电力电子器件 -- 功率二极管

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分类专栏：电力电子技术笔记文章标签：单片机嵌入式硬件笔记学习电力电子

于 2024-05-15 10:26:59 首次发布

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一、PN结原理介绍

1.本征半导体

Si元素是14号元素，在被用作半导体材料时，最外层有四个电子，当最外层的每个电子与相邻的硅原子共享时，构成了共价键；
即使一个硅原子和其他四个硅原子刚好共享四个电子构成了四个共价键，也会产生少量的自由电子和空穴对；
随着温度的升高，自由电子和空穴对将会增加。

2.N掺杂

N掺杂就是会有自由电子；
N掺杂掺杂价电子为5的磷元素；
其中有一个电子可以自由移动。

3.P掺杂

掺杂价电子为3的铝元素；
其中有一个可放置电子的空穴
相邻电子可随时补上，电子移动即空穴相对运动；

4.PN结

4.1. P型半导体

组成：P型半导体是通过掺杂接受体杂质（如硼）而形成的。在硅基材中掺入硼原子后，硼原子有三个价电子，这使得硅晶格中缺少一个电子，形成“孔”。
载流子：P型半导体中的主要载流子是孔（正电荷），即空穴为多子。孔的存在使得电子能够在晶格中移动，从而实现电流的流动。

4.2. N型半导体

组成：N型半导体是通过掺杂施体杂质（如磷）形成的。在硅基材中掺入磷原子后，磷原子有五个价电子，导致有一个多余的电子。
载流子：N型半导体中的主要载流子是自由电子（负电荷）即电子为多子。这些自由电子可以在晶格中自由移动，使得电流得以流动。

4.3. PN结的形成

接合：当P型半导体和N型半导体接触时，N区自由电子浓度高会从N型区扩散到P型区，与孔结合（扩散运动），形成耗尽区。
耗尽区：在这个区域，由于电子与孔的复合，导致没有自由载流子存在，从而形成了一个电势势垒。耗尽区的存在是PN结的重要特性。

4.4. 电势势垒

形成机制：耗尽区中，P型和N型区域的电荷分布不均匀，P型区的孔和N型区的电子形成了内建电场，造成电势势垒。
N区材料本体呈电中性（自由电子和正供体离子数目相等），耗尽层N侧失去电子，仅留下正离子，呈现出正电性；P区情况则相反。
功能：该势垒使得PN结在没有外加电压时不导通，起到重要的整流作用。

4.5. 极性

正向偏置：当P型区连接到正电压（和PN结内部电子流动方向一致），N型区连接到负电压时，PN结导通，电流流动。

势垒区产生的电场方向与外加的电场方向相反。
当外加电场电压赋值大于势垒区的电场电压赋值，才会有电流的产生，这个电压称为正向偏置电压（硅元素0.7V），如下图：
当PN结达到正向偏置电压时，以下结果会出现：

导通：正向偏置使得P型区域连接到正电压，N型区域连接到负电压，降低了电势势垒，从而允许电子从N型区流向P型区，形成电流。
电流增加：随着正向电压的增加，流经PN结的电流迅速增加。电流的增加通常遵循指数关系，即电流随电压的增加呈现非线性增长。
热效应：导通电流增加可能导致PN结内部产生热量，特别是在高电流下，这需要注意散热管理，以防止器件过热损坏。
特性变化：在某一导通电压（通常约为0.7V对于硅二极管），PN结完全导通，进入饱和状态，此时电压变化对电流的影响逐渐减小，如下图：

反向偏置：当P型区连接到负电压（势垒区的电子流动方向和反向电压的相反），N型区连接到正电压时，PN结不导通，电流几乎为零。

阻断导通：P型区域连接到负电压，N型区域连接到正电压，导致电势势垒增大，从而阻止电子从N型区流向P型区，PN结不导通。
耗尽区增宽：反向偏置时，耗尽区会增宽，因电子和孔的复合减少，导致该区域内几乎没有自由载流子。
微小反向电流：在反向偏置下，尽管PN结不导通，但仍会存在微小的反向饱和电流，主要由热激发的少量载流子引起，通常很小且相对恒定。
击穿现象：如果反向电压继续增加到某个临界值（击穿电压），PN结可能会发生击穿，此时电流会急剧增加。这种现象可以是可控的（如齐纳二极管）或不可控的（如普通二极管），可能导致器件损坏。

5.雪崩击穿

雪崩击穿是一种在反向偏置条件下发生的击穿现象。

5.1. 击穿机制

高反向电压：当PN结受到高反向电压时，耗尽区的电场强度增大。
载流子撞击：高电场使得少数载流子（电子或孔）获得足够的能量，与晶格中的原子碰撞，释放出更多的载流子。
连锁反应：这些新产生的载流子会进一步加速并产生更多的载流子，形成连锁反应，导致电流迅速增加。

5.2. 特性

突发性：雪崩击穿是一种突发性的现象，电流在击穿点迅速上升。
击穿电压：每种材料和结构都有一个特定的击穿电压，超过此电压时，雪崩击穿会发生。
热效应：在高电流条件下，可能会产生大量热量，导致器件损坏，除非采取适当的热管理措施。

5.3. 应用

齐纳二极管：利用雪崩击穿特性，可以设计出齐纳二极管，用于稳压和过压保护。
高功率设备：在某些高功率应用中，雪崩击穿可被利用，以控制电流和电压。

6.齐纳击穿（隧道击穿）

齐纳击穿是一种特定类型的击穿现象，通常发生在PN结的反向偏置状态下。它是由高电场引起的，并且通常发生在低击穿电压的情况下

6.1. 机制

高电场影响：在反向偏置下，PN结的耗尽区会增宽。若施加的反向电压足够高，耗尽区内的电场强度会变得非常大。
量子隧穿：在高电场的影响下，价带中的电子可以通过量子隧穿效应“跳跃”到导带，从而产生电子-孔对。这种效应使得少量的载流子在没有碰撞的情况下产生，导致电流增加。

6.2. 特性

低击穿电压：齐纳击穿通常发生在较低的反向电压（通常小于5V），与雪崩击穿不同，后者通常在较高电压下发生。
温度稳定性：齐纳击穿对温度变化较敏感，其击穿电压会随温度的升高而下降。
可控性：齐纳二极管（利用齐纳击穿原理）可用于电压稳压，提供稳定的输出电压。

6.3. 应用

电压稳压：齐纳二极管常用于稳压电路，可以在特定的反向电压下保持恒定电压，广泛应用于电源和信号处理电路。
过压保护：在电路中使用齐纳二极管可以有效地保护后续电路不受过电压的影响。

7.扩散电容

二极管的扩散电容是指在二极管的PN结区域，由于载流子扩散引起的电容效应。这种电容在二极管的动态特性中发挥重要作用，尤其是在高频应用和开关操作中。

7.1. 定义

扩散电容：当二极管导通时，正向偏置下的载流子（电子和孔）在PN结附近扩散。这种扩散过程导致了电荷存储，从而形成了电容效应，即扩散电容。

7.2. 形成机制

载流子注入：在正向偏置条件下，电子从N型区注入到P型区，同时孔从P型区注入到N型区。这些载流子会在PN结附近积聚。
电荷积累：当电流通过二极管时，随着电压的变化，PN结区域的电荷分布也会发生变化，形成电容。

7.3. 特性

依赖于电流：扩散电容的值与通过二极管的电流成正比。电流越大，存储的电荷量越多，电容值也越大。
动态特性：在开关操作中，扩散电容会影响二极管的开关速度，因为电荷的积累和释放需要时间。

7.4. 影响因素

温度：温度变化会影响载流子的运动和电流特性，从而影响扩散电容的大小。
材料和结构：不同类型的二极管（如硅、锗、肖特基等）和不同的结构设计会影响扩散电容的特性。

7.5. 应用

高频应用：在高频电路中，扩散电容会影响信号的传输速度和波形，因此需要在设计中考虑。
开关电路：在开关电源和快速开关应用中，扩散电容会影响开关损耗和效率。

8.势垒电容

势垒电容是指在PN结中，由于耗尽区的存在而形成的电容。它是二极管等半导体器件的重要特性之一，主要影响器件的动态行为。

8.1. 定义

势垒电容：当PN结处于反向偏置或正向偏置时，PN结的耗尽区会形成电场，导致电荷分布不均匀，从而在PN结两端产生电容效应。

8.2. 形成机制

耗尽区：在反向偏置下，耗尽区宽度增加，存储的电荷（正负电荷的分离）形成电场。
电荷存储：随着外部电压的变化，耗尽区的宽度和电场强度发生变化，导致电荷的积累和释放，从而形成电容。

8.3. 特性

电容值依赖于电压：势垒电容的大小与施加在PN结上的电压有关，通常在反向偏置时表现为反向电压越大，势垒电容越小。
非线性特性：势垒电容随电压变化而变化，呈现非线性特性。这使得其在不同工作条件下的表现不一致。

8.4. 影响因素

材料特性：不同材料（如硅、锗）和结构会影响势垒电容的大小和特性。
温度：温度变化会影响载流子的浓度和移动性，从而影响势垒电容的值。

8.5. 应用

高频电路：在高频应用中，势垒电容会影响信号的传输和频率响应，因此在设计中需要考虑其影响。
开关电源：在开关电源和快速开关电路中，势垒电容会影响开关速度和效率。

二、功率二极管的引出

1.功率二极管的需求

正向偏置和反向偏置的时候，对于二极管的要求有所不同，但是想要达到两个目标要求进行的调和是矛盾的：

2.功率二极管的引出

功率二极管通常会加入N-掺杂区，以优化其性能。
N-和N+交界处形成耗尽层，比较窄，可以忽略
N-和P+交界处形成耗尽层

2.1. N-掺杂区的作用

增加载流子浓度：N-掺杂区（例如掺入磷或砷的硅）会增加该区域的自由电子浓度，使其在导通时能够更有效地导电。
增强导电性能：通过优化掺杂浓度，功率二极管可以在高电流条件下保持较低的正向压降，从而减少功率损耗。

2.2. 高功率处理

高温稳定性：功率二极管的设计考虑了热特性，N-掺杂区域的配置有助于提高在高温和高电流下的稳定性和可靠性。
热管理：由于功率二极管处理的功率较大，设计时需要有效的热管理措施以防止过热。

3.功率二极管在反向偏置中的优势

3.1. 高反向耐压能力

承受高电压：功率二极管设计时具有较大的耗尽区，使其能够承受高达几千伏特的反向电压，适合于高压电源应用。
N-区越宽，可承受的反向电压越高，足够高的反向电压还可以使整个N-区域耗尽，甚至扩展到N+区。
N-区掺杂浓度低，接近于本征半导体，可承受较高的外冲击电压。

3.2. 低反向漏电流

降低功耗：在反向偏置下，功率二极管的反向漏电流通常较小，有助于减少静态功耗，提升系统的能效。

3.3. 良好的热稳定性

耐高温：功率二极管能在较高温度下稳定工作，适合于高温环境，减少因温度升高导致的故障风险。

3.4. 快速恢复特性

适合高频应用：某些类型的功率二极管（如快速恢复二极管）在反向偏置状态下具有较短的反向恢复时间，能够在高频应用中有效工作，降低开关损耗。

3.5. 反向恢复能力

减少反向恢复损耗：在关闭状态时，功率二极管能够迅速从导通状态切换到截止状态，减少了反向恢复期间的能量损耗，适合于开关电源和逆变器等应用。

4.功率二极管在正向偏置中的优势

1. 低正向压降

减少功率损耗：功率二极管在导通状态下的正向压降通常较低（约0.7V到1.5V），这可以显著降低功率损耗，提高整体系统效率。

2. 高电流承载能力

大电流处理：功率二极管能够承受从几十安培到数百安培的电流，适用于高功率应用，如电源、变频器和电动机驱动。

3. 快速导通响应

高效开关：在正向偏置条件下，功率二极管能够迅速导通，这对于快速开关应用（如开关电源）非常重要，能够提高系统的动态响应能力。

（虽然N-区的电子较少，但是正偏中电子的流动主要是由N+区提供的，并不会影响电流）：

足够的外部电压是的P+N-结势垒区消失
正向偏置作用下，电子源源不断从N+区、N-区、P+区扩散，再回到外部电路。导通。

5.增加了N-区的影响

耗尽层增加之后，反向耐压能力增强，进而导致导通电阻增加，电阻增加，势必会令压降增加：

6.功率二极管的介绍

6.1.结构

功率二极管的N区一般都会比P区做大，这是因为可以提高反向耐压能力：

6.2.符号

阳极A、阴极K

7.功率二极管的封装

三、功率二极管的静态特性

1.动态特性和静态特性

2.反向偏置时的静态特性

2.1. 反向电流（IR）

漏电流：在反向偏置下，功率二极管的反向电流非常小，称为漏电流（IR）。通常在微安级别。
温度依赖性：反向电流会随着温度的升高而增加（反向电压相反），这是因为温度升高使得更多的载流子产生。这个现象在设计中需要考虑，以避免过热导致的失效。

2.2. 反向电压（VR）

反向耐压：功率二极管的反向偏置可以承受一定的电压，称为反向耐压（VR）。在此电压下，二极管仍然不导电，保持极低的漏电流。
击穿电压（VBR）：当反向电压超过某一临界值时（击穿电压），二极管会进入击穿状态，电流会急剧增加。这种击穿通常是在高电压条件下发生，设计时应避免长时间在此状态下运行。