2.2 不可控器件——电力二极管
2.2.1 电力二极管的工作原理
2.2.2 电力二极管的基本特性
2.2.3 电力二极管的主要参数
2.2.4 电力二极管的主要类型
2.2.5 小结
2.2.1 电力二极管的工作原理
电力二极管(Power Diode)也称为功率二极管或半导体整流器(Semiconductor Rectifier,简称SR),属于不可控电力电子器件。
应用范围:不可控整流、电感性负载回路、电压源型逆变电路无功回路、电流源型逆变电路中的换流隔断等场合。
基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管一样。
由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。
PN结的几个概念:在P和N区交界面附近,形成一个空间电荷区(耗尽层,无多数载流子);正负电荷相互作用,形成内电场;薄层形成的空间电荷区称为PN结;电位差对载流子而言是一种势垒。
从外形上看,有螺栓型、平板型,还有模块等封装。
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电力二极管其结构和原理简单,工作可靠,大量应用于许多电气设备中。
快恢复二极管和肖特基二极管:开通和关断速度很快,应用在中、高频整流和逆变场合。
PN结的状态:
二极管的基本原理就在于PN结的单向导电性。
PN结的反向击穿(两种形式(可逆),均可能导致热击穿(不可逆)):
雪崩击穿:碰撞电离,倍增效应;
齐纳击穿:稳压二极管。
PN结的电容效应——PN结的电荷量随外加电压而变化,呈现电容效应,称为结电容,又称为微分电容;结电容按其产生机制和作用的差别分为势垒电容
(在外加电压变化时起作用)和扩散电容
(在正向偏置时起作用);结电容影响PN结的工作频率,特别是高速的开关状态。
2.2.2 电力二极管的基本特性
静态特性:
主要指伏安特性。
门槛电压,指正向电流才开始明显增加,处于稳定导通状态。
与对应的电力二极管两端的电压即为其正向电压降
。
电导调制效应:随着电流增大,伏安特性曲线的斜率增大,等效电阻变小;存在于两种载流子都参与工作的情况。
承受反向电压时,只有少子引起的微小而数值稳定的反向漏电流。
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动态特性:
电压—电流特性是随时间变化的,因为存在结电容和线路电感。
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关断过程:
结电容:有反向电流,开始阶段电压极性未改变,图中1。
电感:反向电流突降,图中2,明显的反向电压过冲,图中3。
延迟时间:
(最大反向电流)
(正向电流为0),
电流下降时间:
(di/dt趋近0,稳定反向电流)
,
反向恢复时间:
恢复特性的软度:下降时间与延迟时间的比值 ,或称恢复系数,用
表示,值越大,恢复特性越软。
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开通过程:
正向压降出现一个过冲,经过一段时间才接近稳态压降的某个值(如2V)。
过冲的原因:1)少子储存时间,稳态导通之前管压降较大;2)正向电流的上升会因器件自身的电感而产生较大压降(u = di/dt)。电流上升率越大,越高。
正向恢复时间。
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2.2.3 电力二极管的主要参数
正向平均电流:
额定电流:指电力二极管长期运行时,在指定的管壳温度(简称壳温,用表示)和散热条件下,其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值
。
, 有效值
, 两者之间的关系
,
对于工频正弦半波电流波形来说,波形系数: 。波形不同比值不同。
(平均值)是按照电流的发热效应来定义的,使用时应按有效值相等的原则来选取电流定额,额定100A的二极管可以通过157A的电流有效值,并应留1.5—2倍的裕量。
正向压降:指电力二极管在指定温度下,流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向压降。
反向重复峰值电压:能重复施加的反向最高峰值电压。留有2—3倍的裕量。
反向漏电流:当器件承受
时的反向电流。
最高工作结温:PN结所能承受的最高平均温度。通常125~175℃。
反向恢复时间:
浪涌电流:所能承受最大的连续一个或几个工频周期的过电流。最大允许非重复浪涌电流,体现了二极管抗短路冲击电流的能力。
2.2.4 电力二极管的主要类型
按照正向压降、反向耐压、反向漏电流等性能,特别是反向恢复特性的不同,介绍几种常用的电力二极管。
普通二极管(General Purpose Diode):
又称整流二极管(Rectifier Diode),多用于开关频率不高(1kHz以下)的整流电路中;其反向恢复时间较长,一般在5以上;其正向电流定额和反向电压定额可以达到很高。等级齐全,有等级很高的品种。
快恢复二极管(Fast Recovery Diode——FRD):
恢复过程很短,特别是反向恢复过程很短,一般在5以下;快恢复外延二极管(Fast Recovery Epitaxial Diodes——FRED),采用外延型P-i-N结构,其反向恢复时间更短(可低于50ns),正向压降也很低(0.9V左右),其反向耐压多在1200V以下;从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级,前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100ns以下,甚至达到20~30ns。
肖特基二极管(Schottky Barrier Diode——SBD):
以金属和半导体接触形成的势垒为基础(以贵金属金、银等为正极,以N型半导体为负极)的二极管称为肖特基势垒二极管,属于多子器件。
优点:反向恢复时间很短(10~40ns),正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲;在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小,0.3V左右,明显低于快恢复二极管;因此,其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小,效率高。
弱点:当所能承受的反向耐压提高时其正向压降也会高得不能满足要求,因此多用于200V以下的低压场合;反向漏电流较大且对温度敏感,因此反向稳态损耗不能忽略,而且必须更严格地限制其工作温度。