晶体管 NTMFS4C55NT1G PDF,MOSFET N-CH 30V 78A

MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。

特征
符合AEC-Q101标准，并具有PPAP功能
小型封装，实现紧凑设计
超低RDS(ON)，降低导通损耗
经过优化的栅极电荷，降低开关损耗
高功率密度
出色导热性能
效率更高
无卤、无铅，符合RoHS指令

NTMFS4C55NT1G MOSFET N-CH 30V 78A
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11.9A（Ta），78A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On：3.4 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）：2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1972pF @ 15V
功率：770mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerTDFN
供应商器件封装：5-DFN，8-SO 扁引线（5x6）

应用
电机驱动器
DC-DC转换器
电源负载开关
电池管理
高端计算
注：本文部分内容与图片来源于网络，版权归原作者所有。如有侵权，请联系删除!