电力电子器件 -- 功率三极管

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分类专栏：电力电子技术笔记文章标签：单片机嵌入式硬件学习

于 2024-05-15 15:55:38 首次发布

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学习来源（只用于个人学习笔记，建议对着老师视频学习理解更深入）：03 功率三极管 (Power BJT) A_哔哩哔哩_bilibili

二极管钳位作用：3个很简单的电路，让你了解二极管的钳位作用_哔哩哔哩_bilibili

一、三极管NPN原理

1.NPN结的结构

NPN三极管是一种常见的双极型晶体管，通常由三个区域组成：发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。这些区域通过外部电路连接，并在各个区域之间形成PN结。

发射极（Emitter）： 通常标记为E，是NPN三极管中掺杂最高的区域。其主要任务是向基极注入大量的载流子（电子）。
基极（Base）： 通常标记为B，是NPN三极管的控制端。当在基极和发射极之间施加适当的电压时，它控制着发射极和集电极之间的电流。
集电极（Collector）： 通常标记为C，是NPN三极管中掺杂最轻的区域。其主要任务是从基极中吸收电子，并把电子传递给外部电路。

在正常工作状态下，NPN三极管的电流流动方向是从发射极到基极，然后再流向集电极。当在基极和发射极之间施加一个正向电压时，这会导致发射极和基极之间的PN结正向偏置。这种偏置使得发射极向基极注入电子，形成发射极电流。然后，这些电子会受到基极和集电极之间的电场影响，进而控制集电极电流的大小。

2.只接一个外接电压

3.接两个外接电压

两条电路的电流方向，在内部基极和发射极的那个电路，电子主要是扩散运动，外部基极和集电极的这个是漂移运动，左侧N是发射极：

4.NPN结的工作原理

4.1.什么是正向偏置和反向偏置？

正向偏置和反向偏置是指在PN结（即p型半导体和n型半导体的结合处）中施加外加电压的方向和效果。

正向偏置： 当在PN结上施加一个正向电压时，即p端连接到正极，n端连接到负极，这会导致PN结变窄，电子和空穴会被吸引向结合区域。正向偏置的结果是增加了电子与空穴的结合，使得电流可以通过PN结流动。在NPN三极管中，当在基极和发射极之间施加正向电压时，基极-发射极的PN结正向偏置，允许电子流动。
反向偏置： 当在PN结上施加一个反向电压时，即p端连接到负极，n端连接到正极，这会导致PN结变宽，阻止电子和空穴通过结合区域流动。反向偏置的结果是减少了电子与空穴的结合，使得电流无法通过PN结流动。在NPN三极管中，基极-集电极的PN结通常处于反向偏置状态，以阻止电流流动。

正向偏置通常用于激活PN结并允许电流流动，而反向偏置则用于阻止电流流动或者限制电流流动的方向。在电子器件中，如二极管和晶体管，正向偏置和反向偏置的应用可以控制电路的行为和性能。

4.2.NPN三极管的工作原理

基于PN结的导电特性以及外加电压对这些区域的影响。以下是NPN三极管的工作原理：

静态工作状态： 在没有外加电压时，NPN三极管处于静态工作状态。此时，基极与发射极之间的PN结呈正向偏置，而基极与集电极之间的PN结呈反向偏置。
输入信号施加： 当在基极和发射极之间施加一个适当的正向电压时，例如通过连接一个电源或其他信号源，会增加发射极电流。这个电流是由于外加电压使得基极与发射极之间的PN结正向偏置，从而使得发射极注入电子到基极中。
放大效应： 当基极注入了电子后，这些电子会受到基极和集电极之间的电场的影响，从而进入集电极。由于集电极与基极之间的PN结是反向偏置的，因此这些电子的注入会受到一定的电阻，控制集电极电流。这样，输入信号的小变化就可以通过控制基极电流来放大，形成输出信号。
放大器或开关： 由于NPN三极管具有放大效应，因此它可以用作放大器，将微弱的输入信号放大到更大的幅度。此外，通过控制输入信号的大小，也可以将NPN三极管用作开关，将电路打开或关闭。

用小流量（基极电流）控制大流量（集电极电流）：

二、功率BJT的引出

1.BJT的引出

在三极管的结构上加了N-区。

功率三极管和普通三极管之间有几个重要的区别：

承受电流和功率能力： 功率三极管通常设计用于承受更高的电流和功率。它们具有更大的结构尺寸和更高的热稳定性，以便在高功率应用中工作。相比之下，普通的小功率三极管通常设计用于低功率应用，其承受电流和功率能力较低。
结构和封装： 由于功率三极管需要承受更大的电流和功率，因此它们通常具有更大的封装体积和更好的散热性能。功率三极管的封装通常更加坚固，可以在高温和高压下工作。普通三极管的封装体积较小，通常用于小型电子设备或电路中。
用途和应用场景： 功率三极管常用于大功率放大器、开关电路、电源管理等需要高功率处理的场合。普通三极管则更常见于低功率电子电路中，例如放大器、逻辑门、计时器等。
电特性和参数： 由于功率三极管需要处理更大的电流和功率，因此它们的电特性和参数可能与普通三极管有所不同。例如，功率三极管的饱和电压可能较高，而开启时的电压降较低，以适应高功率应用的要求。

发射极的掺杂浓度高才可以在主电路流过更大的电流。

2.功率BJT的原理

3.BJT的封装

三、功率BJT的静态特性

1.BJT静态特性的输入特性和输出特性

2.静态特性的输入特性

增加V_BE的大小，会使i_B增大，基极和发射极之间就相当于一个二极管的正偏；
但是增加V_CE的大小，相当于在集电极和发射极之间的反向电压增大，势垒区增大，进而导致i_B的减小。

增加 VBE： 增加基极和发射极之间的正向偏置电压V_BE 会导致基极-发射极之间的二极管 PN 结变得更加导通。这会使基极电流 iBi增大。这个效应是由二极管的温度、发射结电流和基极-发射极间的饱和电流决定的。增大V_BE 会导致更多的载流子注入到晶体管中，从而增加了集电极电流 iC
增加 VCE： 当 V_CE增大时，集电极与发射极之间的反向偏置电压增加。这会增大集电极-发射极之间的势垒区，从而减少基极电流 iB。当 V_CE 增大到一定程度时，势垒区会增大到一定程度，以至于基极电流变得极小，从而使晶体管处于截止状态，不再放大信号。

当 V_{BE} 保持不变时，增加V_{CE}会导致集电结变宽，从而导致基区变窄。这会减少在基区内电子与空穴的复合率，因为在更宽的集电结中，电子和空穴在基区内相遇的机会减少。另一方面，电子的漂移能力增强，因此更多的电子能够通过基区漂移到集电极。这导致基极电流 IB减小，而集电极电流 I_C 增大。

简言之，增大 V_{CE}会导致基极变窄，减少了基区内电子与空穴的复合，同时增强了电子的漂移能力，从而导致了 I_B 减小， I_C 增大。

3.静态特性的输出特性

3.1.截至区

i_B小于0的时候，相当于在基极和发射极加了反向电压，势垒区相比i_B等于0的时候变大，导致击穿电压V_CE也增大。因此V_CBO比V_CEO要大。

3.2.放大区

总功率耗散就是二极管有功率限制，电流增加，电压就要减少；
功率耗散： 当一个二极管工作时，它会产生功率耗散。功率耗散是由电流通过三极管时产生的电压降和电流值决定的。根据功率耗散的等式 P=VI，电流增加会导致功率耗散的增加，这可能会导致二极管超过其额定功率限制。因此，电流增加时，为了维持功率耗散在可接受范围内，电压通常会减少。
电流过大就可能会有二次击穿，二次击穿就会导致设备损坏，尽量避免。
二次击穿： 二次击穿是指当二极管处于高电压状态下，电场强度足够强时，电子会以高能量撞击原子，从而产生新的载流子。这会导致电流急剧增加，可能损坏二极管。因此，为了避免二次击穿，需要确保二极管在额定电压范围内工作，并且避免超过其额定电流。

3.3.饱和区

在饱和区，i_B增加可能i_C增加不明显。

三极管主要工作在截止区和饱和区。

4.静态特性的关键参数

选择三极管的时候根据第三个图，依据我们电路中的驱动电路来对比选择。

V_CES（集电极-发射极-基极间的耐压）： 在 V_CES 的情况下，相当于基极和发射极之间被短路了，这时的耐压取决于基极与集电极之间以及发射极与集电极之间的 PN 结的耐压，因此 V_CES 通常是三极管可以承受的最高耐压。
V_CEO（集电极-发射极-开路间的耐压）： 在 V_CEO 的情况下，相当于基极和发射极之间的 PN 结处于正向偏置状态，因此对于集电极和发射极之间的耐压主要取决于发射极与集电极之间的 PN 结的耐压。由于基极和发射极之间的 PN 结处于正向偏置状态，因此 V_CEO 通常会比 V_CES 小。

5.安全工作区

斜线就是工程上时间的选择。

四、功率BJT的动态特性

1.动态特性的测试电路

阶跃形式通常指的是信号或输入在某一时刻突然发生变化，从一个固定值突然跳变到另一个固定值的形式。这种信号通常被称为阶跃信号或阶跃函数。

在阶跃信号中，信号的变化是突然的，而不是逐渐的。例如，一个阶跃形式的电压信号可能在某一时刻从 0V 突然跳变到 5V，而在此之前一直保持为 0V。阶跃形式的信号在工程、控制系统、信号处理和电路设计等领域中经常出现。

阶跃形式的信号可以用数学函数来描述，其中最常见的是单位阶跃函数（unit step function），通常表示为 u(t) 或 U(t)。单位阶跃函数在 t=0时突变值从 0 跳变到 1。单位阶跃函数可以在不同的时刻和不同的幅度下进行缩放和延迟。

2.BJT的动态特性

Vce下降是因为晶体管处于导通状态时，集电极-发射极之间的 PN 结处于正向偏置状态，随着电流增大，载流子会在 PN 结中更加活跃，导致 PN 结变窄。这导致了集电极-发射极之间的电阻减小，称为体电阻。随着电流增大，体电阻的减小速度可能会超过集电极电压的增加速度，导致集电极-发射极之间的电压 V_{CE} 下降。

体电阻的减小速度和 PN 结的减小速度确实是有关的。PN 结的减小取决于载流子的扩散，而体电阻的减小取决于 PN 结的变化和晶体管内部的电场分布。虽然体电阻会随着电流的增大而减小，但由于材料的固有特性和结构限制，它不会减小到零。