从原理的视角,一文彻底区分MOS MOSFET NMOS PMOS CMOS

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傻傻分不清

我的工作是硬件工程师,刚工作那会,遇到用MOS管的场合一般是直接从其它原理图中拷贝MOS管的图标,工作多年后经常分不清S极、D极,搞不清NMOS和PMOS的图标的区别,有时候从网上看了一下别人总结的文档,多数都是死记硬背,当时记住了,没多久又会忘记。最近又回过头来看了一下,特别是看了一个本MIT的教材后,一下子豁然开朗。发现从原理的视角弄明白后,再也不会混淆MOS管图标的含义以及连线方法。

由基础说起

(已经具备半导体基础知识的可以跳过此节)半导体的基础材料是硅晶体,硅这种材料,在化学元素周期表里是四族元素,硅从微观上看每个原子最外层有4个电子,我们知道,外层4个电子的物质处于稳定状态。硅晶体里,两个电子结合形成更为稳定的共价键。
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  当然这种共价键并不是牢不可破的,在绝对0度以上,总会有少数的电子摆脱共价键的束缚在晶格里游荡,会表现出很小的导电性,半导体的名字就这么来了。

如果硅晶体里掺入了三族元素,比如硼,会是什么状况的呢?
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  三族元素最外层3个电子,跟硅结合的时候,共价键上就会缺一个电子,我们叫它空穴。由于电子的热力学运动,某个共价键上的电子可能摆脱束缚移动到空穴位置上来,宏观上看好像是空穴产生了移动,由于空穴表现正电荷,空穴的英文称为positive holes,这种半导体就称之为P型半导体
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同样,在硅晶体里掺杂五族元素后,共价键上就会多出一个电子,这个电子可以在半导体内自由移动,形成导电的电子,即negative electrons。掺杂五族元素的半导体称为N型半导体
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  我们从宏观上看,N型半导体里面有很多可以导电的电子。
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  P型半导体里面有很多不可移动的空穴。此处特别强调不可移动,我们说空穴的移动,实际上是其它位置的电子填充了空穴的位置,看上去像是空穴在移动。嗯,啰嗦两边一般说明重要:)。
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  N型半导体和P型半导体宏观上看都是不带电的!正负电荷量相等。

MOSFET登场

假如我们把P型半导体放在一个电场中会有什么现象呢 ? 根据最基本的物理知识,同电荷排斥,异电荷相吸,电场中的P型半导体如下图所见。左右两侧为电极板,电子会被吸引到正电极测,空穴被吸引到负电极测。这里正负只是普通的物理定义,其实在电路中,严格的说法应该是高电平测、低电平测。正负只有在指定0V参考点的情况下才有意义。
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  我们把这种效应称为电场效应(Field Effect),依据这种现场所发明的半导体器件称为场效应管,即Field Effect Transistor ,简称FET! 这就是FET真实的内涵啊!!
  为了方便产生一个电场,科学家们发明了一种像三明治的结构。这种结构的最上层是金属,一般是铝化合物,中间层是氧化物,一般是氧化硅,下面是P型半导体,此处也称为P型衬底。这种器件被称为Metal Oxide Semiconductor,简称MOS。
  哇塞! 看到了吧,MOS的名称就是这么来的,金属-氧化物-半导体!!!嗯,三明治!!!
  在金属层和衬底之间加上电场,于是在氧化物的下面就聚集了电子,形成一个反转层。本来是P型衬底,出现了电子层,中文书里面也叫做“沟道”,也被称为N沟道。

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  把这个材料继续加工,在P型衬底的两肩腐蚀出N型的电极,于是NMOS就这么产生了!金属层被称为G极、即栅极;N型掺杂浓度高的一端称为S极、即源极,掺杂浓度稍微低点的一端称为D极,即漏极。“源”是源头的意思,它的浓度高、可以提供更多的载流子,在N型半导体里,沟道内部是电子,如果能够形成一个电流通路,那么源极也应该提供的是电子。在外部偏压形成的电场力作用下,电子由S流向D。因为电流定义的方向跟电子流动的方向相反,所以此时电流从D流向S。因此,D点的点位要比S点高。
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至此,我们就清楚了什么是MOS,MOSFET,NMOS。记住一点:NMOS指的是形成了N型的反转层,那么它一定是在P型衬底上实现的。
此时我想到了一幅图片,先知摩西分红海。
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  同样,对于衬底为N型的器件,我们要施加电场产生一个空穴区,即P沟道,所以称为PMOS,空穴区需要低电平产生,所以G极的电势要比源极低。P沟道流动的是”空穴“,所以电流方向是S极流向D极,那么S极的电势就要高。

至此,我们应该能分清什么是MOS、MOSFET、NMOS、PMOS了。从中我们也看出了,MOS管是一种G极电压产生电场效应,控制DS两端电流的可控器件。

NMOS电路抽象

在电路里面,如何区分NMOS、PMOS以及电路如何连接呢?
  现在我们想一下,衬底该怎么接,以NMOS为例,衬底P型,如果衬底接高电位,那么就形成了两个PN结并联的电路。所以P型衬底需要接低电位,根据上面说的电流方向,N型MOS低电位为S极,所以衬底需要连S极。这就是为什么MOS管的电路图总是看到衬底跟S极相连的原因!
下面详细说说电路符号每一个细节所代表的意思。
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  1. 没有施加电场时,G极下没有产生N沟道,所以电路图中用虚线代表这一层意思。(以后的文章中会介绍不同种类的MOSFET,G极为0V,没有反转层生成的器件称为增强型MOS管,还有一种是耗尽型MOS,对于耗尽型MOS,中间竖线是相连的。)
  2. 箭头的意思代表衬底的PN结效应,P型衬底(NMOS)在G极产生电场下,靠近G极为电子区、远离端为空穴区,所以电场下生产的PN效应指向G极!
  3. 图中的二极管是衬底与D之间体二极管,上文中也提到了,如果衬底接高电平,此时二极管直接导通,失去了MOS管控制的作用。大家此时应该立刻想到,如果NMOS的S极接了高电压,D接了低电压,MOS管直接导通!

PMOS电路抽象

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对于PMOS,再啰嗦一遍,PMOS的”P“即P沟道,一定是在N型衬底上产生的,衬底PN效应箭头背离G极。N型衬底的两肩上腐蚀出P型电极,流过沟道的是空穴,方向从源到漏,源为高掺杂,空穴运动的方向同时也是电流的方向,也就是说PMOS的电流从S到D,S为高电平。
PMOS的衬底为N型,如果衬底为低电平,同样是等效于两个PN结并联,所以衬底要接高电平,即衬底也是连S极,得出一个结论:无论NMOS、PMOS衬底都是连S极!
  体二极管效应仍然在D极和衬底间产生,D为体二极管的P区。同样,对于PMOS,D极比S极点位高的话,直接通过二极管效应产生通路。

在文献中,为了画图的简便,NMOS和PMOS分别简化如下:
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什么是CMOS

CMOS即 complementary MOSFET,互补型MOSFET,在大规模集成电路里面,NMOS和PMOS被集成在一起,通过同一个信号来控制,从而实现数字信号的逻辑NOT功能。这种结构是组成集成电路的基础单元。
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双向导通开关MOS管

在集成电路里面有一种起到开关作用的双向导通的MOS管,在普通的文献中,由于有些作者可能没有弄清楚,提到MOS管D、S两极反过来用也可以。其实在本文中我特别强调了,一般的MOS管只能起到单向开关的作用,根本原因在于衬底跟S极相连了。

在集成电路中,对于N型MOS管,如果把衬底固定的跟最低电平相连,那么此时MOS管的体二极管效应就不存在了,D和S两极就看哪边的电势高,电流就会从高电平流向低电平,MOS管起到双向开关的左右。对于集成电路来说作用那时相当的大,有兴趣的可以阅读本文最后列出的参考文献第16章。

通过此文,大家应该能够从原理上分清MOS管各种名称的区别了,同时对于电路图符号,对照着原理自己理清一遍,相信不会再搞混了!

最后强调MOS管的电路分析要点: 栅极电压控制DS电流!
参考文献:
Microelectronics Circuit Analysis and Design,4E
作者:Donald A.NEAMEN

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