为±3σ（σ表示正态分布中的标准差，落在此范围内的概率为0.9973）。若corner IC的性能都能达到要求，则可初步确保量产的良品率较高，还可减少芯片量产后的测试压力（例如降低抽样比例和减少测试时间）。如果corner IC测试的结果很不理想，说明芯片的余量设计存在问题，需要从芯片设计上进行调整。