优势供应NTMFS5C410NLT1G芯片

最新推荐文章于 2024-09-09 21:42:15 发布
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长期优势供应各品牌芯片：

NTMFS5C410NLT1G

MAX13487-EESA

MAX13485E SO8-1

R5F10268A

HC32L130F8uA

HC32L136K8TA-LQ64

NST1001

CSD59950RWJ

IPP60R070CFD7

RAA2213204S05GNP#HB0

PM8238A-F3EI

CY8C4013LQI-411

B50210B0KMLG

RAA2213404S05GNP#HB0

RAA2213204S05GNP#HB0

CC0402KRX5R8BB104

CC0402KRX7R8BB104

GRM188R61E105KA12D

CY8C4013LQI-411

BSC016N06NS

VS6305 

OBGZ33AP 

OB2560MP  

IP5209 

SF5533  

OB2560PAP  

ACT4501 

MP9447GL  

FP8103XR-G1

SE8533X2-HF

74LVC1G06GW

ICN6211

GM8285C

CSNP4GCR01-AMW

ME6209A18M3G 

PQ05DZ51 

UZ1086 

UCC2946D_S08

TLC555IDR

SP3238EEA 

TC7SO8F

SP3485

UT3401 SOT-23

WS3232ECA

W25Q128FVFIG

UM1770Y-00 ADJ500MA 

TXS0102DCTR

WXT-1104FS003

STM32F401RET6 

HT7318 SOT89

SRVO5-4 SOT-23 6L

SY8009AAAC  

QCA9531-BL3A

W971GG6SB25I

RTC5606H

SCT2632ASTE

LMV612MA

K4B4G1646E-BCNB

MXC62025X

MXD8546C

MXD8621

MXD8621

MXD8631

MXD8641

MXD8661

MXD8661H

MXD8666HF

MXD86C0S

MXD86C2

MXD8921QG

MXDLN16GE

MXDLN16U

MXDLN16UE

MXM1120

N25W128A11EF740G  

N303-3Q

NC7SP04L6X

NC7SP34L6X

NC7SV125P5X

NCEMAD9D-16G

NCEMASLD-32G

NCEPNA6M4-0808

NCF3320EHN/0Y

NCLD4C1MA256M32

NCLD4C2MA512M32

NCP1422MNR2G

NCP1851BFCCT1G

NCP1854FCCT1G

NCP1854FCCT1G

FLYAOTO
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NTMFS4C10NT1G功率MOSFET 30 V46 A单N通道SO-8 FL
szriley123的博客
03-18 622
NTMFS4C10NT1G 功率MOSFET30 V，46 A，单N通道，SO-8 FL 特征 •低RDS（on）以最小化传导损耗 •低电容，最大限度地减少驾驶员损失 •优化栅极电荷，最大限度地降低开关损耗 •这些器件无铅，无卤素/ BFR，符合RoHS标准 合规 应用 •CPU供电 •DC-DC转换器 品牌：ON 型号；NTMFS4C10NT1G 封装：DFN8 包装：3K 年份：16+ 数量...
NTMFS4C08NT1G功率MOSFET30 V 52 A 单N通道 SO-8 FL
szriley123的博客
03-16 1312
NTMFS4C08NT1G功率MOSFET30 V，52 A，单N通道，SO-8 FL 特征 •低RDS（on）以最小化传导损耗 •低电容，最大限度地减少驾驶员损失 •优化栅极电荷，最大限度地降低开关损耗 •这些器件无铅，无卤素/ BFR，符合RoHS标准 合规 应用 •CPU供电 •DC-DC转换器 耐热最大额定值 参数符号值单位 结到壳（漏极）RJC 4.9 °C / W 结点到环境 - ...
NTMFS4C028NT1G NTMFS4C09NT1G N-场效应管 MOS
Mandy_mjd的博客
04-21 572
NTMFS4C028NT1G NTMFS4C09NT1G N-场效应管 MOS 中文规格 1、MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN 型号：NTMFS4C028NT1G 参数 FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16.4A（Ta），52A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.73 毫欧 @ 30A，.
NTMFS4C024NT1G NTMFS4C029NT1G 30V N-CH MOS管 晶体管
Mandy_mjd的博客
04-28 614
NTMFS4C024NT1G NTMFS4C029NT1G N-CH 30V MOS管 晶体管 中文规格pdf 1、MOSFET N-CH 30V 21.7A/78A 5DFN 场效应管 型号：NTMFS4C024NT1G 年份：新 FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21.7A（Ta），78A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V 不同 Id、Vgs .
NTMFS4C05NT1G N-CH 30V 11.9A MOS管,PDF
Mandy_mjd的博客
06-30 2146
NTMFS4C05NT1G N-CH 30V 11.9A MOS管
晶体管 NTMFS4C55NT1G PDF,MOSFET N-CH 30V 78A
06-30 127
晶体管 NTMFS4C55NT1G PDF,MOSFET N-CH 30V 78A
【规格】NRVHPAF320T3G整流二极管 、NRVBAF1540T3G、NSVBASHxxMX2WT5G开关二极管，NXH400B100H模块、NTMFS3D0N08XT1G功率MOSFET
07-31 847
二极管NSVBASH20MX2WT5G、NSVBASH21MX2WT5G、NSVBASH19MX2WT5G设计用于开关应用。
5101是多大的电阻_贴片电阻1206-5101(5.1K) 1206
weixin_30129025的博客
12-29 9026
贴片电阻1206-5101(5.1K) 1206代理经销DIP/SMD集成电路 二极管 三极管 集成IC 可控硅 场效应 三端稳压 光电耦合 霍尔元件 快恢复肖特基 IGBT高频管单片机达林顿 超快速恢复 大中小功率管等.因产品品种较多,具体产品请电询!广州市广源电子有限公司 电话:020-83397773 手机:13926066115(林先生) QQ:943978735代理经销:ST TI ...
华为scp快充协议详解_华为5V/8A超级快充实测+拆解：用料良心
weixin_39946029的博客
12-23 5567
天下武功，唯快不破，手机充电就是要快。目前各个厂家的快充技术大致分两种，一种是高通的高压快充，另一种是VOOC的低压大电流快充。两种技术各有各的特点，高压快充对线材要求较低，兼容性好，而低压大电流快充除了协议之外，往往需要厂家特定的线材支持。华为手机较早的快充技术是高压快充的FCP，而后推出了低压大电流的SCP快充。拿到华为支持SCP快充技术的充电器，做个拆解以飨读者。这款充电器的型号为：HW-0...
NTMFS5C628NLT1G_2018-01-12.PDF
03-23
NTMFS5C628NLT1G_2018-01-12.PDF 本文档介绍了一款 N−Channel MOSFET，型号为 NTMFS5C628NLT1G，属于 ODrive 相关文档的一部分。该 MOSFET 具有小型 footprint、低 RDS(on) 和低 QG 和电容等特点，适合于 Compact ...
NTMFS5C628NL-D.PDF
03-23
NTMFS5C628NL-D MOSFET 详解 本文档介绍了 NTMFS5C628NL-D MOSFET 的特性、参数和应用信息。该器件是一种 N-Channel MOSFET，具有小尺寸、低导通电阻和低容抗等特点，适用于功率电子和电源管理应用。 器件特性 ...
NTMFS5C450NL
04-05
1. 低导通电阻（RDS(on)）：NTMFS5C450NL的RDS(on)非常低，仅为2.8毫欧（在10伏门极-源极电压下），这有助于减少传导损耗，提高电源效率。 2. 低栅极电荷和电容：该器件具有低QG（栅极电荷）和低电容，可以减少驱动...
NTMFS4701NT1G的技术参数
12-11
产品型号:NTMFS4701NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):6.0@10V最大漏极电流Id(on)(A):20通道极性:N沟道封装/温度(℃):SO-8FL/-55 ~150描述:30 V, 20 A功率MOSFET价格/1片(套):￥6.80 
NTMFS4708NT1G的技术参数
12-11
产品型号:NTMFS4708NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):19最大漏极电流Id(on)(A):19通道极性:N封装/温度(℃):SO-8FL/-55~150描述:30V,19A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无 
MFC工控项目实例之十二板卡测试信号输出界面
最新发布
weixin_42350092的博客
09-09 249
MFC工控项目实例之十二板卡测试信号输出界面
5G毫米波阵列天线仿真——CDF计算（方法一）
a18665053298的博客
09-09 724
如果设计不当，比如CDF=0.5时的EIRP本身不够高，虽然可以加大激励信号功率，使CDF曲线整体右移，但是要冒着总辐射功率（TRP）超标的风险。虽然CDF=0时的EIRP才是能达到球形辐射状态的最小的EIRP值，考虑实际环境限制和损耗，3GPP标准实际则要求CDF=0.5时的EIRP，比如要达到至少11.5dBm。此外，这个后处理还生成一个新的远场结果，后缀为[comb-am-ph]，这个远场只有一个EIRP波束，我们需要多个EIRP波束的扫描结果来算总体的CDF。扫描之前，还需要定义后处理扫描全图。
海洋运输船5G智能工厂物联数字孪生平台，推进制造业数字化转型
kingrab3D的博客
09-04 414
海洋运输船5G智能工厂物联数字孪生平台，推进制造业数字化转型。在当今全球制造业的浪潮中，数字化转型已成为不可逆转的趋势，它不仅重塑了生产流程，更深刻影响着企业的竞争力与可持续发展能力。其中，海洋运输船5G智能工厂物联数字孪生平台的兴起，正以前所未有的方式推动着制造业向智能化、高效化、绿色化迈进，为全球经济版图绘制出一幅崭新蓝图。
5G移动网络运维实验(训)室解决方案
whwzzc的博客
09-06 1047
5G核心网设备采用了服务化架构设计，能够支持高效的数据处理和灵活的服务部署，模拟真实的5G网络环境，为实验提供稳定且可靠的网络基础。该方案的核心亮点在于其深度整合的5G核心网络设备，这些设备不仅支持服务化架构，还实现了高效的数据处理能力和灵活的服务部署策略，为实验环境奠定了坚实的网络基础。安全性方面，实验（训）室构建了全方位的安全防护体系，通过采用先进的网络安全防护措施，确保实验数据在传输、存储及处理过程中的安全性与完整性，为实验教学与研究活动提供坚实的安全保障。5G移动网络运维实验(训)室效果图。
NTMFS5C628N MOSFET 技术规格
"NTMFS5C628N-D.PDF 是一款由 Semiconductor Components Industries, LLC 在2019年发布的N沟道MOSFET功率晶体管，主要用于紧凑型设计。这款器件具备低RDS(on)以减少传导损耗，低QG和电容以降低驱动损失，并且符合...
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