SiC MOSFET之寄生电容

1.什么是寄生电容

        咱们平常意义上的电容指的是大多给人的印象是两个极板，中间有绝缘介质，加上电压之后有电荷的积累，这可以称得上是电容。经过最近的学习，我对电容有了一些新的认识，可能很简单，浅浅分享一下。

        最近在学习MOSFET的知识，由于制作上的问题，MOSFET在制作之后，会产生寄生电容，这种电容并不是上述有类似于两个极板的结构，而只有在两种介质之间电荷的积累，产生了一种类似于电容（平常意义上）的效应，给了我们电容的假象。

2.寄生电容

        查阅了许多资料，最后发现了这篇文章，讲的比较好，下面所写的内容也主要来自这篇文章。

2.1垂直型的MOS

在下面的这个MOS的结构属于垂直型的MOS，在这里不过多解释。

2.2 寄生电容分布

        如下图所示，这张图片展示的MOSFET元胞的一个纵向切面。

        我们所说的Cgs体现在这个元胞上就是

                1.栅极对源极金属的电容Co

                2.栅极对N+区的电容CN+

                3.栅极对P- Body的电容Cp

        由这三部分组成，由于在芯片表面，源极金属，N+区和P- Body，都是等电位的。因此栅极对源极的电容容值是以上三个电容容值之和。

Cgd，是栅极对漏极的电容，又称米勒电容。

Cds，漏源极电容。这个电容的容值大小与P-Body和外延层的接触结构强相关。