P-SUB工艺,NMOS 的衬底都是一样的,都是P-SUB,所以不可以将源极和衬底接一块,不然通过衬底短接会影响其他NMOS的特性,因此NMOS的衬底只能接GND(低电位);
P-SUB工艺,PMOS管的N衬底都是单独的,因此可以将源极和衬底接一块来减小衬偏效应;
N-WLL工艺,PMOS的衬底都是一样的,都是N-WELL,因此不可以将源极和衬底接一块,不然通过衬底短接会影响其他PMOS的特性,因此PMOS的衬底只能接VDD(高电位);
N-WELL工艺,NMOS管的P衬底都是单独的,因此可以将源极和衬底接一块来减小衬偏效应;
Deep Nwell,是在PSUB工艺情况下,对NMOS管可以采取的一种隔离方式,底部是deep nwell,周围是nwell形成的一个环,来隔离共衬底引起的噪声干扰。