低功耗学习记录

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芯片低功耗设计、验证和实现——E课网低功耗设计实训前导课
本文为E课网视频的学习笔记,在这里对E课网表示感谢

高功耗的影响

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可靠性的影响因素:电压与温度

功耗的类型

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翻转功耗:对负载电容进行充放电时消耗的功耗
短路功耗(Internal Power ):CMOS在翻转过程中,PNMOS管同时导通小号的功耗(无效功耗)

理论分析降低功耗的方法

  1. 降低电压
  2. 降低频率(翻转功耗)
  3. 低功耗的器件和std cell

单独分析

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Nsw:工艺系数
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I1 漏极向衬底的反向偏置电流
I2 源漏之间的亚阈值漏电流
I3 栅极漏电流,栅漏之间感应漏电流
I4 栅极衬底隧道漏电流
在漏和栅和衬底的三角区加绝缘介质来减小漏电流

工艺对漏电流的影响

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工艺越先进,漏电流越大

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工艺越先进,电压越低,功耗也越低,时钟频率越来越高

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系统级,可以把数据从DDR放到SRAM,可以实现更低功耗

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左上时钟门控
左下门级优化
右上高低Vth的漏电流能相差100倍
右下 ripple行波进位加法器,carry进位加法器

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划分电压域
关闭模块,动态功耗没有了
DVS,DVFS,AVS,AVFS 动态电压调整
调整衬底电压
增大栅极
多加mos管

发展趋势

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Demo

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clock gating

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设置DC工具来生成,ICG
Clock Gating cell 与 Integrated Clock Gating cell(ICG)
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绿色RTL插入

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glitch 毛刺
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后面讲的比较敷衍,也没有记下什么

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