【转载】关于深N肼

最新推荐文章于 2024-07-08 14:31:55 发布
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分类专栏： 模拟IC 文章标签： 模拟IC 模拟IC版图 深N肼
原文链接：http://kns.cnki.net/KCMS/detail/detail.aspx?FileName=1017077760.nh&DbName=CMFD2018
版权
  • 引用自：邓健. 12位100MSps低功耗SAR ADC的研究与设计[D]. 电子科技大学, 2017.

对于局部电路，所有的 NMOS 都做在 P 衬底上，噪声会通过衬底串扰到噪声敏感电路，如图 5-5(a)所示，使得器件的阈值电压受噪声的干扰，电流非线性更加明显；图 5-5(b)所示电路中，将噪声敏感电路的器件置于深 N 阱（Deep N-Well：DNW）中，由于 NW/DNW
将关键模块与噪声模块隔离开，相当于形成了一个保护罩，并且这个保护罩接固定点位，内部的 PW 受到的噪声干扰大大减小，起到
了噪声隔离效果。在这里插入图片描述

Graduate_2017
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deepnwell
weixin_42350244的博客
12-26 5687
深N阱（DNW）可以理解为在P-sub上面隔离出来的一块独立区域，里边可以做需要的device，有与外界隔离的作用。而对NMOS而言，它们的well（P-sub）会通过wafer的p-sub short在一起（因为都是P型），相互串扰，互相影响。除了电位上的隔离，比如说有好几种地电位（0V、-3.3V、-6V等），一般会把害怕被别的模块影响（reference电路、temperature sensor等）或者怕会去影响别的模块的IP（PLL、OSC等）放在DNW里面。
射频开关常见优化技术——深N阱MOS设计
m0_62489442的博客
10-12 3892
射频开关常见优化技术——深N阱MOS设计
Cadence Calibre版图基本操作（反相器版图、DRC、LVS）（来自赵四火视频）
最新发布
abigmountain的博客
07-08 3463
反相器版图画版图其实就是画通孔和金属层，把器件相连起来AA层：有源区GT层：栅端、polyCT层：通孔M1层：金属层DNW层：N井SN层：N注入SP层：P注入Instances：生成器件，必选I/O Pins:生成PIN端口，必选PR Boundary:生成芯片边界，可选可不选让PIN端口生成到M1金属层上，一般是M2，电路复杂的话关于Layer Purpose：比如smic的工艺就在txt层;台积电工艺在pin层shift+F：显示版图A：点到中间的黄点，居中对齐。
Deep N Well instruction.pdf
07-23
Impact of Deep N-well Implantation on Substrate Noise Coupling and RF Transistor Performance for Systems-on-a-Chip Integration
射频开关常见优化技术——交流悬浮技术、MOS堆叠
m0_62489442的博客
10-14 793
射频开关常见优化技术——交流悬浮技术、MOS堆叠
Using Deep N Wells in Analog Design
hungtaowu的博客
10-19 4760
原文链接：https://www.planetanalog.com/using-deep-n-wells-in-analog-design/ On a conventional CMOS process (see figure 1), NMOS devices are formed in a P well or substrate connected to ground (or the most negative supply in the circuit). PMOS devices are form
深度学习(Deep Learning)：“Deep”的作用【“Modularization”、“End-to-End Learning”】
u013250861的博客
12-18 652
一、Modularization 1、Universality Theorem 2、“Thin + Tall” v.s. “Fat + Short” 3、“Fat + Short” 模式下 由于有些分类下的数据比较少， “Fat + Short” 模型对数据少的样本的分类训练的不好 4、“Thin + Tall” 模式下 将特征分解，再组合。 5、多层Layer的作用 中间hidden layer 的作用类似于将特征数据值从“低维”→transformer\xrightarrow{transfo
模拟集成电路设计-MOS器件物理基础（模集系列持续更新）
输出每日所学，供大家学习使用
06-01 2008
模拟IC设计之MOS器件物理基础
【设计】】MOS管衬底电位接法|PMOS、NMOS衬底连接-KIA MOS管
Carol0630的博客
04-18 2万+
参考：MOS管衬底电位接法|PMOS、NMOS衬底连接-KIA MOS管 P-SUB工艺，NMOS 的衬底都是一样的，都是P-SUB，所以不可以将源极和衬底接一块，不然通过衬底短接会影响其他NMOS的特性，因此NMOS的衬底只能接GND（低电位）； P-SUB工艺，PMOS管的N衬底都是单独的，因此可以将源极和衬底接一块来减小衬偏效应； Deep Nwell，是在PSUB工艺情况下，对NMOS管可以采取的一种隔离方式，底部是deep nwell，周围是nwell形成的一个环，来隔离共衬底引起的噪声干扰。 N
模拟cmos集成电路（1）
steven_ifv的博客
08-23 2410
nmos 高电压一侧：drain 低电压一侧：source pmos 高电压一侧：source 低电压一侧：drain pmos制作在n阱中（n-well）n阱要接电路中最高电位Vdd 使得PN结截止防止贯通（不同pmos的B可以接不同电位） 现代常用双阱工艺（double-well）即Psub上也制作浅的P阱 也叫做标准cmos工艺 但不同的nmos的bulk（body）端不能接不同的电压（本质上是在同一块P衬底上），可以看作一块wafer上所有的nmos的B是连在一起的。（通常接地） .
javascript有声调的汉字注音字典（兼容各浏览器）
weixin_30246221的博客
07-13 2万+
代码 1<!DOCTYPEhtmlPUBLIC"-//W3C//DTDXHTML1.0Transitional//EN""http://www.w3.org/TR/xhtml1/DTD/xhtml1-transitional.dtd">2<htmlxmlns="http://www.w3.org/1999/xhtml">34<he...
GB2312 简体中文编码表
banyinlve3147的博客
11-03 3589
GB 2312中对所收汉字进行了“分区”处理，每区含有94个汉字/符号。这种表示方式也称为区位码。 01-09区为特殊符号。16-55区为一级汉字，按拼音排序。56-87区为二级汉字，按部首/笔画排序。10-15区及88-94区则未有编码。 GB2312简体中文编码表 code +0 +1 +2 +3 +4 +5 +6 +7 +8 +9 +A +B +C +D ...
全国信息技术标准化技术委员会汉字内码扩展规范(GBK)
weixin_30700099的博客
07-27 1万+
　　　　　　 全国信息技术标准化技术委员会 　　　　　　　　汉字内码扩展规范(GBK) 　　　　Chinese Internal Code Specification 　　　　　　　　　　　 1.0 版 　　　　　　　 　（按编码顺序排列） 81 ０ １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ ９ Ａ Ｂ Ｃ Ｄ Ｅ Ｆ４ 丂 丄 丅 丆 丏 丒 丗 丟 丠 両 丣 並 丩 丮 丯 丱５ 丳 丵 丷...
1-65535字符集
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weixin_30256901的博客
02-06 14万+
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前端js ，实现简体繁体语言切换
Your_Smile_的博客
12-28 4291
转载大神的，链接忘记了，大家可以参考参考 var jianti = "哎哀唉埃挨锿捱皑癌嗳矮蔼霭艾爱砹隘嗌嫒碍暧瑷僾薆安桉氨庵谙腤鹌鞍鮟盫啽垵俺唵埯铵揞犴岸按案胺暗黯肮昂枊盎醠凹坳垇爊敖嗷嶅廒獒遨熬璈翱聱螯謷鳌鏖芺袄媪岙傲奡奥骜澳懊鏊八巴叭扒朳吧夿岜芭疤捌笆粑豝鲃拔茇胈菝跋魃把靶坝弝爸罢鲅霸灞掰白百佰柏栢捭摆呗败拜稗扳攽班般颁斑搬斒瘢癍阪坂板版钣舨蝂魬办半伴扮姅拌绊瓣邦帮梆浜绑榜膀蚌傍棒谤塝稖...
（七）反相器的版图绘制、DRC、LVS、PEX、后仿真笔记-----基于B站chris老师教学
qq_45121415的博客
04-04 7169
根据电路原理图来创建版图，对其版图连线，进行DRC，LVS，PEX，后仿真
现代工艺常用N阱还是P阱附常见mosfet工艺区别
seu他山之石的博客
08-07 9023
现代工艺常用N阱还是P阱 现代工艺常牺牲PMOS优化NMOS所以常用N阱工艺。Q：为什么牺牲PMOS，优化NMOS？ n阱工艺：N阱CMOS工艺采用轻掺杂P型硅晶圆片作为衬底，在衬底上做出N阱，用于制作PMOS晶体管，而在P型硅衬底上制作NMOS晶体管。 p阱工艺：p阱CMOS工艺采用N型单晶硅作为衬底，在衬底上做出p阱，用于制作nMOS晶体管，而在n型硅衬底上制作pMOS晶体管。 双阱工艺：双阱cmos工艺采用p型硅晶圆片作为衬底，在衬底上做出N阱，用于制作PMOS晶体管，在衬底上做出p阱，用于制作nMO
Chapter 2 The well
2304_76736886的博客
06-04 1204
第二章讲CMOS制造中的阱，顺带介绍各种层和PN节，因此会介绍各种寄生电容电阻The Substrate 衬底一般CMOS采用P衬底, 这里是直接假设NMOS会直接做在Psub上，PMOS做在N-well里，现在好一点的工艺，PMOS做在Nwell里，而NMOS基本都能做在Nwell包裹着的Pwell，所谓的SOI (Slicon on Insulator)。需要注意接这些阱的电位，一般来说deep-nwell接模拟电源AVDD。
数字集成电路版图设计（附录）——持续补充...
？？？我在哪
04-23 1万+
SMIC13工艺版图设计规则 术语： Width：宽度，最小边长度 Space：一个形状外部到另一个形状外部的距离 Extension：外延，从外边缘到内边缘的距离 Enclosure：外壳 overlap：重叠 length：长度 规则描述 先写一些常用的 DNW区:Deep N-Well design minnima 1、最小宽度 3um 2、两个DNW之间最小space 6um ...
deep hidden
08-08
对于"deep hidden"这个词组，我可以理解为两个不同的概念：Deep Learning（深度学习）和Hidden Layers（隐藏层）。 深度学习（Deep Learning）是一种机器学习的分支，它基于人工神经网络的多层结构，通过多个隐藏层来进行特征提取和模式识别。深度学习在许多领域中取得了显著的成果，如计算机视觉、自然语言处理和语音识别等。 隐藏层（Hidden Layers）是神经网络中的一种层级结构，介于输入层和输出层之间。这些层中的神经元接收来自前一层的输入，并通过权重和激活函数进行计算，并将结果传递给下一层。隐藏层的存在使得神经网络能够学习更复杂的特征和模式。 所以，"deep hidden"可以指代深度学习中的隐藏层，这些隐藏层在神经网络中扮演着重要的角色，帮助网络实现更高级的特征提取和模式识别能力。
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